摘要： 采用高溫固相法合成具有層狀結(jié)構(gòu)的KMnAgSe_(2),并首次將其作為阻變層材料制備成結(jié)構(gòu)為Au/KMnAgSe_(2)/Ag的阻變器件。通過一系列電學測試研究了該夾層結(jié)構(gòu)器件的阻變性能,研究表明Au/KMnAgSe_(2)/Ag器件具有明顯的雙極性阻變特性,并表現(xiàn)出較優(yōu)的穩(wěn)定性和非易失性。在經(jīng)歷連續(xù)200次的循環(huán)測試或103s的時間后電阻開關(guān)比仍舊保持在10以上。本實驗研究結(jié)果為KMnAgSe_(2)應用到阻變存儲器件中提供了材料基礎(chǔ)和理論指導,將有望成為一種極具潛力的新型非易失性存儲器。

摘要： 在傳統(tǒng)可重構(gòu)場效應晶體管基礎(chǔ)上進行改進,提出一種非易失性浮動可編程柵極可重構(gòu)場效應晶體管。設(shè)計引入非易失性電荷存儲層作為浮動程序門,通過給浮動程序門加入一定的電荷,進一步促進正向?qū)ú⑼瑫r減小反向漏電流,在正常情況下只需要一個獨立供電的控制門即可完成可重構(gòu)要求。通過對比實驗,分析電荷數(shù)量對轉(zhuǎn)移特性的影響,獲得正常工作下最理想電荷量。與傳統(tǒng)器件相比,新設(shè)計實現(xiàn)了較低的亞閾值擺幅,在減小反向漏電時不會影響正向電流的大小,在實際應用中具有一定優(yōu)勢。

摘要： 針對火炮膛內(nèi)火藥燃氣溫度測試的特殊環(huán)境,設(shè)計一種適用于膛內(nèi)高溫、高壓、高沖擊環(huán)境的放入式膛內(nèi)瞬態(tài)溫度測試系統(tǒng)?？紤]到惡劣的測試環(huán)境,該測試系統(tǒng)采用接觸式測溫技術(shù),使用Nanmac-E12快速響應型熱電偶對火炮膛內(nèi)的火藥燃氣溫度進行測量。在硬件設(shè)計上,該測試系統(tǒng)使用了嵌入鐵電存儲(FRAM)技術(shù)的主控芯片,利用鐵電存儲技術(shù)擁有近乎無限擦寫周期的特點,將FRAM與循環(huán)存儲的方式相結(jié)合,使得該測試系統(tǒng)在擁有非易失性的基礎(chǔ)上,能夠運用循環(huán)存儲的方式將有效數(shù)據(jù)存儲到內(nèi)置的鐵電存儲器中,此設(shè)計方式相較于使用FLASH存儲器可以提高測試系統(tǒng)在惡劣環(huán)境下有效數(shù)據(jù)的捕獲率。系統(tǒng)測試與相關(guān)模擬試驗表明,該測試系統(tǒng)能以100 kHz的采樣頻率采集數(shù)據(jù),具有體積小、穩(wěn)定性好、功耗低等特點,適用于火炮膛內(nèi)火藥燃氣溫度的測試。

摘要： Flash型FPGA配置芯片相較于反熔絲配置芯片和可擦除可編程只讀存儲器(EPROM)型配置芯片,具有非易失性、功耗低、安全性高、可多次編程等更優(yōu)異的特點。設(shè)計了一款具備存儲器內(nèi)建自測試(MBIST)功能的Flash型FPGA配置芯片,在March C-的基礎(chǔ)上,提出了一種更全面的測試算法,該算法可以有效提高測試故障覆蓋率,并且自身會對測試結(jié)果的正確性進行判斷,從而快速有效地對Flash功能的正確性進行檢驗。由于Flash具有非易失性、集成度高等特點,且設(shè)計具備MBIST功能,該配置芯片可以滿足復雜場景及廣泛的應用需求。

摘要： 憶阻器由于其非易失性、低功耗、擦寫速度快等優(yōu)點,在存儲器、邏輯器件和計算等領(lǐng)域具有廣闊的應用前景.另一方面,二維材料由于二維層狀的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的電學性能被廣泛應用于憶阻器.其中,硒化鎵是Ⅲ-Ⅵ主族的層狀半導體材料,具有高載流子遷移率、非線性光學特性和優(yōu)異的光響應等特性,為研究新型電子器件提供了可能性.本文通過機械剝離法獲得二維層狀硒化鎵納米薄片,并以Cu作電極制備了具有平面結(jié)構(gòu)基于二維硒化鎵的兩端阻變存儲器件,實現(xiàn)了高達104的開關(guān)比.保留特性曲線表明器件可以在6600 s的時間范圍內(nèi)保持高的開關(guān)比.此外,隨著測試時間的推移,器件的開關(guān)比有增大的趨勢,顯示了良好的穩(wěn)定性.該研究為二維硒化鎵在非易失性儲存器件的進一步應用提供了前期基礎(chǔ).

