AI寫作工具
文獻服務
退出
我的積分:
中文文獻批量獲取
外文文獻批量獲取
朱順才;
南京電子器件研究所;
異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料; 調(diào)制摻雜; 輸運特性; MBE法; 砷化鎵; ALGaAs;
機譯:在As_2和As_4通量下生長的Al_xGa_(1-x)As / GaAs調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)構(gòu)的光學表征
機譯:As_2和As_4通量下生長的Al_xGa_(1-x)As/GaAs調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)構(gòu)的光學表征
機譯:Al_xGa_(1-x)N厚度對調(diào)制摻雜的Al_xGa_(1-x)N / GaN單異質(zhì)結(jié)構(gòu)中二維電子氣輸運性質(zhì)的影響
機譯:深阱對選擇性摻雜Al_xGa_(1-x)As / GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的低頻電容電壓特性的影響
機譯:快速熱退火對MBE生長的光電器件GaAsBi / GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)影響的研究。
機譯:具有修飾的Al x Sub> Ga 1-x Sub> As停止層的GaAs襯底上的半導體晶體管納米異質(zhì)結(jié)構(gòu)
機譯:在具有組合摻雜的GaAs襯底上具有階梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半導體納米異質(zhì)結(jié)構(gòu)
機譯:MBE生長期間GaAs,(Al,Ga)As和其他化合物半導體中Si摻雜的控制
抱歉,該期刊暫不可訂閱,敬請期待!
目前支持訂閱全部北京大學中文核心(2020)期刊目錄。
客服郵箱:kefu@zhangqiaokeyan.com
客服微信
服務號