技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的一個(gè)方面涉及紫外光產(chǎn)生用靶、電子束激發(fā)紫外光源和 紫外光產(chǎn)生用靶的制造方法。

背景技術(shù)

在專利文獻(xiàn)1中記載有作為用于PET裝置的閃爍體的材料而使用 含有鐠(Pr)的單結(jié)晶的技術(shù)。此外，在專利文獻(xiàn)2中記載有通過利 用熒光體對(duì)從發(fā)光二極管射出的光的波長進(jìn)行轉(zhuǎn)換而實(shí)現(xiàn)白色光的照 明系統(tǒng)的技術(shù)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：國際公開第2006/049284號(hào)小冊(cè)子

專利文獻(xiàn)2：日本特表2006-520836號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的問題

歷來，作為紫外光源使用水銀疝氣燈和氘燈等電子管。但是，這 些紫外光源發(fā)光效率低且為大型，而且在穩(wěn)定性和壽命方面存在問題。 此外，在使用水銀疝氣燈的情況下，要擔(dān)心水銀對(duì)環(huán)境的影響。另一 方面，作為其它紫外光源，具有電子束激發(fā)紫外光源，其具備通過對(duì) 靶照射電子束而激發(fā)紫外光的結(jié)構(gòu)。電子束激發(fā)紫外光源作為在產(chǎn)生 高的穩(wěn)定性的光學(xué)測(cè)量領(lǐng)域和活用低功耗性的殺菌以及消毒用、或利 用高的波長選擇性的醫(yī)療用光源和生物化學(xué)用光源被期待。此外，在 電子束激發(fā)紫外光源中還存在與水銀燈等相比功耗小的優(yōu)勢(shì)。

此外，近年來開發(fā)有能夠輸出波長360nm以下的紫外區(qū)域的光的 發(fā)光二極管。但是，來自這樣的發(fā)光二極管的輸出光強(qiáng)度還很小，而 且難以利用發(fā)光二極管實(shí)現(xiàn)發(fā)光面的大面積化，因此存在用途受到限 定的問題。相對(duì)于此，電子束激發(fā)紫外光源能夠產(chǎn)生足夠強(qiáng)度的紫外 光，而且能夠輸出通過增大照射至靶的電子束的直徑，而具有大面積 且均勻的強(qiáng)度的紫外光。

但是，在電子束激發(fā)紫外光源中也被要求紫外光產(chǎn)生效率的進(jìn)一 步提高。本發(fā)明的一個(gè)側(cè)面的目的在于，提供能夠提高紫外光產(chǎn)生效 率的紫外光產(chǎn)生用靶、電子束激發(fā)紫外光源和紫外光產(chǎn)生用靶的制造 方法。

用于解決問題的手段

為了解決上述課題，本發(fā)明的一個(gè)側(cè)面的紫外光產(chǎn)生用靶包括透 射紫外光的基板和設(shè)置在基板上、接受電子束而產(chǎn)生紫外光的發(fā)光層， 發(fā)光層包括氧化物結(jié)晶，該氧化物結(jié)晶為粉末狀或顆粒狀，且被添加 有活化劑，并含有Lu和Si。

本發(fā)明的發(fā)明人考慮了在紫外光產(chǎn)生用靶中使用被添加有活化劑 的、含有Lu和Si的氧化物結(jié)晶，例如(Pr_xLu_1-x)₂Si₂O₇(Pr：LPS，x 的范圍為0＜x＜1)和(Pr_xLu_1-x)₂SiO₅(Pr：LSO，x的范圍為0＜x ＜1)等。但是發(fā)現(xiàn)在現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)中記載的方法中難以獲得充分的紫 外光產(chǎn)生效率。與此相對(duì)，本發(fā)明的發(fā)明人進(jìn)行的試驗(yàn)和研究的結(jié)果 發(fā)現(xiàn)，通過令被添加有活化劑的、含有Lu和Si的氧化物結(jié)晶為粉末 狀或顆粒狀、并將其形成為膜狀，紫外光產(chǎn)生效率得到顯著提高。即， 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)側(cè)面的紫外光產(chǎn)生用靶，因?yàn)榘l(fā)光層包含為粉末狀 或顆粒狀的、被添加有活化劑的含有Lu和Si的氧化物結(jié)晶，所以能 夠有效果地提高紫外光產(chǎn)生效率。

