摘要： 《十四五數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展規(guī)劃》《貫徹落實(shí)碳達(dá)峰碳中和目標(biāo)要求推動(dòng)數(shù)據(jù)中心和5G等新型基礎(chǔ)設(shè)施綠色高質(zhì)量發(fā)展實(shí)施方案》明確要求把握信息技術(shù)革命的先機(jī),促進(jìn)技術(shù)與產(chǎn)業(yè)深度融合,打造高質(zhì)量發(fā)展的新格局。中國(guó)通信學(xué)會(huì)高度重視通信行業(yè)節(jié)能降耗,密切關(guān)注氮化鎵等新一代半導(dǎo)體材料在能源效率提升方面的創(chuàng)新。根據(jù)研究,氮化鎵比硅更適合做高頻功率器件,可顯著減少電力損耗和散熱負(fù)載,有體積、功率密度方面的明顯優(yōu)勢(shì)。應(yīng)用于變頻器、穩(wěn)壓器、變壓器、無(wú)線(xiàn)充電等領(lǐng)域,可以有效降低能源損耗。

摘要： GaN不僅具有與硅媲美的較高聲速,而且也有與氮化鋁相當(dāng)(AlN)的大壓電系數(shù),所以是制作MEMS諧振器的有力備選材料.研究設(shè)計(jì)了一款硅基壓電氮化鎵(GaN)MEMS諧振器.利用GaN中的二維電子氣(2DEG)可作為開(kāi)關(guān)嵌入電極的特性,通過(guò)GaN壓電材料實(shí)現(xiàn)由電極、壓電薄膜、電極組成薄膜微機(jī)械諧振器.工作時(shí)在兩個(gè)電極之間的壓電薄膜內(nèi)產(chǎn)生厚度剪切振動(dòng)模式,壓電薄膜內(nèi)部就形成了振蕩,通過(guò)壓電效應(yīng)的正交應(yīng)力(σx和σy)能夠提供相關(guān)的應(yīng)力場(chǎng)從而增加機(jī)電共振.使用微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)和平面加工工藝對(duì)諧振器進(jìn)行了制作,GaN諧振單元物理尺寸90μm^(2).采用了無(wú)需加載功率對(duì)于諧振器無(wú)損傷的XeF2氣體釋放硅基底(111)形成了GaN諧振器,這樣能夠減少諧振器的粗糙度、較小殘余應(yīng)力,避免雜質(zhì)和缺陷造成的散射.測(cè)試表明,諧振頻率為12.56 MHz,諧振腔的品質(zhì)因數(shù)為3600.

摘要： 氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(high electron mobility transistor,HEMT)以其擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、導(dǎo)通電阻低、轉(zhuǎn)換效率高等特點(diǎn)引起科研人員的廣泛關(guān)注并有望應(yīng)用于電力電子系統(tǒng)中,但其高功率密度和高頻特性給封裝技術(shù)帶來(lái)極大挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)硅基電力電子器件封裝中寄生電感參數(shù)較大,會(huì)引起開(kāi)關(guān)振蕩等問(wèn)題,使GaN的優(yōu)良性能難以充分發(fā)揮;另外,封裝的熱管理能力決定了功率器件的可靠性,若不能很好地解決器件的自熱效應(yīng),會(huì)導(dǎo)致其性能降低,甚至芯片燒毀。本文在闡釋傳統(tǒng)封裝技術(shù)應(yīng)用于氮化鎵功率電子器件時(shí)產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)震蕩和熱管理問(wèn)題基礎(chǔ)上,詳細(xì)綜述了針對(duì)以上問(wèn)題進(jìn)行的GaN封裝技術(shù)研究進(jìn)展,包括通過(guò)優(yōu)化控制電路、減小電感L_(g)、提高電阻R_(g)抑制dv/dt、在柵電極上加入鐵氧體磁環(huán)、優(yōu)化PCB布局、提高磁通抵消量等方法解決寄生電感導(dǎo)致的開(kāi)關(guān)振蕩、高導(dǎo)熱材料金剛石在器件熱管理中的應(yīng)用、器件封裝結(jié)構(gòu)改進(jìn),以及其他散熱技術(shù)等。

