摘要： 利用Protel軟件設(shè)計出了合理的交流電線性隔離取樣的電路,模擬仿真驗證了用非線性光耦設(shè)計的電路來取代線性光耦隔離取樣的可行性。

摘要： 基于石墨納米材料,成功制備金屬-石墨-金屬結(jié)構(gòu)電磁誘導(dǎo)勢阱效應(yīng)室溫太赫茲探測器,實現(xiàn)了高性能的室溫太赫茲探測。器件在0.035 THz的響應(yīng)率達(dá)到20 kV/W,在0.1673 THz的響應(yīng)率達(dá)到11 kV/W,器件在0.035 THz的噪聲等效功率達(dá)到1.25pW/√Hz,在0.1673 THz的噪聲等效功率達(dá)到2.27pW/√Hz。我們的研究結(jié)果為石墨烯太赫茲探測器提供新的思路。

摘要： 隨著國家重視程度的不斷提高,碳排放現(xiàn)已作為一項指標(biāo)進(jìn)入交易市場。本文提出一種基于非分光紅外(NDIR)技術(shù),以GaSb發(fā)光二極管作為光源、光電導(dǎo)InAs光電二極管作為敏感元件實現(xiàn)CO_(2)濃度檢測方案。通過單光源雙檢測的測量方案,實現(xiàn)對溫度、壓強等外界干擾因素的抑制,并使用硬件搭建帶通濾波電路和軟件離散傅里葉變換(DFT)算法實現(xiàn)雙重濾波,最后根據(jù)CO_(2)濃度計算模型得到濃度結(jié)果。

摘要： 針對Y-酞菁氧鈦(Y-TiOPc)在780 nm有高的激光光譜響應(yīng),具有極低的暗電導(dǎo)率,良好的化學(xué)、光化學(xué)及熱穩(wěn)定性而被廣泛應(yīng)用于高性能數(shù)碼復(fù)印和激光打印機的光電導(dǎo)器件中,但存在溶劑誘導(dǎo)和機械力作用下晶型穩(wěn)定性差、在有機光導(dǎo)(OPC)器件涂布液的分散介質(zhì)中易聚集沉淀,導(dǎo)致分散液穩(wěn)定性差而使用壽命短、OPC器件光電導(dǎo)性能劣化、復(fù)印和打印質(zhì)量降低等嚴(yán)重問題,在晶型調(diào)節(jié)制備Y-TiOPc納米粒子的過程中,采用非離子表面活性劑聚乙二醇(PEG)和司班85(Span85)對其表面進(jìn)行修飾.構(gòu)建有效抑制溶劑誘導(dǎo)和機械力作用的分子保護(hù)層,系統(tǒng)研究了修飾條件和修飾效果.結(jié)果表明:PEG和Span85修飾后的納米Y-TiOPc粒度減小,在丁酮、四氫呋喃介質(zhì)中機械球磨4 h以及在丁酮、四氫呋喃介質(zhì)中作用30天的晶型穩(wěn)定性顯著改善,OPC器件涂布液靜置60天的光透射率變化明顯變小,分散穩(wěn)定性顯著改善,制備的Y-TiOPc的晶型轉(zhuǎn)化率提高.用2.0％(質(zhì)量分?jǐn)?shù))PEG修飾得到粒徑為55.8 nm的Y-TiOPc,作為載流子產(chǎn)生材料制備的激光有機光電導(dǎo)器件顯示了優(yōu)異的光電導(dǎo)性能,V0=-796 V、Vr=-27 V、Rd=11 V/s、E1/2=0.125μJ/cm2.用2.0％(質(zhì)量分?jǐn)?shù))PEG修飾的Y-TiOPc載流子產(chǎn)生層薄膜的粗糙度明顯降低,改善了膜的平整性.研究結(jié)果為工業(yè)化制備高性能納米Y-TiOPc提供了一個簡便可行的方法.

摘要： 超寬禁帶半導(dǎo)體β-Ga_(2)O_(3)的帶隙約為4.9 eV,是理想的日盲深紫外光電探測材料.最近,研究者利用β-Ga_(2)O_(3)薄膜,成功研制了四象限結(jié)構(gòu)位置敏感日盲深紫外光電探測器.該研究為Ga_(2)O_(3)在深紫外光、X射線定位或成像等領(lǐng)域的實際應(yīng)用提供了思路.

