摘要： 研究了基于聯(lián)噻吩-氮雜異靛藍(lán)-雙(2-氧代二氫-7-氮雜吲哚-3-亞基)苯并二呋喃二酮的三組分給體-受體共軛聚合物(BTNIDNBIBDF-50)薄膜對(duì)二氧化氮?dú)怏w傳感特性。通過控制半導(dǎo)體濃度調(diào)控半導(dǎo)體薄膜表面形貌,研究其對(duì)二氧化氮?dú)怏w靈敏度的影響。聚合物半導(dǎo)體BTNIDNBIBDF-50的濃度為2 mg/mL時(shí)對(duì)NO_(2)氣體表現(xiàn)出最優(yōu)的傳感性能,對(duì)體積分?jǐn)?shù)為10×10^(-6) NO_(2)氣體的靈敏度為121.44%。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:三組分共軛聚合物BTNIDNBIBDF-50呈現(xiàn)雙極型半導(dǎo)體特性,降低聚合物半導(dǎo)體濃度會(huì)使薄膜表面出現(xiàn)明顯的孔洞結(jié)構(gòu),提高傳感器對(duì)NO_(2)氣體的靈敏度。但過多的孔洞又會(huì)使氣體解吸附速率的變化大于吸附速率變化,導(dǎo)致傳感器靈敏度降低。

摘要： 文中建立一種基于有機(jī)半導(dǎo)體TFT器件的模型,并將其應(yīng)用于基于有機(jī)TFT的AMOLED顯示背板驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),以實(shí)現(xiàn)閾值電壓補(bǔ)償功能。首先制備低壓有機(jī)TFT器件,并利用PSPICE工具對(duì)有機(jī)TFT器件進(jìn)行建模;然后詳細(xì)分析選取模型參數(shù),建立能夠準(zhǔn)確反映器件電學(xué)特性的模型;最后基于模型指導(dǎo),設(shè)計(jì)采用有機(jī)TFT的7T1C結(jié)構(gòu)的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路。此外,分析有機(jī)TFT器件具有的溫度依賴遷移率特性對(duì)屏幕亮度均勻性產(chǎn)生的影響。仿真結(jié)果表明:AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路可有效實(shí)現(xiàn)對(duì)TFT器件閾值電壓的補(bǔ)償;且屏幕亮度不一致率低于5%,遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)的2T1C像素驅(qū)動(dòng)電路,可大幅降低屏幕亮度的不均勻性。文中建立的有機(jī)TFT模型也可為其他基于有機(jī)器件的電路設(shè)計(jì)提供指導(dǎo)。

摘要： 在馮·諾依曼架構(gòu)陷入瓶頸的時(shí)代背景下,受生物神經(jīng)啟發(fā)而演化的人工突觸器件獲得了廣泛關(guān)注,加速了人們邁向人工智能時(shí)代的腳步.本文通過在P型有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)絕緣層SiO2表面進(jìn)行等離子處理,探究了界面處理引入羥基對(duì)OTFT突觸性能的影響.具體對(duì)絕緣層不同等離子處理時(shí)長(zhǎng)的OTFT進(jìn)行了突觸行為的模擬和對(duì)比,包括興奮性后突觸后電流(EPSC)、雙脈沖易化(PPF)、長(zhǎng)程可塑性(LTP)等.突觸特性的產(chǎn)生是由于等離子處理給半導(dǎo)體層/絕緣層界面引入的羥基對(duì)電子進(jìn)行了捕獲.而隨著等離子處理時(shí)間的增加,絕緣層表面更多的羥基使得OTFT表現(xiàn)出更強(qiáng)的記憶和保持能力、更高的線性度,更有利于其在類腦學(xué)習(xí)、神經(jīng)計(jì)算等方面的應(yīng)用.

