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臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體材料研究獲重大突破

     

摘要

臺(tái)灣地區(qū)科技部日前宣布,臺(tái)灣地區(qū)、日本、沙特阿拉伯等跨國(guó)團(tuán)隊(duì),已研究出單層二硫化鉬P—N接面,可望取代晶圓芯片成為新世代半導(dǎo)體核心元件,廣泛應(yīng)用在可穿戴設(shè)備及手機(jī)中。

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