機譯:使用陰極發(fā)光微基分析寬帶隙材料結(jié)構(gòu)缺陷的微觀特征策略。
機譯:以Local摻雜YAG為例,通過局部陰極發(fā)光來表征寬帶隙材料中的輻射中心
機譯:從第一原理看寬帶隙二維材料缺陷中的載流子復(fù)合機理
機譯:來自第一原理的寬帶隙二維材料缺陷的載體重組機制
機譯:寬帶隙材料中電子照射損傷的陰極輻射微分分析
機譯:用于半導(dǎo)體和光電應(yīng)用的寬帶隙復(fù)合材料中結(jié)構(gòu)缺陷的表征。
機譯:無邊緣缺陷的各向異性二維薄板真正的一維Van der Waals具有幾乎直接的帶隙Nb2Se9材料
機譯:用超出標(biāo)準(zhǔn)密度泛函理論的方法研究寬帶隙材料中的點缺陷=用超出標(biāo)準(zhǔn)密度泛函理論的方法研究寬帶隙材料中的點缺陷