摘要： 針對(duì)共軛聚合物薄膜分子有序性差、結(jié)晶度低的難題,開發(fā)了激光定向退火技術(shù),通過調(diào)節(jié)退火參數(shù),提高了聚合物薄膜結(jié)晶度,優(yōu)化了有機(jī)分子排列取向.首先通過旋涂工藝在SiO2/Si襯底上制備了共軛聚合物聚(3-己基噻吩)(P3HT)薄膜.其次采用激光定向退火技術(shù),通過調(diào)節(jié)激光功率和激光掃描速率,實(shí)現(xiàn)了高度有序的P3HT薄膜制備.最后,通過X射線衍射(XRD)和掃描電子顯微鏡(SEM)對(duì)薄膜表面微觀組織形貌進(jìn)行了表征.結(jié)果表明當(dāng)激光功率為5 W,掃描速率為0.1 mm/s時(shí),可得到最優(yōu)結(jié)晶取向的P3HT薄膜.以此高度排列有序的P3HT薄膜為有源層,制備了底柵頂接觸有機(jī)薄膜晶體管(OTFT),器件載流子遷移率可達(dá)1.8×10-3 cm2·V-1·s-1相較于傳統(tǒng)熱退火器件提升了一個(gè)數(shù)量級(jí)以上.所開發(fā)的激光定向退火技術(shù)有利于低成本、高性能有機(jī)半導(dǎo)體器件的發(fā)展.

摘要： 近幾十年來,有機(jī)薄膜晶體管由于自身優(yōu)異的柔性、溶液加工、物化性質(zhì)可調(diào)、基底適用性廣等優(yōu)勢(shì)在柔性顯示、全貼合傳感器陣列等現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域展現(xiàn)著遠(yuǎn)超常規(guī)硅基薄膜晶體管的應(yīng)用潛力。因有機(jī)薄膜晶體管溶液加工的特征,其制備可與多種印刷技術(shù)高度整合,尤其是晶體管溝道的活性層印刷。從有機(jī)薄膜晶體管的全印刷制備出發(fā),探討并總結(jié)了多種可用于晶體管制備的印刷策略,包括絲網(wǎng)印刷技術(shù)、刮涂印刷技術(shù)、凹版印刷技術(shù)、噴墨印刷技術(shù)以及其他印刷策略;還總結(jié)了薄膜晶體管不同部件的可印刷油墨材料,包括用于印刷金屬電極的金屬納米顆粒油墨、可用于印刷介電層的高介電常數(shù)交聯(lián)型高分子油墨、可用于印刷晶體管溝道的碳基、共軛小分子基、共軛聚合物基油墨;此外,根據(jù)晶體管的工作模式進(jìn)一步討論了可實(shí)現(xiàn)全印刷制備的有機(jī)薄膜晶體管類型,包括有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管、電解質(zhì)門控有機(jī)晶體管、有機(jī)電化學(xué)晶體管。最后,對(duì)有機(jī)薄膜晶體管及更復(fù)雜電路在全印刷制備中的挑戰(zhàn)和未來研究方向進(jìn)行了展望。

摘要： 利用有機(jī)材料PDVT-10中固有的持續(xù)光電導(dǎo)效應(yīng),結(jié)合鐵電材料P(VDF-TrFE)提供的極化電場(chǎng),通過調(diào)整鐵電材料的極化強(qiáng)度來實(shí)現(xiàn)對(duì)光突觸器件馳豫特性的調(diào)控。模擬了突觸的短期可塑性、雙脈沖易化性等基本功能,并進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了多級(jí)、可調(diào)光突觸。此外,持續(xù)光電導(dǎo)效應(yīng)的馳豫現(xiàn)象與生物突觸中Ca^(2+)的流動(dòng)特性相類似,可以更好地模擬生物突觸行為。研究結(jié)果為開發(fā)可調(diào)光突觸提供了一個(gè)新的思路。

摘要： 以ZnPc和CuPc混合物作為有機(jī)半導(dǎo)體光敏材料,制備了具有Cu/ZnPc-CuPc/Al/ZnPc-CuPc/ITO 5層垂直結(jié)構(gòu)的有機(jī)薄膜晶體管.制備過程采用真空蒸鍍及磁控濺射工藝.用波長(zhǎng)335 nm、625 nm和700 nm的光照射晶體管時(shí),晶體管工作電流有明顯放大,其中波長(zhǎng)700 nm光照射時(shí)電流放大倍數(shù)最大.當(dāng)Vb=0 V時(shí),工作電流受光照影響最為明顯.ZnPc/CuPc混合膜薄膜晶體管在波長(zhǎng)335 nm光照射下的光電敏感度最高.將混合材料的有機(jī)薄膜晶體管與ZnPc薄膜晶體管及CuPc薄膜晶體管的性能進(jìn)行比較,得知ZnPc/CuPc混合膜晶體管可利用兩種材料的光敏特性,用不同波長(zhǎng)的光進(jìn)行照射,器件均存在較高的光電敏感度,說明該器件可以用于寬波帶的光信號(hào)檢測(cè).

