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低溫等離子體

低溫等離子體的相關(guān)文獻(xiàn)在1986年到2023年內(nèi)共計(jì)3138篇,主要集中在輕工業(yè)、手工業(yè)、廢物處理與綜合利用、化學(xué)工業(yè) 等領(lǐng)域,其中期刊論文1411篇、會(huì)議論文175篇、專利文獻(xiàn)788783篇;相關(guān)期刊627種,包括材料導(dǎo)報(bào)、內(nèi)燃機(jī)工程、當(dāng)代化工等; 相關(guān)會(huì)議142種,包括2013年中國(guó)工程熱物理學(xué)會(huì)燃燒學(xué)學(xué)術(shù)年會(huì)、2012年中國(guó)工程熱物理學(xué)會(huì)燃燒學(xué)學(xué)術(shù)年會(huì)、中國(guó)內(nèi)燃機(jī)學(xué)會(huì)燃燒節(jié)能凈化分會(huì)2011年學(xué)術(shù)年會(huì)暨973項(xiàng)目年度工作會(huì)議等;低溫等離子體的相關(guān)文獻(xiàn)由5816位作者貢獻(xiàn),包括蔡憶昔、萬(wàn)良淏、李小華等。

低溫等離子體—發(fā)文量

期刊論文>

論文:1411 占比:0.18%

會(huì)議論文>

論文:175 占比:0.02%

專利文獻(xiàn)>

論文:788783 占比:99.80%

總計(jì):790369篇

低溫等離子體—發(fā)文趨勢(shì)圖

低溫等離子體

-研究學(xué)者

  • 蔡憶昔
  • 萬(wàn)良淏
  • 李小華
  • 王軍
  • 萬(wàn)京林
  • 梁文俊
  • 王攀
  • 李堅(jiān)
  • 章建浩
  • 王靜
  • 期刊論文
  • 會(huì)議論文
  • 專利文獻(xiàn)

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排序:

