摘要： 作為產(chǎn)品線最廣的半導(dǎo)體企業(yè)之一,意法半導(dǎo)體(ST)有眾多產(chǎn)品應(yīng)用在可穿戴市場,特別是圍繞著MCU(微控制器)和傳感器兩個關(guān)鍵產(chǎn)品系列,意法半導(dǎo)體緊跟市場需求,打造領(lǐng)先的可穿戴技術(shù)解決方案?？纱┐髟O(shè)備可以解決人們對便捷、健康、生活、娛樂等多樣化的需求,其市場前景可想象空間潛力巨大。

摘要： ST端口保護(hù)IC為STM32 USB-C雙角色輸電量身定制意法半導(dǎo)體TCPP03 M20 USB Type C端口保護(hù)IC為雙角色輸電(DRP)應(yīng)用量身定制,針對能給相連設(shè)備充電、又能接受其他USB-C電源的雙向充放電產(chǎn)品,可以簡化其設(shè)計(jì)。作為有ST UCPD(USB Type C和Power Delivery)接口IP模塊的STM32G0、STM32G4、STM32L5和STM32U5微控制器的配套芯片,TCPP03 M20讓設(shè)計(jì)者以經(jīng)濟(jì)劃算的方式進(jìn)行USB Type C接口硬件分區(qū),實(shí)現(xiàn)以STM32為主微控制器的雙芯片解決方案,從而節(jié)省物料清單成本,縮減PCB電路板空間,降低電路復(fù)雜性。

摘要： 意法半導(dǎo)體最新的智能驅(qū)動高邊開關(guān)IPS2050H和IPS2050H-32可設(shè)置兩個限流值,適用于啟動電流很大的容性負(fù)載。這兩款新雙通道開關(guān)的輸入電壓范圍為8 V至60V,輸入引腳最大耐受電壓為65 V,確保該器件在工業(yè)應(yīng)用中具有很高的設(shè)計(jì)靈活性和工作可靠性。內(nèi)部集成的功率MOSFET晶體管的導(dǎo)通電阻Rds(on)很小,因此能效很高,熱耗散功率很低。

摘要： ST發(fā)布高集成度車規(guī)音頻放大器,意法半導(dǎo)體的TDA7901車規(guī)功放單片集成G類功放開關(guān)管降壓控制器,并支持高清音頻,這個獨(dú)步市場的特性組合帶來出色的聽覺體驗(yàn)和高能效。在G類放大中,TDA7901降壓控制器根據(jù)音頻信號電平,自動優(yōu)化橋接負(fù)載(BTL)功率級的電源電壓,最終的平滑的模擬音頻在正常音量下具有接近D類功放的能效。因?yàn)楹纳⒐β时葌鹘y(tǒng)A/B類放大器低很多,所以降低了對散熱器的要求。單片集成降壓控制器有助于系統(tǒng)減重瘦身,還可以降低物料清單成本,簡化電路設(shè)計(jì),無需開發(fā)電壓軌控制固件。

摘要： 基于氮化鎵(GaN)的產(chǎn)品可以取得更高的能效,幫助工程師設(shè)計(jì)出更緊湊的電源,適合各種消費(fèi)、工業(yè)和汽車應(yīng)用意法半導(dǎo)體Power GaN系列第一款產(chǎn)品現(xiàn)已投產(chǎn);很快還將推出其他的不同封裝和規(guī)格的產(chǎn)品服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出了一個新系列——氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體。

摘要： CEA、Soitec、格芯 (GlobalFoundries) 和意法半導(dǎo)體(ST)宣布一項(xiàng)新的合作協(xié)議,四家公司計(jì)劃聯(lián)合制定行業(yè)的下一代 FD SOI(全耗盡型絕緣體上硅)技術(shù)發(fā)展規(guī)劃。半導(dǎo)體器件和 FD SOI技術(shù)創(chuàng)新對法國和歐盟以及全球客戶具有戰(zhàn)略價值。FD SOI 能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)人員和客戶系統(tǒng)帶來巨大的好處,包括更低的功耗以及更容易集成更多功能,例如通信連接和安全保護(hù)。對于汽車、物聯(lián)網(wǎng)和移動應(yīng)用而言,這些優(yōu)勢是FD SOI技術(shù)的一個重要特質(zhì)。

