聲明

第一章 引言

1.1 憶阻器概述

1.1.1 憶阻器理論

1.1.2 憶阻器特性

1.1.3 憶阻器應(yīng)用

1.2 突觸可塑性與生物的學(xué)習(xí)方式

1.3 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀

1.3.1 憶阻器模型研究現(xiàn)狀

1.3.2 憶阻突觸學(xué)習(xí)電路研究現(xiàn)狀

1.4 論文研究意義

1.5 論文主要工作及結(jié)構(gòu)

第二章 憶阻器模型分析

2.1 離子遷移模型

2.1.1 線性離子遷移模型

2.1.2 非線性離子遷移模型

2.2 閾值模型

2.2.1 電壓閾值自適應(yīng)模型

2.2.2 用于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的閾值模型

2.3 遺忘模型

2.3.1 一維遺忘模型

2.3.2 三維遺忘模型

2.4 本章小結(jié)

第三章 基于惠普憶阻器的習(xí)慣化特性實(shí)現(xiàn)電路設(shè)計(jì)

3.1 海兔縮鰓反射習(xí)慣化現(xiàn)象

3.2 習(xí)慣化特性實(shí)現(xiàn)電路設(shè)計(jì)

3.3 習(xí)慣化特性仿真

3.3.1 短期習(xí)慣化

3.3.2 長期習(xí)慣化

3.3.3 去習(xí)慣化

3.3.4 習(xí)慣化的頻率依賴性

3.4 本章小節(jié)

第四章 基于遺忘憶阻器的巴甫洛夫聯(lián)想記憶電路設(shè)計(jì)

4.1 巴甫洛夫聯(lián)想記憶及聯(lián)想記憶電路

4.1.1 巴甫洛夫聯(lián)想記憶

4.1.2 現(xiàn)有的憶阻聯(lián)想記憶電路

4.2 改進(jìn)的遺忘憶阻器模型

4.2.1 數(shù)學(xué)模型

4.2.2 仿真結(jié)果

4.3 聯(lián)想記憶電路設(shè)計(jì)及仿真結(jié)果

4.3.1 聯(lián)想記憶電路設(shè)計(jì)

4.3.2 仿真結(jié)果

4.4 電路的擴(kuò)展及仿真結(jié)果

4.5 本章小結(jié)

第五章 基于遺忘憶阻器的識(shí)別召回電路設(shè)計(jì)

5.1 神經(jīng)元模型

5.2 非條件刺激反饋學(xué)習(xí)規(guī)則

5.3 識(shí)別網(wǎng)電路設(shè)計(jì)及仿真結(jié)果

5.3.1 識(shí)別網(wǎng)電路設(shè)計(jì)

5.3.1 識(shí)別網(wǎng)電路仿真結(jié)果

5.4 召回網(wǎng)電路設(shè)計(jì)及仿真結(jié)果

5.4.1 召回網(wǎng)電路設(shè)計(jì)

5.4.2 召回網(wǎng)電路仿真結(jié)果

5.5 本章小結(jié)

第六章 總結(jié)與展望

6.1 本文工作總結(jié)

6.2 未來工作方向

參考文獻(xiàn)

致謝

攻讀碩士期間已發(fā)表的學(xué)術(shù)論文

攻讀碩士期間參加的科研項(xiàng)目