學(xué)科

年份

作者

    • 王丹楊; 劉增瑞; 李璇; 丁鵬; 謝娜; 王路明
    • 摘要: 目的探討氬氣源低溫常壓等離子體(nonthermal argonatmos phericpressure plasma,NTAPP)射流處理不同時(shí)間對(duì)牙本質(zhì)?自酸蝕粘接劑粘接界面粘接強(qiáng)度及牙本質(zhì)潤(rùn)濕性的影響。方法使用NTAPP發(fā)生裝置(放電輸入功率:9 W,氬氣氣體流量:5 L/min),分別處理5組(n=6)人牙本質(zhì)試件(0、5、10、15、20 s)后,使用S3 Bond粘接劑處理牙面,制作微拉伸粘接試件并測(cè)量各組即刻粘接強(qiáng)度。同樣參數(shù)、同樣分組條件下處理牙本質(zhì)面后測(cè)量牙本質(zhì)表面接觸角。結(jié)果隨著NTAPP處理時(shí)間延長(zhǎng),牙本質(zhì)即刻粘接強(qiáng)度呈顯著上升趨勢(shì),以處理15 s組粘接強(qiáng)度最高(31.82±2.80)MPa。隨著NTAPP處理時(shí)間延長(zhǎng),與陰性對(duì)照組牙本質(zhì)表面接觸角(75.57°±1.45°)相比,各實(shí)驗(yàn)組牙本質(zhì)表面接觸角均顯著減小,以處理15 s組牙本質(zhì)表面接觸角(33.56°±2.14°)最低,濕潤(rùn)性最大。結(jié)論NTAPP處理可顯著增加牙本質(zhì)表面濕潤(rùn)性,提高與自酸蝕粘接劑粘接界面的粘接強(qiáng)度,這與處理時(shí)間相關(guān)。
    • 喬乾森; 巴德瑪
    • 摘要: 低溫等離子體作為一種新型分子活化手段,存在著大量的、種類繁多的活性粒子,易于和材料表面發(fā)生反應(yīng),適用于材料表面的改性處理。綜述了適用于材料表面改性的低溫等離子體主要放電方式,每種放電方式產(chǎn)生低溫等離子體的原理,應(yīng)用范圍;歸納了以低溫等離子體對(duì)材料表面實(shí)施改性后對(duì)材料表面微觀結(jié)構(gòu)和性能的影響,包括材料的表面化學(xué)元素、潤(rùn)濕性、表面微觀結(jié)構(gòu)等;最后指出了低溫等離子體用于材料表面改性存在的問(wèn)題以及未來(lái)的發(fā)展方向。
    • 陳雨薇; 倪國(guó)華
    • 摘要: 為提升等離子體手術(shù)刀切割效果,同時(shí)滿足電外科設(shè)備安全性要求,研制了一種低溫等離子體手術(shù)刀射頻高壓脈沖電源。電源以數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)為主控制器,采用數(shù)字化脈沖寬度調(diào)制(DPWM)控制策略,主.電路采用整流/穩(wěn)壓/逆變的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。電源最大輸出電壓2kV,最大輸出功率70 W。使用該電源驅(qū)動(dòng)的等離子體手術(shù)刀對(duì)雞肉進(jìn)行切割實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,研制的電源能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定輸出1MHz正弦波電壓波形,在等離子體.手術(shù)刀刀頭邊緣持續(xù)穩(wěn)定地產(chǎn)生低溫等離子體;切口處四周組織無(wú)炭化現(xiàn)象,手術(shù)刀切割快速,切口細(xì)窄平滑。
    • 摘要: 適用范圍:石油化工等行業(yè)VOCs,惡臭、餐飲油煙及室內(nèi)空氣污染。參照標(biāo)準(zhǔn):飲食業(yè)油煙排放標(biāo)準(zhǔn)(試行)(GB18483-2001)。技術(shù)優(yōu)勢(shì):通過(guò)在蜂窩狀催化劑上實(shí)現(xiàn)反電暈放電,并在中間輔以網(wǎng)電極限制電流的發(fā)展,強(qiáng)化催化劑表面和蜂窩孔道內(nèi)低溫等離子體的發(fā)生和均勻分布,低溫等離子體中的高能活性粒子一方面與吸附在催化劑表面的VOCs發(fā)生反應(yīng),另一方面通過(guò)進(jìn)一步結(jié)合形成長(zhǎng)壽命的活性物質(zhì)來(lái)誘發(fā)發(fā)生在催化劑表面的催化反應(yīng)過(guò)程,來(lái)實(shí)現(xiàn)VOCs的降解與去除;流程短、易控制、適用范圍廣;處理效率高、能耗低、副產(chǎn)物少。
    • 朱麗華; 張悅; 田瑤瑤; 徐鋒