此外，也可以為如下方式：紫外光產(chǎn)生用靶的氧化物結(jié)晶的表面 被通過熱處理熔融再固化后的結(jié)晶熔融層覆蓋。由此，氧化物結(jié)晶彼 此、以及氧化物結(jié)晶與基板相互熔接，因此能夠不使用粘合劑地獲得 發(fā)光層的充分的機(jī)械強(qiáng)度，且能夠提高發(fā)光層與基板的結(jié)合強(qiáng)度，從 而抑制發(fā)光層的剝離。

此外，也可以為：紫外光產(chǎn)生用靶的氧化物結(jié)晶包含LPS和LSO 中的至少一種。

此外，也可以為：紫外光產(chǎn)生用靶的活化劑為Pr。

此外，也可以為：紫外光產(chǎn)生用靶的基板由藍(lán)寶石、石英或水晶 構(gòu)成。由此，紫外光能夠從基板透射而且，進(jìn)行發(fā)光層的熱處理的情 況下也能夠承受其溫度。

此外，本發(fā)明的一個(gè)側(cè)面的電子束激發(fā)紫外光源包括上述任一紫 外光產(chǎn)生用靶和對(duì)紫外光產(chǎn)生用靶施加電子束的電子源。根據(jù)該電子 束激發(fā)紫外光源，由于具備上述任一紫外光產(chǎn)生用靶，所以能夠提高 紫外光產(chǎn)生效率。

此外，本發(fā)明的一個(gè)側(cè)面的紫外光產(chǎn)生用靶的制造方法通過使為 粉末狀或顆粒狀的、被添加有活化劑的、含有Lu和Si的氧化物結(jié)晶 沉積在使紫外光透射的基板上，并對(duì)氧化物結(jié)晶進(jìn)行熱處理，使結(jié)晶 的表面熔融、再固化而形成結(jié)晶熔融層。根據(jù)該紫外光產(chǎn)生用靶的制 造方法，通過結(jié)晶熔融層，氧化物結(jié)晶彼此、以及氧化物結(jié)晶與基板 相互熔接，因此能夠不使用粘合劑而獲得發(fā)光層的充分的機(jī)械強(qiáng)度， 且能夠提高發(fā)光層與基板的結(jié)合強(qiáng)度并抑制發(fā)光層的剝離。在該制造 方法中，熱處理的溫度也可以為1000℃以上2000℃以下。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)側(cè)面的紫外光產(chǎn)生用靶、電子束激發(fā)紫外光源 和紫外光產(chǎn)生用靶的制造方法，能夠提高紫外光產(chǎn)生效率。

附圖說明

圖1是表示一個(gè)實(shí)施方式的電子束激發(fā)紫外光源的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的示 意圖。

圖2是表示紫外光產(chǎn)生用靶的結(jié)構(gòu)的側(cè)面圖。

圖3是表示對(duì)根據(jù)第一實(shí)施例制作的紫外光產(chǎn)生用靶照射電子束 而獲得的紫外光的光譜的圖表。

圖4是表示在表面蒸鍍鋁膜后的Pr：LuAG單晶基板的圖。

圖5是表示利用粘合劑形成的發(fā)光層的發(fā)光強(qiáng)度和通過熱處理形 成的發(fā)光層的發(fā)光強(qiáng)度的經(jīng)時(shí)變化的圖表。