摘要： 利用鍍膜技術(shù)和硅平面工藝在經(jīng)過于氧氧化的硅襯底上制備一層鈦鈮酸鍶(SrNbxTi1-xO3)薄膜,然后制備成平面型薄膜光敏傳感器.對鈦鈮酸鍶薄膜的吸收光譜進(jìn)行測定,得到其禁帶寬度為2.70 eV,對可見光有良好的敏感性.樣品在穩(wěn)定光照下,光電流隨照度的增大而增大;溫度對光敏特性影響很大,本傳感器適用于穩(wěn)定光照和室溫下使用.

摘要： 自從Mitzi 等用脂肪胺與金屬鹵化物制備出具有可溶液加工性能的高遷移率鈣鈦礦結(jié)構(gòu)以來，有機-無機雜化鈣鈦礦結(jié)構(gòu)在光電功能材料研究領(lǐng)域引起重視。在這類材料中，脂肪胺組分僅起到了使雜化結(jié)構(gòu)在有機溶劑中溶解的作用，本身并不具備光電功能；材料的載流子傳輸?shù)刃阅苁墙饘冫u化物賦予的。為了使鈣鈦礦結(jié)構(gòu)中的有機組分也發(fā)揮光電功能，Chondroudis 等用帶脂肪胺基的可溶性齊聚噻吩代替簡單的脂肪胺制備出鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，并獲得電致熒光性能。盡管這種雜化材料的熒光性能不是很好，但這種性能的發(fā)現(xiàn)拓展了鈣鈦礦結(jié)構(gòu)在光電信息領(lǐng)域的應(yīng)用范圍。迄今為止用共軛高分子作為有機組分構(gòu)筑鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的還未見報道。本文報道一種雙取代聚乙炔/PbBr2 鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的制備及其光電導(dǎo)性能。

摘要： 本文報道了用MOCVD方法制備單晶GaN薄膜的紫外光電導(dǎo)特性.結(jié)果表明,沒有進(jìn)行Mg摻雜和弱摻雜的樣品具有顯著的光響應(yīng),而且光響應(yīng)弛豫時間也較短,隨著Mg摻雜波度的增加,光響應(yīng)變小,且弛豫時間變長.

摘要： 利用具有良好瞬態(tài)響應(yīng)的EG&G的4400信號檢測系統(tǒng)測量了a-Si:H樣品的退火態(tài)和不同時間曝光后的瞬態(tài)光電導(dǎo)的衰減情況.對實驗結(jié)果的擬合分析表明:有兩種陷阱對衰減有貢獻(xiàn);曝光使光生載流子的復(fù)合中心增加,壽命減小.比較了不同制備條件的非晶硅薄膜的光致變化情況,證實了高氫稀釋的薄膜更加穩(wěn)定.

摘要： 目前對ZnO的紫外探測器研究比較多,尤其是目盲區(qū)探測(4.4-5.6eV),而MgxZn1-xO六方相的合金薄膜具有在3.3eV-5.0eV可調(diào)節(jié),所以有必要制備和研究日盲區(qū)段的MgxZn1-xO薄膜。采用射頻磁擰濺射用x=0.00-0.45的MgxZn1-xO陶瓷靶在硅(100)和石英襯底上生長MgxZn1-xO薄膜。采用X射線衍射譜(XRD)、透射譜和光電導(dǎo)譜對樣品進(jìn)行表征。結(jié)果表明用MgxZn1-xO薄膜在x≤325時具有單一(002)取向的六方結(jié)構(gòu),其禁帶寬度Eg隨x增加而增加,在薄膜表面在入射光能量大于禁帶寬度時有光電響應(yīng),并且在x=0.325時得到了禁帶寬度在4.9eV的MgxZn1-xO薄膜。在x>0.325時出現(xiàn)立方相結(jié)構(gòu),禁帶寬度有所減少,說明此時已為混相薄膜。

摘要： 本文重點介紹了開設(shè)以內(nèi)光電效應(yīng)為理論基礎(chǔ)的半導(dǎo)體光電器件的重要性和迫切性。并詳盡介紹了內(nèi)光電效應(yīng)的理論與半導(dǎo)體光電器件的分類和應(yīng)用前景。

摘要： 本文重點介紹了開設(shè)以內(nèi)光電效應(yīng)為理論基礎(chǔ)的半導(dǎo)體光電器件的重要性和迫切性。并詳盡介紹了內(nèi)光電效應(yīng)的理論與半導(dǎo)體光電器件的分類和應(yīng)用前景。

摘要： 本文重點介紹了開設(shè)以內(nèi)光電效應(yīng)為理論基礎(chǔ)的半導(dǎo)體光電器件的重要性和迫切性。并詳盡介紹了內(nèi)光電效應(yīng)的理論與半導(dǎo)體光電器件的分類和應(yīng)用前景。