摘要： 近期,蘋(píng)果“爆料大神”郭明錤透露,蘋(píng)果可能年某個(gè)時(shí)候推出下一款氮化鎵充電器,最高支持30W快充,同時(shí)采用新的外觀(guān)設(shè)計(jì)。與三星、小米、OPPO等廠(chǎng)商積極發(fā)力氮化鎵快充產(chǎn)品相比,蘋(píng)果在充電功率方面一直較為“保守”。去年10月,伴隨新款MacBook Pro的發(fā)布,蘋(píng)果推出了140W USB-C電源適配器,這是蘋(píng)果首款采用氮化鎵材料的充電器,售價(jià)729元。如今,蘋(píng)果有望持續(xù)加碼氮化鎵充電器,氮化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)有望迎來(lái)高歌猛進(jìn)式發(fā)展。

摘要： 目的:利用石墨烯/氮化鎵肖特基異質(zhì)結(jié)構(gòu)建一種新型的葡萄糖傳感器,并對(duì)其靈敏度、線(xiàn)性檢測(cè)范圍、最低檢出限和選擇性等傳感特性進(jìn)行深入研究。方法:通過(guò)轉(zhuǎn)移工藝將單層石墨烯覆蓋于氮化鎵單晶表面形成肖特基異質(zhì)結(jié)構(gòu),將不同濃度葡萄糖溶液滴加到石墨烯表面并干燥后,利用探針臺(tái)測(cè)量葡萄糖/石墨烯/氮化鎵體系的電流-電壓曲線(xiàn),并獲得開(kāi)啟電壓,從而建立葡萄糖濃度和開(kāi)啟電壓的對(duì)應(yīng)關(guān)系?；谠搶?duì)應(yīng)關(guān)系可擬合得到標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn),并可計(jì)算出傳感器的靈敏度、線(xiàn)性檢測(cè)范圍和最低檢出限等傳感參數(shù),進(jìn)一步將刀豆蛋白A分子修飾在石墨烯表面,實(shí)現(xiàn)石墨烯/氮化鎵肖特基異質(zhì)結(jié)對(duì)于復(fù)雜體系中葡萄糖濃度的選擇性檢測(cè)。結(jié)果:該新型葡萄糖傳感器的標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)為U=0.22363+1.89968×10^(-4)C、靈敏度為189.968 V·M^(-1)、最低檢出限為0.330μM、線(xiàn)性檢測(cè)范圍為1~1000μM、7次重復(fù)實(shí)驗(yàn)的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)差為2.89%、15天前后實(shí)驗(yàn)的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)差為0.03‰、刀豆蛋白A分子修飾樣品表面后各干擾物質(zhì)的影響程度均低于1.50%。結(jié)論:石墨烯/氮化鎵肖特基異質(zhì)結(jié)傳感器是一種基于開(kāi)啟電壓這一新型傳感特性的葡萄糖傳感器,其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,易于制備,耐磨損腐蝕,性能優(yōu)異,具有一定的應(yīng)用前景。

摘要： 隔離型DC/DC變換器連接低壓直流配電網(wǎng)和用戶(hù)側(cè)直流負(fù)荷,在低壓直流配電系統(tǒng)中起著重要作用。文中采用具有原邊開(kāi)關(guān)管零電壓開(kāi)通和副邊整流管零電流關(guān)斷特性的LLC諧振變換器,首先分析變換器的工作原理,對(duì)其諧振參數(shù)進(jìn)行選擇。使用具有更低導(dǎo)通電阻和等效輸出電容的氮化鎵(GaN)器件作為原邊開(kāi)關(guān)管,進(jìn)一步提高變換器工作頻率和效率,降低磁性元件體積。在此基礎(chǔ)上,對(duì)GaN器件驅(qū)動(dòng)、同步整流和磁性元件進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。最后搭建了1臺(tái)375 V/48 V/500 W的LLC諧振變換器樣機(jī),最高效率為97.6%,相比傳統(tǒng)Si器件可以提升約1%的效率。實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了樣機(jī)設(shè)計(jì)方案的正確性。

