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SOC設(shè)計(jì)中一種提取翻轉(zhuǎn)率用于IR-drop分析的方法

     
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摘要

0引言在高性能的SOC(System On Chip)芯片設(shè)計(jì)中,需要將IR-drop(電壓降)控制在很小的范圍內(nèi),否則,在深亞微米下如果power network做得不夠好,就會(huì)出現(xiàn)芯片不能工作或者工作不正常的情況。在芯片設(shè)計(jì)的pre-layout(預(yù)布局)階段,芯片設(shè)計(jì)后端組會(huì)對(duì)芯片的PG(Power and Ground)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行初步評(píng)估,以了解芯片內(nèi)部各個(gè)模塊等效為電阻或者電阻、電容、電感網(wǎng)絡(luò)之后的IR-drop,從而指導(dǎo)后續(xù)的電源地網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì),進(jìn)而保證IR-drop的合理性。

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