圖6是拍攝的發(fā)光層的Pr：LPS結(jié)晶顆粒的狀態(tài)的電子顯微鏡 (SEM)照片。

圖7是拍攝的發(fā)光層的Pr：LPS結(jié)晶顆粒的狀態(tài)的電子顯微鏡 (SEM)照片。

圖8是拍攝的發(fā)光層的Pr：LPS結(jié)晶顆粒的狀態(tài)的電子顯微鏡 (SEM)照片。

圖9是拍攝的發(fā)光層的Pr：LPS結(jié)晶顆粒的狀態(tài)的電子顯微鏡 (SEM)照片。

圖10是拍攝的剝下發(fā)光層后的藍(lán)寶石基板的表面的SEM照片。

圖11是拍攝的剝下發(fā)光層后的藍(lán)寶石基板的表面的SEM照片。

圖12是表示對(duì)設(shè)定相對(duì)于發(fā)光層的各種各樣的熱處理?xiàng)l件而制作 的紫外光產(chǎn)生用靶照射電子束而獲得的紫外光的光譜的圖表。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的一個(gè)側(cè)面的紫外光產(chǎn)生用靶、電子束 激發(fā)紫外光源和紫外光產(chǎn)生用靶的制造方法的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說 明。另外，在圖面的說明中，對(duì)同一要素標(biāo)注同一附圖標(biāo)記，省略重 復(fù)的說明。

圖1是表示本實(shí)施方式的電子束激發(fā)紫外光源10的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的示 意圖。如圖1所示，在該電子束激發(fā)紫外光源10，在被排氣成真空的 玻璃容器(電子管)11的內(nèi)部的上端側(cè)配置有電子源12和引出電極 13。而且，當(dāng)從電源部16對(duì)電子源12與引出電極13之間施加適當(dāng)?shù)? 引出電壓時(shí)，由于高電壓而加速的電子束EB從電子源12射出。在電 子源12，例如能夠使用射出大面積的電子束的電子源(例如碳納米管 等的冷陰極或熱陰極)。

此外，在容器11的內(nèi)部的下端側(cè)配置有紫外光產(chǎn)生用靶20。紫外 光產(chǎn)生用靶10例如設(shè)定為接地電位，從電源部16對(duì)電子源12施加負(fù) 的高電壓。由此，從電子源12射出的電子束EB照射在紫外光產(chǎn)生用 靶20。紫外光產(chǎn)生用靶20接受該電子束EB而被激發(fā)，產(chǎn)生紫外光 UV。

圖2是表示紫外光產(chǎn)生用靶20的結(jié)構(gòu)的側(cè)面圖。如圖2所示，紫 外光產(chǎn)生用靶20具備基板21、設(shè)置在基板21上的發(fā)光層22、設(shè)置在 發(fā)光層22上的鋁膜23?；?1是由透射紫外光的材料構(gòu)成的板狀的 部件，在一個(gè)例子中，由藍(lán)寶石(Al₂O₃)、石英(SiO₂)或水晶(氧化 硅的結(jié)晶，rock?crystal)構(gòu)成?；?1具有主面21a和背面21b?；? 板21的優(yōu)選厚度為0.1mm以上10mm以下。

發(fā)光層22接受圖1所示的電子束EB而被激發(fā)，產(chǎn)生紫外光UV。 發(fā)光層22包括為粉末狀或顆粒狀的、且被添加有活化劑的、并含有Lu 和Si的氧化物結(jié)晶。作為該氧化物結(jié)晶，例如優(yōu)選為添加有作為活化 劑的稀土類元素(在一個(gè)實(shí)施例中為Pr)的Lu₂Si₂O₇(LPS)或Lu₂SiO₅(LSO)。由后述的實(shí)施例可知，在本實(shí)施方式的發(fā)光層22，上述氧化 物結(jié)晶的表面被通過熱處理熔融再固化后的結(jié)晶熔融層覆蓋。另外， 發(fā)光層22中所含的上述氧化物結(jié)晶既可以為單晶或多晶中的任一種， 也可以混合有雙方。此外，也可以混合有不同種類的上述氧化物結(jié)晶 (LPS和LSO)。