摘要： 據(jù)盤(pán)錦日?qǐng)?bào)報(bào)道,目前,遼寧百思特達(dá)半導(dǎo)體科技有限公司的工作人員對(duì)動(dòng)力設(shè)備、存水系統(tǒng)、空氣壓縮機(jī)等進(jìn)行最后調(diào)試。預(yù)計(jì)5月下旬,進(jìn)入工藝設(shè)備調(diào)試、企業(yè)生產(chǎn)線(xiàn)和人員進(jìn)駐階段。項(xiàng)目需要經(jīng)過(guò)2個(gè)月的中試后正式投產(chǎn)。

摘要： 2022年初,北京——氮化鎵(GaN)功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者Navitas Semiconductor(納斯達(dá)克代碼:NVTS)宣布開(kāi)設(shè)新的電動(dòng)汽車(chē)(EV)設(shè)計(jì)中心,進(jìn)一步擴(kuò)展到更高功率的氮化鎵市場(chǎng)。與傳統(tǒng)的硅解決方案相比,基于氮化鎵的車(chē)載充電器(OBC)的充電速度估計(jì)快3倍,節(jié)能高達(dá)70%。據(jù)估計(jì),氮化鎵OBC、DC-DC轉(zhuǎn)換器和牽引逆變器將有望延長(zhǎng)電動(dòng)汽車(chē)?yán)m(xù)航里程,或?qū)㈦姵爻杀窘档?%,和原先使用硅芯片相比,氮化鎵功率芯片有望加速全球EV的普及提前三年來(lái)到。據(jù)估計(jì),到2050年,將電動(dòng)汽車(chē)升級(jí)到使用GaN之后,道路部門(mén)的二氧化碳排放量每年有望減少20%,這也是《巴黎協(xié)定》的減排目標(biāo)。

摘要： 隨著現(xiàn)代材料科技的創(chuàng)新發(fā)展,半導(dǎo)體材料已經(jīng)由第一代的硅、鍺等元素半導(dǎo)體材料,發(fā)展為以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料,推動(dòng)了現(xiàn)代互聯(lián)網(wǎng)、通信、新能源等新興科技的快速發(fā)展。文章結(jié)合半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程,研究了半導(dǎo)體材料的應(yīng)用現(xiàn)狀,并探討了“雙碳”背景下半導(dǎo)體材料在柔性顯示屏、LED照明、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域的發(fā)展趨勢(shì),從而為加深半導(dǎo)體材料的研究、強(qiáng)化半導(dǎo)體材料的應(yīng)用提供參考。

摘要： 離子敏感場(chǎng)效應(yīng)管是應(yīng)用于離子濃度測(cè)量的一種器件,它的性質(zhì)與金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管相似,最大的區(qū)別在于它可以直接用于電解質(zhì)溶液中的離子濃度變化測(cè)量。該器件結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,操作方便,便于大規(guī)模生產(chǎn)使用。目前使用最廣泛的是基于H+濃度的p H值測(cè)量器件,文章分析其結(jié)構(gòu)并詳細(xì)計(jì)算其工作原理,最后結(jié)合電解質(zhì)溶液相關(guān)性質(zhì)進(jìn)行仿真建模。為提高器件的工作性能,文章采用不同材料進(jìn)行離子敏感場(chǎng)效應(yīng)管的設(shè)計(jì)。結(jié)果顯示相比于硅材料器件,采用氮化鎵材料設(shè)計(jì)的器件在工作精度與離子濃度敏感度2個(gè)方面都有較大提升。

摘要： 本文研制了一種高效率、高功率密度逆變器.開(kāi)關(guān)器件采用新型半導(dǎo)體材料氮化鎵,基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為單相全橋結(jié)構(gòu).TMS320F28x作為核心控制器,采用電壓前饋以及電壓電流雙閉環(huán)系統(tǒng)控制方案.開(kāi)關(guān)器件驅(qū)動(dòng)采用了SI8261隔離式門(mén)驅(qū)動(dòng)器,驅(qū)動(dòng)電路前級(jí)設(shè)有反激式變換器將400V高壓直流母線(xiàn)降壓到12V為其供電.設(shè)計(jì)出一臺(tái)500W的原理樣機(jī)在開(kāi)關(guān)頻率100KHz、輸入400V高壓直流條件下,輸出220V交流電壓.該裝置體積小,變換效率達(dá)到96％,輸入電流紋波小于20％,輸出電壓總諧波THD小于5％.

