聲明

摘要

第一章 緒論

1．1 熱電材料的發(fā)展歷程

1．2 熱電效應(yīng)

1．2．1 Seebeck效應(yīng)

1．2．2 Peltier效應(yīng)

1．2．3 Thomson效應(yīng)

1．3 熱電材料的性能

1．3．1 熱電優(yōu)值

1．3．2 提高材料熱電性能的主要途徑

1．4 熱電材料的應(yīng)用

1．5 熱電材料的研究進展

1．5．1 傳統(tǒng)熱電材料的研究現(xiàn)狀

1．5．2 新型熱電材料的研究進展

1．6 CoSb3材料的制備方法及其研究進展

1．7 選題背景及文章內(nèi)容

第二章 實驗方法

2．1 實驗儀器設(shè)備及材料

2．1．1 實驗設(shè)備

2．1．2 化學試劑

2．2 基片的制備

2．2．1 基片的預(yù)處理

2．2．2 基片的制作

2．3 實驗裝置及溶液體系

2．3．1 實驗裝置示意圖

2．3．2 溶液組成

2．3．3 循環(huán)伏安法(CV)

2．4 沉積薄膜的表面形貌、成分及其晶體結(jié)構(gòu)分析

2．4．1 掃描電子顯微(SEM)分析

2．4．2 X射線衍射(XRD)分析

2．4．3 電子探針X射線顯微分析(EPMA)

第三章 Co-Sb溶液體系的電化學研究

3．1 一元體系的電化學測試結(jié)果

3．1．1 支持電解液的循環(huán)伏安測試

3．1．2 純鈷體系的電化學研究

3．1．3 純銻體系的電化學測試

3．1．4 一元體系的Co2+與SbO+離子的電化學行為的比較

3．2 Co-Sb二元體系

3．2．1 Co-Sb二元溶液體系的電化學測試

3．3 Co-Sb-Te三元溶液體系

3．3．1 Co-Sb-Te三元溶液體系的循環(huán)伏安測試

第四章 Co-Sb薄膜的制備與表征

4．1 Co-Sb薄膜的制備與表征

4．1．1 離子濃度比對Co-Sb薄膜的影響

4．1．2 恒電流沉積對Co-Sb薄膜的影響

4．1．3 沉積電位對不銹鋼基片上Co-Sb薄膜的影響

4．1．4 沉積電位對ITO基片上Co-Sb薄膜的影響

4．2 熱處理對Co-Sb薄膜的影響

4．2．1 熱處理對不銹鋼基片上Co-Sb薄膜的影響

4．2．2 熱處理對ITO基片上Co-Sb薄膜的影響

第五章 結(jié)論

參考文獻

附錄

致謝