摘要： 近日,英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)旗下的Infineon Technologies LLC宣布推出第二代非易失性靜態(tài)RAM(nvSRAM)。新一代器件已通過QML-Q和高可靠性工業(yè)規(guī)格的認證,支持苛刻環(huán)境下的非易失性代碼存儲和數(shù)據(jù)記錄應用,包括航天和工業(yè)應用。

摘要： 在大規(guī)模、數(shù)據(jù)量密集的特定應用場景下,以行存儲訪問數(shù)據(jù)的方式弊端日益凸顯,逐漸不能滿足數(shù)據(jù)高速訪問的性能需求,數(shù)據(jù)亟需更加高效的傳輸和處理方式.因此,拓展新的內(nèi)存訪問方式,并且同時兼容行、列方向的訪問對提升訪問效率、降低整體功耗、節(jié)省內(nèi)存空間有著重要意義.本文圍繞動態(tài)隨機存儲和非易失性存儲兩個方面來詳細介紹實現(xiàn)列方向的內(nèi)存訪問方式,重點分析了存儲單元的結(jié)構(gòu)設(shè)計以及實現(xiàn)列向存儲訪問過程.最后,對內(nèi)存兩種不同訪問方式進行了比較和總結(jié),并且對行列訪問的內(nèi)存數(shù)據(jù)庫、數(shù)據(jù)挖掘、數(shù)據(jù)加密算法、實時系統(tǒng)的應用場景進行了展望.

摘要： 中國科學院金屬研究所沈陽材料科學國家研究中心馬秀良研究團隊,在鐵電材料中發(fā)現(xiàn)半子(meron,也稱為"麥紉")拓撲疇以及周期性半子晶格。成果以"應變氧化物鐵電體中的極化半子晶格"為題,于2020年6月1日在線發(fā)表于Nature Materials上。拓撲疇結(jié)構(gòu)具有拓撲保護性,可使數(shù)據(jù)得以長時間保存,在非易失性信息存儲方面具有重要應用價值。

摘要： 本文通過分析對比各種傳統(tǒng)非易失性存儲介質(zhì)的關(guān)鍵特性與性能優(yōu)劣,介紹了新型非易失性存儲介質(zhì)MRAM的特點及其在抗惡劣環(huán)境系統(tǒng)中的應用方法和在產(chǎn)品中技術(shù)驗證情況,最后對該項技術(shù)的實現(xiàn)和應用前景進行了展望.

摘要： 目前計算機采用層次化的存儲架構(gòu)。越接近CPU所需的存儲速度越快，而目前存儲器由于自身局限，速度無法趕上邏輯器件的運行速度。為了提高基本器件的性能，集成架構(gòu)需要由平面走向三維，系統(tǒng)架構(gòu)也需要進行一定改變。鎂光提出的3DXPoint技術(shù)，第一次摒棄三端器件，采用兩端器件作為存儲單元新技術(shù)的出現(xiàn)就有新的機會，意味著更大的研究空間，但選擇管仍為技術(shù)上需要解決的關(guān)鍵。另一方面，除了在存儲器方面的應用，阻變存儲器也開始在非易失性邏輯領(lǐng)域嶄露頭角，特別是在神經(jīng)技術(shù)方面得到了廣泛的重視。

摘要： 廣泛應用于嵌入式系統(tǒng)的閃存具有非易失性、低功耗和抗輻射等特點,但是在擦除后寫入更新和擦寫次數(shù)上限等方面具有局限性,經(jīng)常需要通過閃存映射層進行存儲管理,利用損耗均衡機制將擦寫操作分布到閃存塊,以延長閃存使用壽命。在已有閃存損耗均衡算法基礎(chǔ)上,針對其占用較多內(nèi)存的問題,研究并實現(xiàn)了閃存損耗均衡的內(nèi)存優(yōu)化。主要利用冷數(shù)據(jù)識別機制,結(jié)合動態(tài)損耗均衡和靜態(tài)損耗均衡,在確保相近損耗均衡效果的同時,實現(xiàn)損耗均衡占用內(nèi)存空間的優(yōu)化。rn 最后通過實驗和分析,說明了損耗均衡占用內(nèi)存空間的優(yōu)化效果。