摘要： 本文重點介紹了開設(shè)以內(nèi)光電效應(yīng)為理論基礎(chǔ)的半導(dǎo)體光電器件的重要性和迫切性。并詳盡介紹了內(nèi)光電效應(yīng)的理論與半導(dǎo)體光電器件的分類和應(yīng)用前景。

摘要： 本文重點介紹了開設(shè)以內(nèi)光電效應(yīng)為理論基礎(chǔ)的半導(dǎo)體光電器件的重要性和迫切性。并詳盡介紹了內(nèi)光電效應(yīng)的理論與半導(dǎo)體光電器件的分類和應(yīng)用前景。

摘要： 本發(fā)明屬于太赫茲技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種光電導(dǎo)天線陣列及提高光電導(dǎo)天線陣列輻射功率的方法。本發(fā)明根據(jù)所需調(diào)制相位圖像，由空間光調(diào)制器對泵浦激光光束進(jìn)行相位調(diào)制，調(diào)制后的泵浦激光光束由匯聚透鏡聚焦于光電導(dǎo)天線陣列的各陣元所處平面，并形成匯聚的泵浦激光光斑圖像，泵浦激光光斑點分別精確處于各個陣元間隙的位置，泵浦激光光斑激發(fā)產(chǎn)生光生載流子，并在電極的作用下產(chǎn)生變化的電流，進(jìn)而產(chǎn)生向外輻射太赫茲波。本發(fā)明極大提高了光電導(dǎo)天線陣列泵浦激光的光強利用率，進(jìn)而提高光電導(dǎo)天線陣列的輻射功率，實現(xiàn)通過反饋模塊對天線的太赫茲輸出特性進(jìn)行實時優(yōu)化和調(diào)整。

摘要： 電子照相光電導(dǎo)體，包括：導(dǎo)電襯底；和導(dǎo)電襯底上至少光電導(dǎo)層，其中光電導(dǎo)層的最上面的表層包括通過化合物之間的聚合形成的三維交聯(lián)膜，每一化合物含有電荷輸送化合物和三個或更多個[(四氫-2H-吡喃-2-基)氧代]甲基基團(tuán)，其中電荷輸送化合物具有一個或多個芳環(huán)并且[(四氫-2H-吡喃-2-基)氧代]甲基基團(tuán)連接電荷輸送化合物的芳環(huán)，其中聚合在一些[(四氫-2H-吡喃-2-基)氧代]甲基基團(tuán)已部分地分裂和消除之后開始，并且其中三維交聯(lián)膜具有5.4或更高的電離電位。

摘要： 電子照相光電導(dǎo)體，包括傳導(dǎo)支撐物、電荷產(chǎn)生層、空穴傳輸層和空穴傳輸-保護(hù)層，這些層以這樣的順序被層壓在傳導(dǎo)支撐物上，其中空穴傳輸-保護(hù)層包含三維交聯(lián)產(chǎn)物，其通過用激活能量束照射自由基可聚合空穴傳輸化合物來鏈聚合至少自由基可聚合空穴傳輸化合物而獲得，并且其中空穴傳輸-保護(hù)層包含由下面通式(1)或(2)表示的

摘要： 本發(fā)明涉及電子照相光電導(dǎo)體和使用所述電子照相光電導(dǎo)體的圖像形成裝置。所述電子照相光電導(dǎo)體包含：導(dǎo)電載體；在所述導(dǎo)電載體上形成的底涂層；在所述底涂層上形成的電荷產(chǎn)生層；以及在所述電荷產(chǎn)生層上形成的電荷輸送層，所述底涂層至少含有粘合劑樹脂和利用無水二氧化硅進(jìn)行表面處理過的金屬氧化物微粒，所述電荷輸送層至少含有粘合劑樹脂和由下式(1)表示的烯胺化合物：

摘要： 本發(fā)明涉及電子照相光電導(dǎo)體和包含其的圖像形成裝置、及電子照相光電導(dǎo)體的底涂層形成用涂布液。所述電子照相光電導(dǎo)體包含導(dǎo)電載體、底涂層和感光層，所述底涂層和感光層依次形成在所述導(dǎo)電載體上，其中所述底涂層含有粘合劑樹脂、利用至少無水二氧化硅表面處理過的二氧化鈦粒子和利用至少含水二氧化硅表面處理過的二氧化鈦粒子。