摘要： 意法半導(dǎo)體L99DZ200G車門區(qū)系統(tǒng)芯片提高車身控制模塊的功能集成度,可實(shí)現(xiàn)單片控制前車窗、后視鏡和照明燈以及后窗升降功能。豐富的功能提供了同樣豐富的產(chǎn)品優(yōu)勢,包括更低的系統(tǒng)靜態(tài)電流、更高的可靠性、更快的安裝過程、更少的物料清單和更短的研發(fā)周期。L99DZ200G包含兩個H橋柵極驅(qū)動器、一個用于驅(qū)動外部MOSFET功率管控制后視鏡加熱的柵極驅(qū)動器、一個用于控制自動防炫目后視鏡調(diào)光的控制單元及高邊驅(qū)動器,以及五個LED高邊驅(qū)動器,其中三個可以在恒流模式下工作,為輸入電容較高的照明模塊供電,另外兩個高邊驅(qū)動器用于控制普通LED照明燈。

摘要： 利用自有3D芯片先進(jìn)制造技術(shù),意法半導(dǎo)體(ST)二代車規(guī)全局快門圖像傳感器簡化駕駛員監(jiān)控系統(tǒng)(DMS)設(shè)計(jì)服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域。全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)發(fā)布了新一代駕駛員監(jiān)控系統(tǒng)(DMS)全局快門圖像傳感器,助力車企提高汽車安全性。駕駛員監(jiān)控系統(tǒng)DMS持續(xù)監(jiān)測駕駛員的頭部運(yùn)動,識別困倦和分心跡象,使汽車系統(tǒng)能夠生成警告提示,保護(hù)乘員的安全。據(jù)交通管理局估計(jì),大約95%的道路交通事故是人為錯誤造成,其中許多可以通過使用DMS等系統(tǒng)避免。

摘要： 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)推出新款車規(guī)級微控制器(MCU)。新產(chǎn)品針對電動汽車和汽車集中式(區(qū)/域)電氣架構(gòu)優(yōu)化了性能,有助于降低電動汽車成本、延長續(xù)航里程、加快充電速度。

摘要： 據(jù)外媒報道,全球半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)推出針對電動汽車和集中式(域和區(qū)域)電子架構(gòu)優(yōu)化的新型汽車微控制器(MCU),可降低電動汽車成本、提高續(xù)航里程,并提高充電速度。在當(dāng)前的電動汽車中,基于SiC(碳化硅)的高效功率模塊可實(shí)現(xiàn)最大的續(xù)航里程和更快的充電速度。電動汽車需要專用的高速信號處理器來控制先進(jìn)的SiC功率半導(dǎo)體。意法半導(dǎo)體的Stellar E MCU專為下一代軟件定義電動汽車設(shè)計(jì),在芯片上集成了高速控制回路處理。

摘要： 一種半導(dǎo)體芯片安裝法、半導(dǎo)體安裝布線板制作方法及半導(dǎo)體安裝布線板。將半導(dǎo)體芯片安裝在上面的布線板的制作方法，包括：將鋁箔粘合到樹脂襯底的一個表面；在所述的鋁箔上提供有預(yù)定形狀的熱硬化樹脂層；移除從所述熱硬化樹脂層暴露出來的所述鋁箔的部分以形成布線電路；在所述布線電路上提供熱塑性樹脂層。在把熱施加到所述布線板和把施加了超聲波的所述凸點(diǎn)按壓到所述布線板上時，所述熱硬化樹脂層具有使所述布線板能夠防止在所述半導(dǎo)體芯片與所述布線電路之間短路的強(qiáng)度，以及具有被降低的交聯(lián)度以至于使所述凸點(diǎn)能夠移除所述熱硬化樹脂層以到達(dá)所述布線電路。

