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Ⅲ-Ⅴ族化合物超薄層外延生長新技術(shù)——原子層外延

     
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摘要

本文概述了Ⅲ-Ⅴ族化合物原子層外延(ALE),重點(diǎn)介紹了脈沖噴射(PJ)-ALF、氯化物-ALE和增強(qiáng)遷移外延(MEE)。ALE生長層厚度對(duì)生長參數(shù),如源氣體分壓、生長溫度和生長時(shí)間都不敏感,主要取決于ALE周期數(shù)目,因此ALE又稱“數(shù)字外延”。與傳統(tǒng)的MBE和MOCVD相比,ALE具有生長層厚度更均勻、缺陷密度更低、選擇外廷中無邊緣生長以及側(cè)壁外延可控制到單原子層等優(yōu)點(diǎn)。文中還討論了ALEⅢ-Ⅴ族化合物電學(xué)性能和應(yīng)用。

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