摘要： 隨著電源工作頻率的提高,電源電磁干擾問(wèn)題日益嚴(yán)重.本文針對(duì)氮化鎵LLC諧振變換器的共模電磁干擾進(jìn)行了深入的研究.首先,通過(guò)理論分析,得出了氮化鎵LLC諧振變換器的高頻簡(jiǎn)化模型和共模干擾耦合路徑,并通過(guò)仿真完成了氮化鎵LLC諧振變換器的電磁干擾定量預(yù)測(cè).其次,設(shè)計(jì)了改進(jìn)型有源EMI濾波器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),以較低代價(jià)實(shí)現(xiàn)了傳導(dǎo)共模干擾的高效抑制,仿真驗(yàn)證了濾波器的EMI抑制能力.最后,搭建氮化鎵LLC諧振變換器和有源濾波器實(shí)驗(yàn)平臺(tái),證實(shí)了改進(jìn)型有源EMI濾波器對(duì)氮化鎵LLC諧振變換器共模電磁干擾的抑制能力.

摘要： 本文介紹了氮化鎵器件的結(jié)構(gòu)及封裝，分析了如何高效實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件的并聯(lián)，以及大功率氮化鎵模塊的設(shè)計(jì)要點(diǎn)、實(shí)例及實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，最后總結(jié)了氮化鎵器件在不同應(yīng)用中的設(shè)計(jì)要點(diǎn)與實(shí)例。

摘要： 廈門(mén)市三安集成電路有限公司位于廈門(mén)市火炬(翔安）高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)內(nèi),項(xiàng)目總規(guī)劃用地281畝,總投資30億元,本項(xiàng)目為福建省2014-2018重大工業(yè)項(xiàng)目、廈門(mén)市2015年重點(diǎn)項(xiàng)目,屬于國(guó)家扶持的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),新建砷化鎵和氮化鎵外延片生產(chǎn)線(xiàn),以及適用于專(zhuān)業(yè)通訊微電子器件市場(chǎng)的砷化鎵高速半導(dǎo)體芯片與氮化鎵高功率半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線(xiàn).

摘要： 提出了一種共柵共源結(jié)構(gòu)高壓氮化鎵(GaN)器件關(guān)斷過(guò)程及損耗模型.考慮了寄生電感和寄生電容參數(shù),保證了所提出模型的精確性.將關(guān)斷過(guò)程分為幾個(gè)階段來(lái)分析,通過(guò)精確的電路等效和分析,給出了不同階段的電壓電流表達(dá)式,進(jìn)而計(jì)算出損耗.不同驅(qū)動(dòng)電阻和電流下的實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明了所提出模型的準(zhǔn)確性.

摘要： 與第一代和第二代半導(dǎo)體材料相比,氮化鎵(GaN)具有更寬的禁帶寬度、更高的臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度以及更高的電子遷移率.由于Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料的極化效應(yīng),在A(yíng)lGaN/GaN異質(zhì)結(jié)界面處可形成高濃度、高遷移率的二維電子氣.總之基于A(yíng)lGaN/GaN的電力電子器件具有高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、低開(kāi)關(guān)損耗、耐高溫等顯著優(yōu)勢(shì),成為近年來(lái)電力電子領(lǐng)域研究的熱點(diǎn).目前GaN基電力電子器件的研究取得了很大進(jìn)展,器件的擊穿電壓以及穩(wěn)定性都得到不斷提高.將AIGaN/GaN金屬-絕緣-半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管(MISHEMT)與高壓Si齊納二極管集成，如圖l(b)所示。高壓多晶Si齊納二極管的兩端分別與AIGaN/GaN MISHEMT的源極和漏極相連。其目的是當(dāng)反向偏壓達(dá)到一定值，利用高壓Si齊納二極管的電壓鉗位作用，將電壓穩(wěn)定在某一特定的值，保護(hù)AIGaN/GaN MISHEMT不被燒毀，即實(shí)現(xiàn)一個(gè)具有雪崩特性的AIGaNr/GaN MISHEMT。其中AlGaN/GaN MISHEMT與Si齊納二極管的截面示意圖如圖2所示。設(shè)計(jì)了與制備了不同組np齊納二極管，其BV特性如圖3所示。單個(gè)np結(jié)擊穿電壓約6.2V，90組np結(jié)齊納二極管的擊穿電壓~568V。

