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不對(duì)稱(chēng)雙勢(shì)壘結(jié)構(gòu)的共振隧穿現(xiàn)象

     
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摘要

在PECVD系統(tǒng)中,用layer by hyer的方法原位制備了a-SiNx/nc-Si/a-SiNx雙勢(shì)壘結(jié)構(gòu)樣品.AFM測(cè)量結(jié)果顯示nc-Si晶粒密度約為1.2×1011cm-2,通過(guò)Raman散射譜計(jì)算出薄膜中的平均晶粒尺寸為6nm,nc-Si層的晶化比約46%.在低頻時(shí)的電容-電壓(C-V)測(cè)試過(guò)程中,觀察到了與共振隧穿效應(yīng)有關(guān)的電容峰,由于樣品中的nc-Si顆粒尺寸均勻性不高,沒(méi)有觀察到分立的隧穿電容峰結(jié)構(gòu),只得到擴(kuò)展的電容峰.

著錄項(xiàng)

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