    • 摘要: 低溫等離子體技術(shù)是實(shí)現(xiàn)CH_(4)固碳、減排的有效手段。然而,針對(duì)煤層CH_(4)的研究尚不深入。為探究低溫等離子體轉(zhuǎn)化煤層CH_(4)的影響因素及作用規(guī)律,構(gòu)建了CH_(4)-N_(2)-O_(2)-H_(2)O試驗(yàn)體系,以剛玉為放電介質(zhì)、螺紋狀不銹鋼棒為高壓電極、鋼絲網(wǎng)為低壓電極,在1 mm放電間隙、長(zhǎng)度200 mm的放電區(qū)域條件下,研究了輸入電壓、放電頻率、CH_(4)體積分?jǐn)?shù)對(duì)CH_(4)轉(zhuǎn)化及產(chǎn)物生成的影響,并基于反應(yīng)過(guò)程中活性物種發(fā)射光譜原位診斷,分析了主要產(chǎn)物的生成路徑。結(jié)果表明,試驗(yàn)主要生成物為H_(2)、CO、CO_(2)、CH_(3)OH及C_(2)H_(4)、C_(2)H_(6)等C_(2)烴,且CH_(4)轉(zhuǎn)化及產(chǎn)物分布受輸入電壓、放電頻率和CH_(4)體積分?jǐn)?shù)的影響,其原因?yàn)檩斎腚妷焊淖兞薉BD(介質(zhì)阻擋放電)系統(tǒng)的注入能量及能量損耗,放電頻率改變了反應(yīng)器內(nèi)流光放電的數(shù)量,CH_(4)體積分?jǐn)?shù)改變了反應(yīng)氧化環(huán)境;在試驗(yàn)研究范圍內(nèi),較適宜的電源參數(shù)為輸入電壓75 V、放電頻率9.8 kHz;以CH_(3)OH產(chǎn)率為考察指標(biāo)時(shí),較適宜的CH_(4)體積分?jǐn)?shù)為35.4%;等離子體反應(yīng)過(guò)程中產(chǎn)生CH_(3)·、CH_(2)·、CH·、C·、O·、OH·、H_(γ)、H_(β)、H_(2)和H_(α)等活性粒子,這些活性粒子與穩(wěn)態(tài)分子作用,以及活性粒子之間相互作用生成產(chǎn)物分子。研究結(jié)果對(duì)深入研究煤層CH_(4)低溫等離子體活化轉(zhuǎn)化的工藝條件及反應(yīng)機(jī)理具有重要意義。
    • 柯梁建; 盧秀圓; 王興權(quán); 李斌; 陳忠正; 林曉蓉; 王煜祥; 張媛媛
    • 摘要: 為探究介質(zhì)阻擋放電低溫等離子體對(duì)吡蟲(chóng)啉、啶蟲(chóng)脒和三唑磷的降解作用,本研究構(gòu)建水模擬體系,研究放電電壓、時(shí)間、農(nóng)藥初始濃度和pH等因素對(duì)三種農(nóng)藥降解效果的影響,分析降解動(dòng)力學(xué),并在鑒定降解產(chǎn)物的基礎(chǔ)上分析農(nóng)藥的降解途徑。結(jié)果表明:低溫等離子體能夠有效降解水模擬體系中的三種農(nóng)藥殘留;相同條件下,三種農(nóng)藥的降解率依次為:三唑磷>吡蟲(chóng)啉>啶蟲(chóng)脒;在本研究條件下,提高放電電壓、延長(zhǎng)放電時(shí)間、降低農(nóng)藥初始濃度有利于提高三種農(nóng)藥的降解率;堿性條件更有利于吡蟲(chóng)啉和啶蟲(chóng)脒的降解,而酸性條件更有利于三唑磷的降解;當(dāng)放電電壓為13.6 kV、時(shí)間5 min、農(nóng)藥濃度為1.9 mg/L時(shí),吡蟲(chóng)啉、啶蟲(chóng)脒和三唑磷的降解率達(dá)到最大值,分別為62.5%(pH9.0)、42.4%(pH9.0)和94.5%(pH3.0);低溫等離子體作用下三種農(nóng)藥的降解符合一級(jí)動(dòng)力學(xué)模型(R2≥0.90);分別鑒定出吡蟲(chóng)啉和啶蟲(chóng)脒的降解產(chǎn)物各7種、5種;吡蟲(chóng)啉和啶蟲(chóng)脒降解產(chǎn)物的形成主要經(jīng)歷了分子中C-H、C-N等鍵的斷裂和羥基自由基氧化取代的過(guò)程。
    • 王思怡; 李月慧; 葛玉潔; 王煥然; 趙璐璐; 李先春
    • 摘要: 城市污泥制備高品質(zhì)合成燃?xì)?是減小環(huán)境污染、提高廢棄物附加值、實(shí)現(xiàn)能源化利用的有效方法之一。本文采用介質(zhì)阻擋放電低溫等離子體(NTP-DBD)技術(shù),利用熱重-質(zhì)譜聯(lián)用(GT-MS)對(duì)城市污泥及其模型化合物亮氨酸、葡萄糖的氣化特性進(jìn)行了研究。重點(diǎn)考察了反應(yīng)氣氛、放電頻率對(duì)合成氣體分布情況的影響,并利用傅里葉變換紅外光譜(FTIR)、掃描電鏡(SEM)對(duì)固體產(chǎn)物結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征。結(jié)果表明,在Ar氣氛下,較熱重?zé)峤馕勰?NTP-DBD氣化污泥產(chǎn)生合成氣的濃度提升了1.84%。放電頻率由10.5kHz調(diào)至9.2kHz時(shí),輸出電壓提高了36%,并且污泥氣化效率提高了5倍;當(dāng)工作氣氛為CO_(2)時(shí),氣化效率占污泥揮發(fā)分含量的74.86%。相較于葡萄糖而言,模型化合物亮氨酸氣化產(chǎn)生的H_(2)、CO、CO_(2)、CH_(4)較多,說(shuō)明污泥中蛋白質(zhì)對(duì)污泥氣化的氣體產(chǎn)物貢獻(xiàn)較大。與傳統(tǒng)熱解氣化結(jié)果相比,NTP-DBD氣化技術(shù)能夠有效提高合成氣產(chǎn)量、降低高溫操作難度且避免污泥氣化過(guò)程中二英等劇毒類物質(zhì)產(chǎn)生。
    • 王原莉; 徐利佳; 鄭春霞; 黃朝暉; 余皖婉; 丁呈彪
