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A Pinned Photodiode Analytic Model Enabling Opto-Electronic Circuit Simulation

機(jī)譯：啟用光電電路仿真的固定光電二極管解析模型

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摘要

An analytical model with bounded boundary conditions for CMOS Image Sensor (CIS) in a vertical pinned photodiode (PPD) is presented in this paper. According to the comparison with the numerical simulation and measured data, this model has been proved to be valid for fast simulation of optoelectronic integrated circuit (OEIC). Furthermore, it has been implemented into Hspice, to capture the specific characteristics of sensor applications with PPDs. This PPD model including concise mathematical formulation of carrier transport mechanism is useful in developing generic compact models which includes the advanced physical effects.
機(jī)譯：本文提出了一種在垂直固定光電二極管（PPD）中具有CMOS圖像傳感器（CIS）邊界條件的解析模型。通過與數(shù)值模擬和實(shí)測數(shù)據(jù)的比較，證明該模型對光電集成電路（OEIC）的快速仿真是有效的。此外，它已在Hspice中實(shí)現(xiàn)，以捕獲具有PPD的傳感器應(yīng)用程序的特定特性。該P(yáng)PD模型包括載流子傳輸機(jī)制的簡潔數(shù)學(xué)公式，可用于開發(fā)包括高級物理效應(yīng)的通用緊湊模型。

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