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P型硅并五苯有機場效應(yīng)晶體管的研制

摘要

以P++硅為襯底,熱生長SiO2為柵絕緣層,真空蒸發(fā)有機半導(dǎo)體材料并五苯作為有源層,射頻磁控濺射金作為源、漏電極,成功制作了底接觸式并五苯有機場效應(yīng)晶體管(OFETs)。測試表明在源漏電壓為70V時,器件的載流子遷移率μ為:0.31cm2/Vs。

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