對(duì)通過本實(shí)施方式獲得的效果進(jìn)行說明。歷來，在使用Pr：LPS 結(jié)晶或Pr：LSO結(jié)晶等的、含有Lu和Si的氧化物結(jié)晶作為電子束激 發(fā)紫外光源用的靶的情況下，在多晶板的狀態(tài)，由于紫外光的透射率 過小且成本高而不實(shí)用。對(duì)此，從后述的各實(shí)施例能夠了解的那樣， 發(fā)現(xiàn)通過使添加有活化劑的含有Lu和Si的氧化物結(jié)晶(在一個(gè)例子 中為Pr：LPS或Pr：LSO)成為粉末狀或顆粒狀，并將其形成為膜狀， 與使用板狀的上述氧化物結(jié)晶的情況相比能夠顯著提高紫外光產(chǎn)生效 率。此外，材料的使用量較少就行，因此還能夠?qū)崿F(xiàn)低成本化。因此， 能夠提供能夠作為在殺菌和分析的用途中有用的260nm區(qū)域的波段的 高輸出·高穩(wěn)定的紫外光源、而且作為大面積的紫外光源加以利用的 紫外光產(chǎn)生用靶。另外，這樣的作用被認(rèn)為是起因于通過使添加有活 化劑的含有Lu和Si的氧化物結(jié)晶為粉末狀或顆粒狀、該氧化物結(jié)晶 與電子束的反應(yīng)面積增大和光取出效率增大。

此外，優(yōu)選如本實(shí)施方式那樣，上述氧化物結(jié)晶的表面被通過熱 處理熔融再固化后的結(jié)晶熔融層覆蓋。由此，如從后述的實(shí)施例能夠 明白的那樣，氧化物結(jié)晶彼此、以及氧化物結(jié)晶與基板21相互熔接， 因此能夠不使用粘合劑而獲得發(fā)光層22的充分的機(jī)械強(qiáng)度，且能夠提 高發(fā)光層22與基板21的結(jié)合強(qiáng)度，抑制發(fā)光層22的剝離。

此外，本實(shí)施方式的發(fā)光層22能夠通過將粉末狀或顆粒狀的氧化 物結(jié)晶沉積在基板21上等方法形成，因此能夠容易地制作具有大的面 積的紫外光產(chǎn)生用靶20。

此外，優(yōu)選如本實(shí)施方式那樣，發(fā)光層22由藍(lán)寶石、石英或水晶 構(gòu)成。由此，紫外光能夠從基板21透射而且在進(jìn)行發(fā)光層22的熱處 理的情況下，基板21能夠承受其溫度。

(第一實(shí)施例)

接著，對(duì)上述實(shí)施方式的第一實(shí)施例進(jìn)行說明。在本實(shí)施例中， 首先，準(zhǔn)備直徑12mm、厚度2mm的藍(lán)寶石基板。接著，準(zhǔn)備Pr：LPS 多晶基板，通過使用研缽將該多晶基板粉碎，由此使Pr：LPS多晶成 為粉末狀或顆粒狀。接著，利用沉淀法將粉末狀或顆粒狀的Pr：LPS 多晶沉積在藍(lán)寶石基板上，由此形成發(fā)光層。之后，在這些發(fā)光層上 形成有機(jī)膜(硝化纖維)，在該有機(jī)膜上蒸鍍鋁膜。最后，通過對(duì)這些 發(fā)光層進(jìn)行燒成而使有機(jī)膜分解氣化，形成鋁膜與發(fā)光層相接的結(jié)構(gòu)。 燒成后的發(fā)光層的厚度為10μm。

圖3的圖表G11是表示對(duì)根據(jù)本實(shí)施例制作的紫外光產(chǎn)生用靶照 射電子束而獲得的紫外光的光譜的圖表。此外，在圖3中，為了進(jìn)行 比較而一并表示圖表G12。圖表G12是對(duì)如圖4所示那樣在表面蒸鍍 有鋁膜101的Pr：LPS多晶基板102照射電子束而獲得的紫外光的光 譜。在這些圖表G11和G12中，令電子束的加速電壓為10kV，令電 子束的強(qiáng)度(電流量)為200μA，令電子束的直徑為5mm。從圖3可 知，在包含粉末狀或顆粒狀的Pr：LPS多晶的本實(shí)施方式的發(fā)光層， 與Pr：LPS多晶基板相比較，通過電子束的照射產(chǎn)生的紫外光的峰值 強(qiáng)度格外變大(即，發(fā)光效率格外提高)。另外，圖3中Pr：LPS多晶 基板的發(fā)光強(qiáng)度遍及整個(gè)波長區(qū)域幾乎為零，這是因?yàn)榘l(fā)光層變白濁 而紫外光不透射。由于Pr：LPS多晶基板的結(jié)晶結(jié)構(gòu)為單斜晶類，因 此透射紫外光的多晶基板的制作困難。