摘要： 在Si/SiO2襯底上使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)制備器件介電層的修飾層,改善介電層界面質(zhì)量并誘導(dǎo)有源層生長(zhǎng),從而提高有源層的結(jié)晶程度。通過真空蒸鍍法生長(zhǎng)并五苯/紅熒烯雙層結(jié)構(gòu)有源層,制備有機(jī)薄膜晶體管(OTFT),并研究器件性能隨紅熒烯層厚度變化的情況。測(cè)試結(jié)果表明,修飾后的器件閾值電壓為-3.55 V,電流開關(guān)比大于105,遷移率達(dá)到0.0558 cm^2/V·s,亞閾值擺幅為1.95 V/dec,器件總體性能得到改善。

摘要： 生物傳感器是一門由生物、化學(xué)、物理、醫(yī)學(xué)、電子技術(shù)等多種學(xué)科互相滲透成長(zhǎng)起來的高新技術(shù),在國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域如食品、制藥、化工、臨床檢驗(yàn)、生物醫(yī)學(xué)、環(huán)境監(jiān)測(cè)等方面有著重要應(yīng)用.生物傳感器選擇性好、靈敏度高、分析速度快、成本低,可在復(fù)雜的體系中進(jìn)行在線連續(xù)監(jiān)測(cè),特別是具有高度自動(dòng)化、微型化與集成化的特點(diǎn),其在近幾十年獲得了蓬勃而迅速的發(fā)展.在生物傳感器領(lǐng)域,有機(jī)電子器件具有廣闊的應(yīng)用前景,特別是在低成本、一次性、便攜、柔性彎曲等方面,有機(jī)電子器件顯示出無可比擬的優(yōu)勢(shì).在有機(jī)電子學(xué)領(lǐng)域,引起廣泛關(guān)注和研究的包括有機(jī)薄膜晶體管(Organic thin film transistors,OTFTs)生物傳感器和有機(jī)電化學(xué)晶體管(Organic electrochemical transistors,OECTs)生物傳感器兩種技術(shù).其中,OTFTs生物傳感器采用全固態(tài)薄膜制備,由于其制備工藝簡(jiǎn)單且可與傳統(tǒng)半導(dǎo)體加工工藝相兼容,因而方便集成.此外,OTFTs生物傳感器的檢測(cè)單元多樣化,不僅限于有機(jī)半導(dǎo)體層,其柵極和源漏電極都可用作生物檢測(cè).目前,在該生物傳感器中已成功應(yīng)用的高性能有源層材料有并五苯(Pentacene)、聚(3?己基噻吩)(P3HT)和聚苯胺(PANI)等.研究工作包括DNA表面固定方法改進(jìn)、傳感器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與靈敏度優(yōu)化、新型擴(kuò)展柵極結(jié)構(gòu)等.由于大多數(shù)檢測(cè)在非溶液體系中進(jìn)行,其檢測(cè)的便捷性和靈敏度受到了一定限制.為了解決溶液體系下的檢測(cè)問題,OECTs生物傳感器被提出.該傳感器不僅具有工作電壓低(一般小于1 V)、電化學(xué)活性強(qiáng)以及可在溶液環(huán)境下工作等優(yōu)點(diǎn),而且其溝道與柵極的距離可按需調(diào)節(jié).OECTs生物傳感器的出現(xiàn)為發(fā)展高靈敏、高特異性的生物分析檢驗(yàn)方法注入了活力.目前,OECTs生物傳感器已成功應(yīng)用于脫氧核糖核酸(Deoxyribonucleic acid,DNA)、抗原和細(xì)菌等物質(zhì)的檢測(cè).雖然微流控系統(tǒng)的OECT傳感器陣列也已成功檢測(cè)葡萄糖和乳酸,但考慮到其實(shí)際制備過程以及檢測(cè)環(huán)境,OECTs傳感器在集成方面的發(fā)展較為困難.本文歸納了基于OTFTs和OECTs兩種類型生物傳感器技術(shù)及其發(fā)展現(xiàn)狀.根據(jù)檢測(cè)物質(zhì)分類,本文對(duì)兩種生物傳感器在葡萄糖、DNA、抗體抗原、細(xì)胞、多巴胺等生物檢測(cè)應(yīng)用中進(jìn)行了詳細(xì)描述,介紹了其傳感機(jī)制和檢測(cè)能力.預(yù)計(jì)隨著有機(jī)電子技術(shù)的發(fā)展,有機(jī)晶體管將會(huì)在生物檢測(cè)方面發(fā)揮更為重要的作用.