摘要： 目的：研究GaN HEMT器件中肖特基結(jié)的陷阱效應(yīng)對(duì)利用正向肖特基電壓測(cè)量瞬態(tài)溫度曲線(xiàn)的影響,對(duì)測(cè)量結(jié)果提出了一種修正方法。方法：通過(guò)測(cè)量陷阱效應(yīng)引起的正向電壓變化,修正傳統(tǒng)方法下瞬態(tài)溫度曲線(xiàn)中利用結(jié)構(gòu)函數(shù)法提取的熱阻值。結(jié)果：修正后的結(jié)果具有高度一致性,這與器件加熱階段施加相同功率相吻合.結(jié)論：傳統(tǒng)利用正向肖特基結(jié)電壓方法測(cè)量溫度瞬態(tài)曲線(xiàn)會(huì)受到陷阱效應(yīng)的影響,該影響是由測(cè)試電流本身引起的.通過(guò)文中提出的方法,可以修正測(cè)定值,給出更為準(zhǔn)確的器件縱向熱阻構(gòu)成.

摘要： 目的：研究GaN HEMT器件中肖特基結(jié)的陷阱效應(yīng)對(duì)利用正向肖特基電壓測(cè)量瞬態(tài)溫度曲線(xiàn)的影響,對(duì)測(cè)量結(jié)果提出了一種修正方法。方法：通過(guò)測(cè)量陷阱效應(yīng)引起的正向電壓變化,修正傳統(tǒng)方法下瞬態(tài)溫度曲線(xiàn)中利用結(jié)構(gòu)函數(shù)法提取的熱阻值。結(jié)果：修正后的結(jié)果具有高度一致性,這與器件加熱階段施加相同功率相吻合.結(jié)論：傳統(tǒng)利用正向肖特基結(jié)電壓方法測(cè)量溫度瞬態(tài)曲線(xiàn)會(huì)受到陷阱效應(yīng)的影響,該影響是由測(cè)試電流本身引起的.通過(guò)文中提出的方法,可以修正測(cè)定值,給出更為準(zhǔn)確的器件縱向熱阻構(gòu)成.

摘要： 目的：研究GaN HEMT器件中肖特基結(jié)的陷阱效應(yīng)對(duì)利用正向肖特基電壓測(cè)量瞬態(tài)溫度曲線(xiàn)的影響,對(duì)測(cè)量結(jié)果提出了一種修正方法。方法：通過(guò)測(cè)量陷阱效應(yīng)引起的正向電壓變化,修正傳統(tǒng)方法下瞬態(tài)溫度曲線(xiàn)中利用結(jié)構(gòu)函數(shù)法提取的熱阻值。結(jié)果：修正后的結(jié)果具有高度一致性,這與器件加熱階段施加相同功率相吻合.結(jié)論：傳統(tǒng)利用正向肖特基結(jié)電壓方法測(cè)量溫度瞬態(tài)曲線(xiàn)會(huì)受到陷阱效應(yīng)的影響,該影響是由測(cè)試電流本身引起的.通過(guò)文中提出的方法,可以修正測(cè)定值,給出更為準(zhǔn)確的器件縱向熱阻構(gòu)成.

摘要： 目的：研究GaN HEMT器件中肖特基結(jié)的陷阱效應(yīng)對(duì)利用正向肖特基電壓測(cè)量瞬態(tài)溫度曲線(xiàn)的影響,對(duì)測(cè)量結(jié)果提出了一種修正方法。方法：通過(guò)測(cè)量陷阱效應(yīng)引起的正向電壓變化,修正傳統(tǒng)方法下瞬態(tài)溫度曲線(xiàn)中利用結(jié)構(gòu)函數(shù)法提取的熱阻值。結(jié)果：修正后的結(jié)果具有高度一致性,這與器件加熱階段施加相同功率相吻合.結(jié)論：傳統(tǒng)利用正向肖特基結(jié)電壓方法測(cè)量溫度瞬態(tài)曲線(xiàn)會(huì)受到陷阱效應(yīng)的影響,該影響是由測(cè)試電流本身引起的.通過(guò)文中提出的方法,可以修正測(cè)定值,給出更為準(zhǔn)確的器件縱向熱阻構(gòu)成.