摘要： 電子照相光電導(dǎo)體，其包括導(dǎo)電基底，和其上的光電導(dǎo)層，其中所述光電導(dǎo)層含有電荷產(chǎn)生劑和由通式(A-I)、(B-I)或(C-I)表示的電荷輸運劑以及由通式(II)表示的胺化合物：通式(A-I)其中R1-3每一個表示氫、鹵素或(未)取代的C1-6烷基，并且n是1或2，通式(B-I)其中，R1-2每一個表示C1-6烷基，R3-6每一個表示氫、鹵素或(未)取代的C1-6烷基，通式(C-I)其中，R8-33每一個表示氫、C1-4烷基、C1-4烷氧基、或(未)取代的苯基，并且R8-33可以是相同或不同的，通式(II)其中，A和B每一個表示式(i)或(ii)表示的基團(tuán)，并且可以是相同的或不同的：-CH2X式(i)-CH2CH2Y 式(ii)其中X和Y每一個表示(未)取代的芳基。

摘要： 本發(fā)明公開了一種光電導(dǎo)航吊艙及光電導(dǎo)航系統(tǒng)，所述光電導(dǎo)航吊艙包括：紅外熱像儀，用于對導(dǎo)引目標(biāo)進(jìn)行捕獲跟蹤，將導(dǎo)引目標(biāo)的視頻信息發(fā)送給控制單元；激光測距機，用于實時測量與所述引導(dǎo)目標(biāo)的距離，將導(dǎo)引目標(biāo)連續(xù)測距信息發(fā)送給控制單元；控制單元，用于接收地面顯控單元的控制指令，根據(jù)所述控制指令控制光電導(dǎo)航吊艙的轉(zhuǎn)動，控制光電導(dǎo)航吊艙的穩(wěn)定性，接收所述導(dǎo)引目標(biāo)的視頻信息，根據(jù)所述導(dǎo)引目標(biāo)連續(xù)測距信息和移動載體自身測角裝置發(fā)送的角度信息，計算出引導(dǎo)目標(biāo)的導(dǎo)航信息，并通過數(shù)據(jù)鏈將所述導(dǎo)航信息傳遞給所述引導(dǎo)目標(biāo)，以使引導(dǎo)目標(biāo)根據(jù)所述導(dǎo)航信息調(diào)整飛行狀態(tài)完成定點回收。

摘要： 本發(fā)明屬于太赫茲技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種光電導(dǎo)天線陣列及提高光電導(dǎo)天線陣列輻射功率的方法。本發(fā)明根據(jù)所需調(diào)制相位圖像，由空間光調(diào)制器對泵浦激光光束進(jìn)行相位調(diào)制，調(diào)制后的泵浦激光光束由匯聚透鏡聚焦于光電導(dǎo)天線陣列的各陣元所處平面，并形成匯聚的泵浦激光光斑圖像，泵浦激光光斑點分別精確處于各個陣元間隙的位置，泵浦激光光斑激發(fā)產(chǎn)生光生載流子，并在電極的作用下產(chǎn)生變化的電流，進(jìn)而產(chǎn)生向外輻射太赫茲波。本發(fā)明極大提高了光電導(dǎo)天線陣列泵浦激光的光強利用率，進(jìn)而提高光電導(dǎo)天線陣列的輻射功率，實現(xiàn)通過反饋模塊對天線的太赫茲輸出特性進(jìn)行實時優(yōu)化和調(diào)整。

摘要： 電子照相光電導(dǎo)體，包括傳導(dǎo)支撐物、電荷產(chǎn)生層、空穴傳輸層和空穴傳輸-保護(hù)層，這些層以這樣的順序被層壓在傳導(dǎo)支撐物上，其中空穴傳輸-保護(hù)層包含三維交聯(lián)產(chǎn)物，其通過用激活能量束照射自由基可聚合空穴傳輸化合物來鏈聚合至少自由基可聚合空穴傳輸化合物而獲得，并且其中空穴傳輸-保護(hù)層包含由下面通式(1)或(2)表示的

摘要： 電子照相光電導(dǎo)體，包括：導(dǎo)電襯底；和導(dǎo)電襯底上至少光電導(dǎo)層，其中光電導(dǎo)層的最上面的表層包括通過化合物之間的聚合形成的三維交聯(lián)膜，每一化合物含有電荷輸送化合物和三個或更多個[(四氫-2H-吡喃-2-基)氧代]甲基基團(tuán)，其中電荷輸送化合物具有一個或多個芳環(huán)并且[(四氫-2H-吡喃-2-基)氧代]甲基基團(tuán)連接電荷輸送化合物的芳環(huán)，其中聚合在一些[(四氫-2H-吡喃-2-基)氧代]甲基基團(tuán)已部分地分裂和消除之后開始，并且其中三維交聯(lián)膜具有5.4或更高的電離電位。