摘要： 有機(jī)薄膜晶體管是組成柔軟廉價(jià)的有機(jī)電子器件的基本元件,不僅在材料科學(xué)的基礎(chǔ)研究中引起廣泛的興趣,而且具有潛在的市場(chǎng)價(jià)值.有機(jī)半導(dǎo)體分子的堆砌與組裝方式是決定其在薄膜晶體管中導(dǎo)電能力的一個(gè)重要因素.另一方面,作為一種界面器件,有機(jī)薄膜晶體管的性能又高度依賴于介電層表面的結(jié)構(gòu)和性質(zhì).在此,報(bào)告兩類新穎的分子自組裝結(jié)構(gòu)及其在高性能有機(jī)薄膜晶體管中的應(yīng)用.一類是六苯并苝衍生物的自組裝單分子層.六苯并苝具有一個(gè)扭曲的共扼骨架，通過一種非常特殊的千兀堆砌方式，形成二維的半導(dǎo)體單層膜。由于這種新穎的自組裝結(jié)構(gòu)可以容納多種功能基團(tuán)，通過向六苯并苝引入不同的官能團(tuán)，就可以方便地實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體單層膜表面的功能化。利用六苯并苝衍生物的自組裝分子層，成功制備了單個(gè)分子厚度的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，還結(jié)合薄膜晶體管與微流控技術(shù)制備了電子傳感器，實(shí)現(xiàn)了對(duì)水溶液中氟離子的高效檢測(cè)。 另一類自組裝單分子層則由帶有環(huán)己基末端基團(tuán)的長(zhǎng)鏈麟酸分子在氧化鋁表面形成。這種單分子層高度有序，而且表面能被大多數(shù)有機(jī)溶劑完全浸潤(rùn)，因而是一種理想的介電層表面。在其表面，通過滴涂或提拉溶液的方法制備了四氮雜并五苯衍生物的N-型有機(jī)薄膜晶體管，其電子遷移率達(dá)到11 cm2/V S，并在變溫實(shí)驗(yàn)中表現(xiàn)出類似能帶傳輸?shù)奶卣?。在這種單分子層表面，還通過真空蒸鍍成功制備了C60的外延生長(zhǎng)薄膜，其電子遷移率達(dá)到20cmz/V s。

摘要： 本文通過噴涂沉積的方法制備出了基于P3HT/C61異質(zhì)結(jié)薄膜的有機(jī)薄膜晶體管二氧化氮(NO2)氣體傳感器的有源層.并對(duì)該傳感器的電學(xué)特性和氣敏性能進(jìn)行了測(cè)試.此外,本文通過掃描電鏡分析(SEM)對(duì)P3HT薄膜與P3HT/C61薄膜進(jìn)行了表征分析,并對(duì)薄膜的氣敏響應(yīng)機(jī)理進(jìn)行了分析.實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示P3HT/C61復(fù)合薄膜傳感器表現(xiàn)出最佳性能,其電學(xué)特性最為優(yōu)越,氣敏特性展示出復(fù)合膜的響應(yīng)度大幅提升,靈敏度高,線性度好.

摘要： 一種兼容的雙界面修飾被成功應(yīng)用于修飾有機(jī)薄膜晶體管的底接觸電極和絕緣層界面.這種兼容的雙界面修飾為首先采用4-FTP修飾銀源漏電極進(jìn)而提高其功函數(shù),然后采用HMDS或者OTS進(jìn)一步修飾二氧化硅絕緣層界面.結(jié)果顯示場(chǎng)遷移率得到極大提高,其最優(yōu)特性高達(dá)0.91cm2V-1s-1.

摘要： 基于聚合物絕緣材料,采用溶液法旋涂工藝制作有機(jī)薄膜晶體管,通過不同柵極和漏極的制備工藝,對(duì)比有機(jī)薄膜晶體管的器件性能.結(jié)果表明,不同金屬電極的制備工藝對(duì)器件的開態(tài)電阻影響明顯.當(dāng)采用lift-off工藝,開態(tài)電阻約為4.8×107Ω;采用濕刻工藝對(duì)蒸鍍?cè)诮^緣層材料上的金屬電極進(jìn)行處理,開態(tài)電阻會(huì)有明顯的下降,約為3.6×106Ω.