摘要： 一種III族氮化物半導(dǎo)體晶體的制造方法，包括在含有氮源和沒(méi)有金屬材料的氣氛中在襯底表面上淀積III族金屬微粒的步驟，在已淀積微粒的襯底表面上生長(zhǎng)III族氮化物半導(dǎo)體晶體的步驟。

摘要： 一種III族氮化物半導(dǎo)體晶體的制造方法，包括在含有氮源和沒(méi)有金屬材料的氣氛中在襯底表面上淀積III族金屬微粒的步驟，在已淀積微粒的襯底表面上生長(zhǎng)III族氮化物半導(dǎo)體晶體的步驟。

摘要： 本發(fā)明提供一種具有可提高偏光度的結(jié)構(gòu)的氮化鎵系半導(dǎo)體發(fā)光元件。發(fā)光二極管(11a)包括半導(dǎo)體區(qū)域(13)、InGaN層(15)及活性層(17)。半導(dǎo)體區(qū)域(13)具有表現(xiàn)出半極性的主面(13a)，且包含GaN或者AlGaN。半導(dǎo)體區(qū)域(13)的主面(13a)相對(duì)于與該主面(13a)的[0001]軸方向的基準(zhǔn)軸Cx正交的平面Sc以角度α傾斜。半導(dǎo)體區(qū)域(13)的厚度D

摘要： 一種用于制造外延結(jié)構(gòu)的方法，包括提供襯底（102,202,302,402）和襯底的第一側(cè)上的異質(zhì)結(jié)堆疊，以及在襯底的第二側(cè)上形成GaN發(fā)光二極管堆疊（134）。異質(zhì)結(jié)堆疊包括無(wú)摻雜氮化鎵（GaN）層和無(wú)摻雜GaN層上的摻雜氮化鋁鎵（AlGaN）層。GaN發(fā)光二極管堆疊（134）包括襯底之上的n型GaN層（136）、n型GaN層之上的GaN/氮化銦鎵（InGaN）多量子阱（MQW）結(jié)構(gòu)（138）、n型GaN/InGaN MQW結(jié)構(gòu)之上的p型AlGaN層（140），以及p型AlGaN層之上的p型GaN層（142）。

摘要： 一種單晶氮化鎵長(zhǎng)晶方法，在襯底基板上有規(guī)律地設(shè)條紋圖案，在其長(zhǎng)形成凹凸構(gòu)成的V溝(谷)并加以維持，同時(shí)讓GaN凹凸生長(zhǎng)，凹凸面構(gòu)成的V溝(谷)底部形成缺陷集合區(qū)H，將變位集結(jié)于此，實(shí)現(xiàn)其周?chē)牡腿毕輪尉^(qū)Z與C面生長(zhǎng)區(qū)Y的低變位化?？朔诉@些難點(diǎn)：自凹凸面構(gòu)成的坑的中央變位變位零亂分布、生成放射狀面狀缺陷、坑生成位置不可控制。

摘要： 提供一種高電子遷移率晶體管(HEMT)及其制造方法。按照本發(fā)明的實(shí)施例的這個(gè)器件包括：一個(gè)氮化鎵(GaN)溝道層和在溝道層上的一個(gè)氮化鋁鎵(AlGaN)的勢(shì)壘層。在勢(shì)壘層(16)上提供第一歐姆接觸區(qū)，用于形成源電極(18)；在勢(shì)壘層(16)上還提供與源電極(18)隔開(kāi)的第二歐姆接觸區(qū)，用于提供漏電極(20)。在勢(shì)壘層(16)上并在源電極(18)和漏電極(20)之間提供一個(gè)基于GaN的蓋帽區(qū)段(30)?；贕aN的蓋帽區(qū)段(30)具有靠近源電極(18)并與源電極(18)隔開(kāi)的第一側(cè)壁(31)和靠近漏電極(20)并與漏電極(20)隔開(kāi)的第二側(cè)壁(32)。在基于GaN的蓋帽區(qū)段(30)上提供非歐姆接觸區(qū)，用于形成柵接觸區(qū)(22)。柵接觸區(qū)(22)具有第一側(cè)壁(27)，它與基于GaN的蓋帽區(qū)段(30)的第一側(cè)壁(31)大體上對(duì)齊。柵接觸區(qū)(22)在基于GaN的蓋帽區(qū)段(30)的第一側(cè)壁(31)和第二側(cè)壁(32)之間的一部分距離上延伸。