摘要： 一種有機(jī)晶體管，其具有半導(dǎo)體有源層，該半導(dǎo)體有源層含有由下式表示且分子量為3000以下的化合物(X為氧、硫、硒、碲原子或NR

摘要： 作為實(shí)施方式之一，本發(fā)明涉及一種晶體，包含金屬氧化物，所述金屬氧化物包含Ga和Mn并具有剛玉結(jié)構(gòu)。

摘要： 本發(fā)明提供同時實(shí)現(xiàn)了熒光量子效率的提高和耐熱性的提高的半導(dǎo)體納米粒子復(fù)合體。本發(fā)明的一個方式的半導(dǎo)體納米粒子復(fù)合體為在半導(dǎo)體納米粒子的表面配位有包含配體I和配體II的2種以上的配體的半導(dǎo)體納米粒子復(fù)合體，其中，所述配體包含有機(jī)基團(tuán)和配位性基團(tuán)，所述配體I具有一個巰基作為所述配位性基團(tuán)，所述配體II至少具有兩個以上的巰基作為所述配位性基團(tuán)。

摘要： 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體納米粒子復(fù)合體，其為在半導(dǎo)體納米粒子的表面配位有配體的半導(dǎo)體納米粒子復(fù)合體，其中，所述半導(dǎo)體納米粒子包含In和P，所述配體包含下述通式(1)表示的巰基脂肪酸酯，所述巰基脂肪酸酯的SP值為9.30以下，通式(1)：HS?R1?COOR2 (1)通式(1)中，R1為碳原子數(shù)為1～11的烴基，R2為碳原子數(shù)為1～30的烴基。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供在純化前后保持較高的熒光量子效率(QY)的半導(dǎo)體納米粒子復(fù)合體。

摘要： 一種氮化物半導(dǎo)體層疊物，其具有：基板，其具有由氮極性面形成的表面、以及與表面處于相反側(cè)的由III族元素極性面形成的背面，所述基板由III族氮化物半導(dǎo)體形成；保護(hù)層，其至少設(shè)置在基板的背面?zhèn)?，耐熱性比基板的背面高；以及半?dǎo)體層，其設(shè)置在基板的表面?zhèn)龋蒊II族氮化物半導(dǎo)體形成，半導(dǎo)體層中的O的濃度低于1×10

摘要： 一種半導(dǎo)體用膜組合物，其包含：化合物(A)，具有包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的陽離子性官能團(tuán)、且重均分子量為1萬以上40萬以下；交聯(lián)劑(B)，在分子內(nèi)具有3個以上?C(＝O)OX基(X為氫原子或碳數(shù)1以上6以下的烷基)，3個以上?C(＝O)OX基中，1個以上6個以下為?C(＝O)OH基，所述交聯(lián)劑(B)的重均分子量為200以上600以下；以及水(D)，所述化合物(A)為脂肪族胺。

摘要： 一種半導(dǎo)體用膜組合物，其包含：化合物(A)，具有Si?O鍵以及包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的陽離子性官能團(tuán)；交聯(lián)劑(B)，在分子內(nèi)具有3個以上?C(＝O)OX基(X為氫原子或碳數(shù)1以上6以下的烷基)，3個以上?C(＝O)OX基中，1個以上6個以下為?C(＝O)OH基，所述交聯(lián)劑(B)的重均分子量為200以上600以下；以及極性溶劑(D)。

摘要： 根據(jù)本發(fā)明的制造半導(dǎo)體襯底的方法包括：制備包括半導(dǎo)體材料的籽晶襯底(1)的步驟，在籽晶襯底(1)上執(zhí)行離子注入的步驟，由此離子注入層(2)形成為距離籽晶襯底(1)的主表面的表面一定深度；利用氣相合成方法在籽晶襯底(1)的主表面上生長半導(dǎo)體層(3)的步驟；以及通過利用光(4)照射半導(dǎo)體層(3)和/或籽晶襯底(1)的主表面的表面的步驟，由此分離包括籽晶襯底的至少一部分(1a)和半導(dǎo)體層(3)的半導(dǎo)體襯底(5)。

摘要： 一種光半導(dǎo)體元件封裝組合物，其是含有封裝樹脂和光擴(kuò)散性有機(jī)顆粒的光半導(dǎo)體元件封裝組合物。封裝樹脂的折射率與光擴(kuò)散性有機(jī)顆粒的折射率之差的絕對值為0.020以上且0.135以下。光擴(kuò)散性有機(jī)顆粒相對于光半導(dǎo)體元件封裝組合物的含有比率為1質(zhì)量％以上且10質(zhì)量％以下。光半導(dǎo)體元件封裝組合物用于光半導(dǎo)體元件的封裝。