摘要： DRAM介質(zhì)易失性、存儲密度低、功耗高、成本高，使基于DRAM的內(nèi)存計算模式面臨挑戰(zhàn)，興起了非易失的存儲技術(shù)。

摘要： DRAM介質(zhì)易失性、存儲密度低、功耗高、成本高，使基于DRAM的內(nèi)存計算模式面臨挑戰(zhàn)，興起了非易失的存儲技術(shù)。

摘要： DRAM介質(zhì)易失性、存儲密度低、功耗高、成本高，使基于DRAM的內(nèi)存計算模式面臨挑戰(zhàn)，興起了非易失的存儲技術(shù)。

摘要： DRAM介質(zhì)易失性、存儲密度低、功耗高、成本高，使基于DRAM的內(nèi)存計算模式面臨挑戰(zhàn)，興起了非易失的存儲技術(shù)。

摘要： 非易失性存儲元件（20）具備：第1電極（105）；第2電極（107）；電阻變化層（106），介于第1電極（105）與第2電極（107）之間，將與第1電極（105）連接的第1電阻變化層（1061）和與第2電極（107）連接的第2電阻變化層（1062）層疊而構(gòu)成；以及側(cè)壁保護層（108），具有氧阻擋性，將上述電阻變化層（106）的側(cè)面覆蓋；第1電阻變化層（1061）由第1金屬氧化物（106a）和形成在第1金屬氧化物的周圍且氧不足度比第1金屬氧化物（106a）小的第3金屬氧化物（106c）構(gòu)成，第2電阻變化層（1062）由氧不足度比第1金屬氧化物（106a）小的第2金屬氧化物（106b）構(gòu)成。

摘要： 本發(fā)明的非易失性存儲元件包括：第一電極(103)；第二電極(105)；和電阻變化層(104)，其位于第一電極(103)與第二電極(105)之間，電阻值根據(jù)施加在兩個電極(103、105)之間的電信號可逆地變化，該電阻變化層(104)由含有第一鉭氧化物的第一鉭氧化物層(107)和含有含氧率與第一鉭氧化物不同的第二鉭氧化物的第二鉭氧化物層(108)層疊構(gòu)成，并且當將第一鉭氧化物表示為TaOx時滿足0＜x＜2.5，當將第二鉭氧化物表示為TaOy時滿足x＜y≤2.5，第二電極(105)與第二鉭氧化物層(108)接觸，并且第二電極(105)由鉑和鉭構(gòu)成。

摘要： 本發(fā)明提供一種非易失性存儲元件，其中，在電脈沖的電壓值具有V2＞V1＞0V＞V3＞V4的關(guān)系、電阻變化層的電阻值具有R3＞R2＞R4＞R1的關(guān)系的情況下，在對電極間外加電壓值為V2以上的電脈沖時，電阻變化層為R2，在對電極間外加電壓值為V4以下的電脈沖時，電阻變化層為R4，當電阻變化層的電阻值為R2時，在對電極間外加電壓值為V3的電脈沖時，電阻變化層為R3，當電阻變化層的電阻值為R4時，在對電極間外加電壓值為V1的電脈沖時，電阻變化層為R1。

摘要： 工藝較簡單、能夠制造具有穩(wěn)定的存儲性能的非易失性存儲裝置的制造方法包括：在基板（11）上交替地層疊含有過渡金屬的多個導電層（13）和由絕緣材料構(gòu)成的多個層間絕緣膜（17）而形成層疊構(gòu)造體的工序；形成將上述層疊構(gòu)造體貫通且使導電層（13）的一部分露出的接觸孔的工序；將導電層（13）的露出在上述接觸孔中的部分氧化、形成電阻值基于施加的電信號可逆地變化的電阻變化層（14）的工序；以及在上述接觸孔中埋入導電材料、在上述接觸孔中形成與電阻變化層（14）連接的柱狀電極（12）的工序。