摘要： 本發(fā)明提供一種具有可提高偏光度的結(jié)構(gòu)的氮化鎵系半導(dǎo)體發(fā)光元件。發(fā)光二極管(11a)包括半導(dǎo)體區(qū)域(13)、InGaN層(15)及活性層(17)。半導(dǎo)體區(qū)域(13)具有表現(xiàn)出半極性的主面(13a)，且包含GaN或者AlGaN。半導(dǎo)體區(qū)域(13)的主面(13a)相對(duì)于與該主面(13a)的[0001]軸方向的基準(zhǔn)軸Cx正交的平面Sc以角度α傾斜。半導(dǎo)體區(qū)域(13)的厚度D

摘要： 本發(fā)明提供與以往相比實(shí)現(xiàn)氮化鎵結(jié)晶更低的錯(cuò)位化，能實(shí)現(xiàn)氮化鎵結(jié)晶更高的品質(zhì)化的氮化鎵結(jié)晶生長(zhǎng)用藍(lán)寶石基板、氮化鎵結(jié)晶的制造方法及氮化鎵結(jié)晶。一種氮化鎵結(jié)晶生長(zhǎng)用藍(lán)寶石基板（10），其在藍(lán)寶石基板（11）的C面上形成多個(gè)微小凸部（12），以朝向藍(lán)寶石基板（11）的a軸方向距C面的角度為43.2度的面為基準(zhǔn)面，距該基準(zhǔn)面±10度以?xún)?nèi)的區(qū)域（13）占微小凸部（12）的表面積的5%以上的比例。一種氮化鎵結(jié)晶的制造方法，其使氮化鎵結(jié)晶（14）在該氮化鎵結(jié)晶生長(zhǎng)用藍(lán)寶石基板（10）上生長(zhǎng)。一種氮化鎵結(jié)晶（14），其由該制造方法制造。

摘要： 一種用于制造外延結(jié)構(gòu)的方法，包括提供襯底（102,202,302,402）和襯底的第一側(cè)上的異質(zhì)結(jié)堆疊，以及在襯底的第二側(cè)上形成GaN發(fā)光二極管堆疊（134）。異質(zhì)結(jié)堆疊包括無(wú)摻雜氮化鎵（GaN）層和無(wú)摻雜GaN層上的摻雜氮化鋁鎵（AlGaN）層。GaN發(fā)光二極管堆疊（134）包括襯底之上的n型GaN層（136）、n型GaN層之上的GaN/氮化銦鎵（InGaN）多量子阱（MQW）結(jié)構(gòu)（138）、n型GaN/InGaNMQW結(jié)構(gòu)之上的p型AlGaN層（140），以及p型AlGaN層之上的p型GaN層（142）。

摘要： 提供一種高電子遷移率晶體管(HEMT)及其制造方法。按照本發(fā)明的實(shí)施例的這個(gè)器件包括：一個(gè)氮化鎵(GaN)溝道層和在溝道層上的一個(gè)氮化鋁鎵(AlGaN)的勢(shì)壘層。在勢(shì)壘層(16)上提供第一歐姆接觸區(qū)，用于形成源電極(18)；在勢(shì)壘層(16)上還提供與源電極(18)隔開(kāi)的第二歐姆接觸區(qū)，用于提供漏電極(20)。在勢(shì)壘層(16)上并在源電極(18)和漏電極(20)之間提供一個(gè)基于GaN的蓋帽區(qū)段(30)?；贕aN的蓋帽區(qū)段(30)具有靠近源電極(18)并與源電極(18)隔開(kāi)的第一側(cè)壁(31)和靠近漏電極(20)并與漏電極(20)隔開(kāi)的第二側(cè)壁(32)。在基于GaN的蓋帽區(qū)段(30)上提供非歐姆接觸區(qū)，用于形成柵接觸區(qū)(22)。柵接觸區(qū)(22)具有第一側(cè)壁(27)，它與基于GaN的蓋帽區(qū)段(30)的第一側(cè)壁(31)大體上對(duì)齊。柵接觸區(qū)(22)在基于GaN的蓋帽區(qū)段(30)的第一側(cè)壁(31)和第二側(cè)壁(32)之間的一部分距離上延伸。