国产bbaaaaa片,成年美女黄网站色视频免费,成年黄大片,а天堂中文最新一区二区三区,成人精品视频一区二区三区尤物

首頁> 美國衛(wèi)生研究院文獻>Scientific Reports >The use of polyimide-modified aluminum nitride fillers in AlN@PI/Epoxy composites with enhanced thermal conductivity for electronic encapsulation
【2h】

The use of polyimide-modified aluminum nitride fillers in AlN@PI/Epoxy composites with enhanced thermal conductivity for electronic encapsulation

機譯：聚酰亞胺改性的氮化鋁填料在具有增強的導熱性的AlN @ PI /環(huán)氧樹脂復合材料中用于電子封裝

代理獲取
本網(wǎng)站僅為用戶提供外文OA文獻查詢和代理獲取服務(wù)，本網(wǎng)站沒有原文。下單后我們將采用程序或人工為您竭誠獲取高質(zhì)量的原文，但由于OA文獻來源多樣且變更頻繁，仍可能出現(xiàn)獲取不到、文獻不完整或與標題不符等情況，如果獲取不到我們將提供退款服務(wù)。請知悉。
  • 摘要
  • 著錄項
  • 相似文獻
  • 相關(guān)主題

摘要

Polymer modified fillers in composites has attracted the attention of numerous researchers. These fillers are composed of core-shell structures that exhibit enhanced physical and chemical properties that are associated with shell surface control and encapsulated core materials. In this study, we have described an apt method to prepare polyimide (PI)-modified aluminum nitride (AlN) fillers, AlN@PI. These fillers are used for electronic encapsulation in high performance polymer composites. Compared with that of untreated AlN composite, these AlN@PI/epoxy composites exhibit better thermal and dielectric properties. At 40 wt% of filler loading, the highest thermal conductivity of AlN@PI/epoxy composite reached 2.03 W/mK. In this way, the thermal conductivity is approximately enhanced by 10.6 times than that of the used epoxy matrix. The experimental results exhibiting the thermal conductivity of AlN@PI/epoxy composites were in good agreement with the values calculated from the parallel conduction model. This research work describes an effective pathway that modifies the surface of fillers with polymer coating. Furthermore, this novel technique improves the thermal and dielectric properties of fillers and these can be used extensively for electronic packaging applications.
機譯：復合材料中的聚合物改性填料引起了眾多研究人員的關(guān)注。這些填料由核-殼結(jié)構(gòu)組成，這些結(jié)構(gòu)具有增強的物理和化學性質(zhì)，與殼表面控制和封裝的核材料相關(guān)。在這項研究中，我們描述了一種制備聚酰亞胺（PI）改性的氮化鋁（AlN）填料AlN @ PI的合適方法。這些填料用于高性能聚合物復合材料的電子封裝。與未處理的AlN復合材料相比，這些AlN @ PI /環(huán)氧樹脂復合材料具有更好的熱性能和介電性能。在填充量為40 wt％時，AlN @ PI /環(huán)氧樹脂復合材料的最高導熱率達到2.03 W / mK。這樣，熱導率比所使用的環(huán)氧基質(zhì)的熱導率大約提高了10.6倍。實驗結(jié)果表明，AlN @ PI /環(huán)氧樹脂復合材料的熱導率與平行導電模型計算的值相吻合。這項研究工作描述了一種有效途徑，可通過聚合物涂層修飾填料的表面。此外，這項新穎的技術(shù)改善了填充劑的熱和介電性能，這些填充劑可廣泛用于電子包裝應用。

著錄項

相似文獻

  • 外文文獻
  • 中文文獻
  • 專利
代理獲取

客服郵箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公網(wǎng)安備：11010802029741號 ICP備案號：京ICP備15016152號-6 六維聯(lián)合信息科技 (北京) 有限公司?版權(quán)所有

  • 客服微信

  • 服務(wù)號