摘要： 本發(fā)明的非易失性存儲元件，包括夾在下部電極(105)和上部電極(107)之間并且基于對兩個電極間所賦予的電信號來可逆地改變電阻值的電阻變化層(116)。電阻變化層(116)由第1電阻變化層(1161)和第2電阻變化層(1162)的至少2層構(gòu)成，第1電阻變化層(1161)由第1過渡金屬氧化物(116b)構(gòu)成，第2電阻變化層(1162)由第2過渡金屬氧化物(116a)和過渡金屬化合物(116c)構(gòu)成，第2過渡金屬氧化物(116a)的氧含有率比第1過渡金屬氧化物(116b)的氧含有率低，過渡金屬化合物含有氧和氮或者氧和氟，第2過渡金屬氧化物(116a)和過渡金屬化合物(116c)與第1電阻變化層(1161)相接。

摘要： 本發(fā)明公開了一種非易失性半導體存儲器晶體管、非易失性半導體存儲器及非易失性半導體存儲器的制造方法，可增大浮置柵極與控制柵極間的電容，并且可降低控制柵極與島狀半導體間的寄生電容。構(gòu)成非易失性半導體存儲器的非易失性半導體存儲器晶體管具備：島狀半導體(301)，從襯底側(cè)依序形成有源極區(qū)域(303)、溝道區(qū)域(304)及漏極區(qū)域(302)；中空柱狀的浮置柵極(306)，以包圍溝道區(qū)域外周的方式，使溝道絕緣膜(305)介設(shè)于其間而配置；及中空柱狀的控制柵極(308)，以包圍該浮置柵極外周的方式，使多晶硅層間絕緣膜(307)介設(shè)于其間而配置；在浮置柵極、與控制柵極的上面、下面及內(nèi)側(cè)面之間，介設(shè)配置有多晶硅層間絕緣膜。

摘要： 本發(fā)明的非易失性閂鎖電路（100）為：交叉耦合連接的反演電路（20）和反演電路（21）的輸出彼此通過依次連接晶體管（6）、電阻變化元件（1）及晶體管（7）而成的串聯(lián)電路連接，通過向晶體管（6）及（7）的控制端子施加電壓，控制閂鎖狀態(tài)的存儲動作以及恢復動作，將對電阻變化元件（1）的兩端電位被相加而得到的量進行放大并反轉(zhuǎn)后的電位返回至反演電路（20）或（21）的輸入，由此恢復為能夠執(zhí)行電阻變化元件（1）的形成工序的邏輯狀態(tài)。

摘要： 非易失性存儲元件（20）具備：第1電極（105）；第2電極（107）；電阻變化層（106），介于第1電極（105）與第2電極（107）之間，將與第1電極（105）連接的第1電阻變化層（1061）和與第2電極（107）連接的第2電阻變化層（1062）層疊而構(gòu)成；以及側(cè)壁保護層（108），具有氧阻擋性，將上述電阻變化層（106）的側(cè)面覆蓋；第1電阻變化層（1061）由第1金屬氧化物（106a）和形成在第1金屬氧化物的周圍且氧不足度比第1金屬氧化物（106a）小的第3金屬氧化物（106c）構(gòu)成，第2電阻變化層（1062）由氧不足度比第1金屬氧化物（106a）小的第2金屬氧化物（106b）構(gòu)成。

摘要： 本發(fā)明的非易失性存儲元件包括：第一電極(103)；第二電極(105)；和電阻變化層(104)，其位于第一電極(103)與第二電極(105)之間，電阻值根據(jù)施加在兩個電極(103、105)之間的電信號可逆地變化，該電阻變化層(104)由含有第一鉭氧化物的第一鉭氧化物層(107)和含有含氧率與第一鉭氧化物不同的第二鉭氧化物的第二鉭氧化物層(108)層疊構(gòu)成，并且當將第一鉭氧化物表示為TaOx時滿足0＜x＜2.5，當將第二鉭氧化物表示為TaOy時滿足x＜y≤2.5，第二電極(105)與第二鉭氧化物層(108)接觸，并且第二電極(105)由鉑和鉭構(gòu)成。

摘要： 工藝較簡單、能夠制造具有穩(wěn)定的存儲性能的非易失性存儲裝置的制造方法包括：在基板（11）上交替地層疊含有過渡金屬的多個導電層（13）和由絕緣材料構(gòu)成的多個層間絕緣膜（17）而形成層疊構(gòu)造體的工序；形成將上述層疊構(gòu)造體貫通且使導電層（13）的一部分露出的接觸孔的工序；將導電層（13）的露出在上述接觸孔中的部分氧化、形成電阻值基于施加的電信號可逆地變化的電阻變化層（14）的工序；以及在上述接觸孔中埋入導電材料、在上述接觸孔中形成與電阻變化層（14）連接的柱狀電極（12）的工序。