另外，關(guān)于如上述那樣將多晶形成為粉末狀或顆粒狀的效果在具 有與Pr：LPS多晶類似的組成的添加有活化劑的含有Lu和Si的氧化 物結(jié)晶、例如Pr：LSO多晶中也同樣能夠獲得，此外，并不限定于多 晶，認(rèn)為在單晶的情況下也能夠獲得同樣效果。

(第二實(shí)施例)

接著，對(duì)上述實(shí)施方式的第二實(shí)施例進(jìn)行說明。在本實(shí)施例中， 對(duì)利用粘合劑的發(fā)光層的形成和不利用粘合劑而利用熱處理實(shí)現(xiàn)的發(fā) 光層的形成進(jìn)行說明。

<利用粘合劑的發(fā)光層的形成>

首先，準(zhǔn)備直徑12mm、厚度2mm的藍(lán)寶石基板。接著，準(zhǔn)備Pr： LPS多晶基板，通過使用研缽將該P(yáng)r：LSO多晶基板粉碎，由此制作 粉末狀或顆粒狀的Pr：LPS多晶。

之后，將粉末狀或顆粒狀的Pr：LPS多晶、純水以及作為粘合劑 材料的硅酸鉀(K₂SiO₃)水溶液和醋酸鋇水溶液混合，將該混合液涂 敷在藍(lán)寶石基板上，利用沉淀法使Pr：LPS多晶和粘合劑材料沉積在 藍(lán)寶石基板上，形成發(fā)光層。接著，在發(fā)光層上形成有機(jī)膜(硝化纖 維)，在該有機(jī)膜上利用真空蒸鍍形成鋁膜。最后，通過在大氣中、在 350℃對(duì)發(fā)光層進(jìn)行燒成而使有機(jī)膜分解氣化，形成鋁膜與發(fā)光層相接 的結(jié)構(gòu)。

<利用熱處理的發(fā)光層的形成>

首先，準(zhǔn)備直徑12mm、厚度2mm的藍(lán)寶石基板。接著，準(zhǔn)備Pr： LPS多晶基板，通過使用研缽將該多晶基板粉碎而制作粉末狀或顆粒 狀的Pr：LPS多晶。

接著，將粉末狀或顆粒狀的Pr：LSO多晶和溶劑(乙醇)混合， 將該混合液涂敷在藍(lán)寶石基板上后使溶劑干燥。這樣使Pr：LPS多晶 沉積在藍(lán)寶石基板上，形成發(fā)光層。接著，在減壓的氣氛中進(jìn)行該發(fā) 光層的熱處理。該熱處理因?yàn)槿缦略蚨M(jìn)行：通過使粉末狀或顆粒 狀的Pr：LSO多晶的表面熔融，而成為結(jié)晶顆粒彼此、以及結(jié)晶顆粒 與藍(lán)寶石基板的表面相互熔接的結(jié)構(gòu)，由此增強(qiáng)發(fā)光層的附著力。之 后，在發(fā)光層上形成有機(jī)膜(硝化纖維)，在該有機(jī)膜上利用真空蒸鍍 形成鋁膜。最后，通過在大氣中、在350℃對(duì)發(fā)光層進(jìn)行燒成而使有機(jī) 膜分解氣化，形成鋁膜與發(fā)光層相接的結(jié)構(gòu)。

圖5是表示利用粘合劑形成的發(fā)光層的發(fā)光強(qiáng)度和利用熱處理形 成的發(fā)光層的發(fā)光強(qiáng)度的經(jīng)時(shí)變化的圖表。在圖5，縱軸表示歸一化的 發(fā)光強(qiáng)度(初始值為1.0)，橫軸按對(duì)數(shù)刻度表示電子束照射時(shí)間(單 位：小時(shí))。此外，圖表G21表示利用粘合劑形成的發(fā)光層的圖表，圖 表G22表示利用熱處理(1000℃，2小時(shí))形成的發(fā)光層的圖表。另 外，在圖表G21和G22，令電子束的加速電壓為10kV，令電子束的強(qiáng) 度(電流量)為20μA。

