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聲明

第一章緒論

1.1 MEMS技術(shù)概述

1.1.1微機(jī)電系統(tǒng)簡介

1.1.2 MEMS加工工藝

1.1.3 MEMS技術(shù)的應(yīng)用與發(fā)展

1.2紅外探測技術(shù)概述

1.2.1紅外技術(shù)簡介

1.2.2紅外探測器類型

1.3測輻射熱計(jì)概述

1.3.1微測輻射熱計(jì)工作原理

1.3.2常用測輻射熱計(jì)敏感材料

1.3.3測輻射熱計(jì)基本結(jié)構(gòu)

1.4 MEMS非制冷紅外成像陣列的發(fā)展趨勢

1.5本論文研究目的及內(nèi)容

第二章初始制備工藝介紹及分析

2.1測輻射熱計(jì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

2.1.1器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理

2.1.2器件支撐層微橋設(shè)計(jì)

2.2測輻射熱計(jì)制作工藝設(shè)計(jì)

2.3測輻射熱計(jì)初步工藝制備

2.4問題討論

第三章測輻射熱計(jì)用氧化釩敏感材料研究

3.1氧化釩概述

3.1.1氧化釩結(jié)構(gòu)與性能介紹

3.1.2氧化釩制各工藝研究

3.2不同基底制備氧化釩性能研究

3.2.1實(shí)驗(yàn)研究基礎(chǔ)介紹

3.2.2實(shí)驗(yàn)步驟

3.3不同基底制備氧化釩性能研究

3.3.1不同基底對氧化釩組分和結(jié)構(gòu)影響

3.3.2殘余應(yīng)力對氧化釩薄膜制備影響

3.4熱處理對氧化釩薄膜性能影響

3.5本章小結(jié)

第四章MEMS技術(shù)中多孔硅犧牲層與絕熱性能研究

4.1多孔硅概述

4.1.1多孔硅性能簡介

4.1.2多孔硅制備技術(shù)簡介

4.2多孔硅制備研究

4.2.1實(shí)驗(yàn)裝置和測試設(shè)備介紹

4.2.2制備參數(shù)對多孔硅性能影響

4.3多孔硅犧牲層技術(shù)和絕熱性能研究

4.3.1多孔硅絕熱性能研究

4.3.2多孔硅犧牲層關(guān)鍵技術(shù)研究

4.3.3氧化多孔硅在MEMS犧牲層技術(shù)中的應(yīng)用

4.4本章小結(jié)

第五章測輻射熱計(jì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及工藝制備研究

5.1制備工藝討論及改進(jìn)

5.2犧牲層結(jié)構(gòu)測輻射熱計(jì)制備工藝設(shè)計(jì)

5.2.1支撐層結(jié)構(gòu)優(yōu)化

5.2.2工藝流程調(diào)整

5.2.3工藝流程確定

5.3基于多孔硅絕熱層技術(shù)的測輻射熱計(jì)工藝制備設(shè)計(jì)

5.4本章小結(jié)

第六章全文總結(jié)

6.1總結(jié)

6.2工作展望

參考文獻(xiàn)

發(fā)表論文和科研情況說明

致 謝