国产bbaaaaa片,成年美女黄网站色视频免费,成年黄大片,а天堂中文最新一区二区三区,成人精品视频一区二区三区尤物

首頁> 中文期刊> 《微納電子技術》 >MBE法生長的調(diào)制摻雜GaAs/Al_xGa_(1-x)As異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料的輸運特性研究

MBE法生長的調(diào)制摻雜GaAs/Al_xGa_(1-x)As異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料的輸運特性研究

     

摘要

采用變磁場霍爾效應方法,在低磁場(B<0.6T)和低溫(T=77K)條件下,研究了HEMT器件用調(diào)制摻雜GaAs/Al_xGa_(1-x)As異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料的輸運特性。給出了材料電學參數(shù)(ρ、n和μ)與B的依賴關系,揭示了平行電導對材料質(zhì)量的影響,并對上述依賴關系作了初步的定量分析。

著錄項

相似文獻

  • 中文文獻
  • 外文文獻
  • 專利
獲取原文

客服郵箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公網(wǎng)安備:11010802029741號 ICP備案號:京ICP備15016152號-6 六維聯(lián)合信息科技 (北京) 有限公司?版權(quán)所有
  • 客服微信

  • 服務號