如圖5所示，在不利用粘合劑而利用熱處理形成發(fā)光層的情況下 (圖表G22)，與利用粘合劑的情況(圖表G221)相比發(fā)光強(qiáng)度的經(jīng) 時(shí)變化(發(fā)光強(qiáng)度降低)變小。具體而言，10小時(shí)后的光輸出維持率 (10小時(shí)后的光輸出強(qiáng)度相對(duì)于剛開始的光輸出強(qiáng)度的比例)在被進(jìn) 行熱處理的發(fā)光層為91.1％，與此相對(duì)，在利用粘合劑的發(fā)光層為 79.4％。這被認(rèn)為是因?yàn)橐韵碌睦碛?。即，在利用粘合劑形成發(fā)光層的 情況下，在完成的發(fā)光層中，不僅含有Pr：LPS結(jié)晶而且含有粘合劑 材料。如果對(duì)該發(fā)光層照射強(qiáng)的能量的電子束則引起溫度的上升和X 線的產(chǎn)生，由于高溫和X線的影響而引起粘合劑材料的改性和分解。 認(rèn)為因?yàn)楦街诮Y(jié)晶表面的改性后的粘合劑材料吸收來自結(jié)晶的紫外 光，所以被發(fā)射至外部的光量降低。

與此相對(duì)，認(rèn)為：在利用熱處理形成發(fā)光層的情況下，由于在發(fā) 光層不含有粘合劑材料，所以不引起粘合劑材料的改性和分解，紫外 光的透射率被維持比較長的時(shí)間。因此，優(yōu)選利用熱處理形成發(fā)光層。

此處，圖6～圖9是拍攝的發(fā)光層的Pr：LPS多晶顆粒的狀態(tài)的電 子顯微鏡(SEM)照片。在這些圖中，(a)表示熱處理前的狀態(tài)，(b) 表示與(a)同一處的熱處理(1500℃，2小時(shí))后的狀態(tài)。

參照?qǐng)D6～圖9可知，在熱處理后的Pr：LPS多晶顆粒，與熱處理 前相比較，表面熔融、再固化。換言之，在熱處理后的發(fā)光層，由于 熱處理而熔融、再固化而形成的結(jié)晶熔融層覆蓋Pr：LPS多晶顆粒的 表面。而且，相鄰的Pr：LPS多晶顆粒的結(jié)晶熔融層彼此相互熔接， 由此，Pr：LPS多晶顆粒彼此相互牢固地結(jié)合，因此能夠不使用上述的 粘合劑地增強(qiáng)發(fā)光層的機(jī)械強(qiáng)度。

此外，上述的結(jié)晶熔融層對(duì)Pr：LPS多晶顆粒與基板的結(jié)合也有 幫助。此處，圖10和圖11是拍攝的剝下發(fā)光層后的藍(lán)寶石基板的表 面的電子顯微鏡(SEM)照片。在這些圖中，(a)表示將利用熱處理 形成的發(fā)光層剝下后的情況，(b)表示將利用粘合劑形成的(未進(jìn)行 熱處理的)發(fā)光層剝下的情況。另外，在本實(shí)施例中，通過使用BEMCOT (注冊(cè)商標(biāo))強(qiáng)力擦拭發(fā)光層而將發(fā)光層除去。

參照?qǐng)D10(a)和圖11(a)可知，在剝下利用熱處理形成的發(fā)光 層的情況下，不能將Pr：LPS多晶完全地除去，在藍(lán)寶石基板的表面 殘留有Pr：LPS多晶的結(jié)晶熔融層。另一方面，參照?qǐng)D10(b)和圖 11(b)可知，在剝下利用粘合劑形成的(未進(jìn)行熱處理的)發(fā)光層的 情況下，能夠完全地除去Pr：LPS多晶，僅映現(xiàn)藍(lán)寶石基板的表面。 根據(jù)這些SEM照片，認(rèn)為在利用熱處理形成的發(fā)光層中，由于結(jié)晶熔 融層與基板表面熔接，Pr：LPS多晶顆粒與基板更牢固地結(jié)合，能夠抑 制發(fā)光層的剝離。