    • 摘要: 隨著等離子體技術(shù)的應(yīng)用與發(fā)展,其消毒殺菌技術(shù)的應(yīng)用越來(lái)越受到關(guān)注。低溫等離子體是通過(guò)向氣體施加電能而產(chǎn)生的,由重粒子、電子和紫外線組成,其工作溫度可維持在25°C左右,因此在消毒殺菌領(lǐng)域得到了極大的發(fā)展。低溫等離子體彌補(bǔ)了傳統(tǒng)殺菌消毒方法的許多缺點(diǎn),諸如抗生素的使用產(chǎn)生的耐藥性等,其便捷、安全、無(wú)污染的特點(diǎn),讓其成為一種很有前景的消毒工具。本文總結(jié)了低溫等離子體技術(shù)在消毒殺菌領(lǐng)域的研究進(jìn)展,為相關(guān)研究提供理論依據(jù)。
    • 潘越; 李婷婷; 吳彩娥; 范龔健
    • 摘要: 目的:探究低溫等離子體處理對(duì)新疆‘小白杏’后熟衰老、貯藏期果實(shí)品質(zhì)、氧化酶系活力等方面的影響。方法:用低溫等離子體機(jī)分別在80、90、100 kV的工作電壓下處理新疆‘小白杏’40 s,于4°C、相對(duì)濕度95%的條件下貯藏42 d,每7 d檢測(cè)杏果腐敗指數(shù)、品質(zhì)指標(biāo)和抗氧化酶活力。結(jié)果:各低溫等離子處理杏果保鮮效果均明顯高于對(duì)照組,其中90 kV、40 s低溫等離子體處理的防腐效果最為顯著,貯藏第42天處理組腐敗指數(shù)僅為對(duì)照組的24%,杏果的硬度為對(duì)照組的近1.5倍,VC含量和多酚含量分別是對(duì)照組的1.4、1.2倍,超氧化物歧化酶、過(guò)氧化氫酶、過(guò)氧化物酶活力分別提高了18%、28%和23%。結(jié)論:低溫等離子體處理可降低采后杏果腐敗指數(shù),提高采后杏果貯藏期間的品質(zhì),并可以誘導(dǎo)杏果抗氧化酶活力提升。
    • 張敏; 敖小剛; 鄭錚; 陳文川
    • 摘要: 目的研究低溫等離子體(NTAP)處理人牙齦上皮細(xì)胞(HGECs)后的生物學(xué)行為。方法將HGECs傳代培養(yǎng),待生長(zhǎng)活性最佳的第3~5代細(xì)胞,消化重懸后經(jīng)NTAP處理適當(dāng)時(shí)間(0,10,20,30,60 s)后,接種在鈦盤(pán)表面,加入口腔角質(zhì)細(xì)胞培養(yǎng)基(OKM),1%雙抗、5%CO_(2)和37°C孵箱條件下培養(yǎng)不同時(shí)間(4,12,24,48 h)貼壁生長(zhǎng),每組中各培養(yǎng)時(shí)間設(shè)置5個(gè)復(fù)孔。使用細(xì)胞計(jì)數(shù)試劑盒-8(CCK-8)評(píng)估各組黏附細(xì)胞的數(shù)量;掃描電子顯微鏡(SEM)觀察各組細(xì)胞在鈦片表面的形態(tài);實(shí)時(shí)熒光定量聚合酶鏈?zhǔn)椒磻?yīng)(qRT-PCR)檢測(cè)各組細(xì)胞層粘連蛋白α3(Lamininα3)、整合素蛋白β4(Integrinβ4)和網(wǎng)蛋白(Plectin)黏附相關(guān)基因的表達(dá)情況以及Western blot觀察各組細(xì)胞黏附相關(guān)蛋白表達(dá)的變化情況。結(jié)果在0~20 s內(nèi),隨著NTAP作用時(shí)間的增加,細(xì)胞的黏附數(shù)量增加;但在20~60 s內(nèi),隨著作用時(shí)間的增加,細(xì)胞的黏附數(shù)量逐漸減少:證明NTAP處理時(shí)間為20 s時(shí)最有利于HGECs在鈦表面的黏附。CCK-8顯示:在設(shè)定的培養(yǎng)時(shí)間下(20 s),隨著培養(yǎng)時(shí)間延長(zhǎng),對(duì)照組和NTAP組細(xì)胞在鈦表面的黏附數(shù)量增加。與對(duì)照組相比,在各培養(yǎng)時(shí)間點(diǎn)NTAP組細(xì)胞在鈦表面的黏附數(shù)量更多(P<0.05)。SEM顯示:NTAP組細(xì)胞在鈦表面更明顯地表現(xiàn)出不規(guī)則的多邊形、突起與偽足較多及更大的細(xì)胞擴(kuò)散面積。qRT-PCR顯示:NTAP組細(xì)胞在鈦表面的Lamininα3、Integrinβ4和Plectin黏附相關(guān)基因表達(dá)都高于對(duì)照組(P<0.05)。Western blot也證實(shí):NTAP組細(xì)胞在鈦表面上Lamininα3、Integrinβ4和Plectin黏附相關(guān)蛋白的表達(dá)均高于對(duì)照組。結(jié)論HGECs受NTAP處理后,結(jié)果表明20 s的作用時(shí)間能最大程度增加細(xì)胞在鈦表面的黏附數(shù)量和改變黏附形態(tài),同時(shí)能夠顯著上調(diào)Lamininα3、Integrinβ4和Plectin黏附相關(guān)基因和蛋白的表達(dá),進(jìn)而能促進(jìn)HGECs對(duì)鈦表面的生物封閉作用。
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