Sic MOSFET Modeling and Simulation for Pspice

機(jī)譯：SIC MOSFET建模與PSPICE的模擬

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Xiafei Zhu; Guolin Xu; Shaokang Jiao; Zhibin Zhao;
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年度 2015
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1. Analytical PSpice PSpice model for SiC MOSFET based high power modules [J] . Johannesson Daniel, Nawaz Muhammad Microelectronics journal . 2016,第Jula期

機(jī)譯：基于SiC MOSFET的大功率模塊的PSpice解析PSpice模型
2. A Non-Segmented PSpice Model of SiC mosfet With Temperature-Dependent Parameters [J] . Li Hong, Zhao Xingran, Sun Kai, IEEE Transactions on Power Electronics . 2019,第5期

機(jī)譯：具有溫度相關(guān)參數(shù)的SiC mosfet 的非分段PSpice模型
3. A Non-Segmented PSpice Model of SiC mosfet With Temperature-Dependent Parameters [J] . Li Hong, Zhao Xingran, Sun Kai, IEEE Transactions on Power Electronics . 2019,第5期

機(jī)譯：具有溫度相關(guān)參數(shù)的SiC MOSFET 的非分段PSPICE模型
4. Sic MOSFET Modeling and Simulation for Pspice [C] . Xiafei Zhu, Guolin Xu, Shaokang Jiao, International Conference on Advances in Mechanical Engineering and Industrial . 2015

機(jī)譯：SIC MOSFET建模與PSPICE的模擬
5. Compact modeling of Silicon Carbide (SIC) Vertical Junction Field Effect Transistor (VJFET) in PSpice using Angelov model and PSpice simulation of analog circuit building blocks using SIC VJFET model. [D] . Purohit, Siddharth. 2006

機(jī)譯：使用Angelov模型在PSpice中對(duì)碳化硅（SIC）垂直結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（VJFET）進(jìn)行緊湊建模，并使用SIC VJFET模型對(duì)PSpice模擬電路構(gòu)建模塊進(jìn)行仿真。
6. Thermal Impedance Characterization Using Optical Measurement Assisted by Multi-Physics Simulation for Multi-Chip SiC MOSFET Module [O] . Min-Ki Kim, Sang Won Yoon 2020

機(jī)譯：多芯片SIC MOSFET模塊多物理仿真輔助光學(xué)測(cè)量的熱阻抗表征
7. PSpice Modeling Platform for SiC Power MOSFET Modules with Extensive Experimental Validation [O] . Ceccarelli, Lorenzo, Iannuzzo, Francesco, Nawaz, Muhammad 2016

機(jī)譯：用于siC功率mOsFET模塊的pspice建模平臺(tái)，具有廣泛的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

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