另外，關(guān)于對(duì)上述那樣的粉末狀或顆粒狀的多晶進(jìn)行熱處理的效 果，在具有與Pr：LPS多晶類似的組成的添加有活化劑的含有Lu和 Si的氧化物結(jié)晶、例如Pr：LSO多晶也同樣能夠獲得，此外，并不限 定于多晶，認(rèn)為在單晶的情況下也能夠獲得同樣的效果。

此外，在本實(shí)施例中令對(duì)發(fā)光層的熱處理的溫度為1500℃，但熱 處理的溫度優(yōu)選為1000℃以上且優(yōu)選為2000℃以下。通過使得熱處理 的溫度為1000℃以上，能夠?qū)⒔Y(jié)晶顆粒表面的結(jié)晶熔融層形成成足夠 的厚度，提高結(jié)晶顆粒彼此、以及結(jié)晶顆粒與基板的附著力，有效地 防止電子束照射時(shí)的發(fā)光層的剝離。此外，通過使得熱處理的溫度為 2000℃以下，能夠抑制結(jié)晶結(jié)構(gòu)的變化，防止發(fā)光效率的降低。此外， 能夠防止基板(特別是藍(lán)寶石基板)的變形。

圖12所示的圖表G31～G34是表示對(duì)如以下那樣設(shè)定對(duì)發(fā)光層的 熱處理的條件而制作的紫外光產(chǎn)生用靶照射電子束而獲得的紫外光的 光譜的圖表。

圖表G31：真空中，1000℃，2小時(shí)

圖表G32：真空中，1400℃，2小時(shí)

圖表G33：真空中，1500℃，2小時(shí)

圖表G34：真空中，1400℃，2小時(shí)

此外，在圖12，為了進(jìn)行比較而一并表示圖表G35。圖表G35是 表示對(duì)具有利用粘合劑形成的發(fā)光層的紫外光產(chǎn)生用靶照射電子束而 獲得的紫外光的光譜的圖表。在這些圖表G31～G35，令電子束的加速 電壓為10kV，令電子束的強(qiáng)度(電流量)為200μA，令電子束的直徑 為5mm。在圖12，縱軸表示以紫外光的峰值強(qiáng)度為1.0而歸一化后的 發(fā)光強(qiáng)度，橫軸表示波長(單位：nm)。參照?qǐng)D12可知，紫外光的峰 值波長根據(jù)熱處理時(shí)的溫度和氣氛發(fā)生變化。

即，在存在粘合劑(不進(jìn)行熱處理)的情況下，發(fā)光光譜不能僅 在一個(gè)種類變化，在不存在粘合劑(存在熱處理)的情況下，能夠通 過改變熱處理時(shí)的氣氛·溫度而使產(chǎn)生波長發(fā)生變化。即，能夠通過 改變熱處理?xiàng)l件選擇適合于用途的最佳的波長。

本發(fā)明的一個(gè)側(cè)面的紫外光產(chǎn)生用靶、電子束激發(fā)紫外光源和紫 外光產(chǎn)生用靶的制造方法并不限定于上述的實(shí)施方式，能夠進(jìn)行其它 各種變形。例如，在上述實(shí)施方式和各實(shí)施例中在發(fā)光層上蒸鍍有鋁 膜，但在上述實(shí)施方式和各實(shí)施例中也可以省略鋁膜。另外，鋁膜作 為防止帶電的導(dǎo)電膜發(fā)揮作用，也可以為鋁以外的導(dǎo)電膜。

工業(yè)上的可利用性

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)側(cè)面的紫外光產(chǎn)生用靶、電子束激發(fā)紫外光源 和紫外光產(chǎn)生用靶的制造方法，能夠提高紫外光產(chǎn)生效率。

符號(hào)的說明

10???電子束激發(fā)紫外光源

11???容器

12???電子源

13???引出電極

16???電源部

20???紫外光產(chǎn)生用靶

21???基板

21a??主面

21b??背面

22???發(fā)光層

23???鋁膜

EB???電子束

UV???紫外光