摘要： 有機(jī)薄膜晶體管在未來柔性、低成本、大面積電子器件方面有很好的應(yīng)用前景.但是,實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn),有機(jī)薄膜晶體管源漏電極與溝道之間存在著較大接觸電阻,是影響有機(jī)薄膜晶體管性能的主要因素之一.本文運(yùn)用傳輸線模型,來研究底柵頂接觸和底柵底接觸兩種結(jié)構(gòu)的有機(jī)薄膜晶體管的接觸電阻.根據(jù)這一模型,對(duì)比了底柵頂接觸和底柵底接觸結(jié)構(gòu)接觸電阻的大小,與實(shí)驗(yàn)事實(shí)相符合,解釋了頂接觸結(jié)構(gòu)的接觸電阻相對(duì)較小的原因.對(duì)于底柵底接觸結(jié)構(gòu)的傳輸線模型,將其與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行了對(duì)比,發(fā)現(xiàn)它可以很好的擬合實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),證實(shí)了模型的正確性.隨后,研究了柵壓和源漏電極的厚度、寬度及接觸角度對(duì)底接觸結(jié)構(gòu)接觸電阻的影響.這些結(jié)果可以用來優(yōu)化有機(jī)薄膜晶體管的結(jié)構(gòu),從而獲得更低接觸電阻、更高性能的有機(jī)薄膜晶體管.

摘要： 有機(jī)薄膜晶體管(OTFTs)這種新型的有機(jī)半導(dǎo)體材料的研究有廣泛的應(yīng)用前景,其結(jié)構(gòu)的表征對(duì)于這種類型的化合物的研究是至關(guān)重要的.本文應(yīng)用激光質(zhì)譜對(duì)含有不同結(jié)構(gòu)的己基乙炔以及辛基乙炔的蒽的二聚、三聚以及五聚體進(jìn)行了研究。

摘要： 有機(jī)TFT的性能指標(biāo)已經(jīng)超越非晶硅TFT，可以滿足OLED的技術(shù)基本要求。根據(jù)LCD、OLED和電子紙等技術(shù)的發(fā)展需求及時(shí)開發(fā)相適應(yīng)的有源基板技術(shù)，是有機(jī)TFT面臨的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。本文介紹了TFT的加工方法，包括濕法加工和干法加工，并分析其各自應(yīng)用的市場(chǎng)，即濕法加工用于電子紙市場(chǎng)；干法加工用于OLED和超大尺寸LCD技術(shù)市場(chǎng)。

摘要： 有機(jī)TFT的性能指標(biāo)已經(jīng)超越非晶硅TFT，可以滿足OLED的技術(shù)基本要求。根據(jù)LCD、OLED和電子紙等技術(shù)的發(fā)展需求及時(shí)開發(fā)相適應(yīng)的有源基板技術(shù)，是有機(jī)TFT面臨的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。本文介紹了TFT的加工方法，包括濕法加工和干法加工，并分析其各自應(yīng)用的市場(chǎng)，即濕法加工用于電子紙市場(chǎng)；干法加工用于OLED和超大尺寸LCD技術(shù)市場(chǎng)。

摘要： 有機(jī)TFT的性能指標(biāo)已經(jīng)超越非晶硅TFT，可以滿足OLED的技術(shù)基本要求。根據(jù)LCD、OLED和電子紙等技術(shù)的發(fā)展需求及時(shí)開發(fā)相適應(yīng)的有源基板技術(shù)，是有機(jī)TFT面臨的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。本文介紹了TFT的加工方法，包括濕法加工和干法加工，并分析其各自應(yīng)用的市場(chǎng)，即濕法加工用于電子紙市場(chǎng)；干法加工用于OLED和超大尺寸LCD技術(shù)市場(chǎng)。

摘要： 有機(jī)TFT的性能指標(biāo)已經(jīng)超越非晶硅TFT，可以滿足OLED的技術(shù)基本要求。根據(jù)LCD、OLED和電子紙等技術(shù)的發(fā)展需求及時(shí)開發(fā)相適應(yīng)的有源基板技術(shù)，是有機(jī)TFT面臨的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。本文介紹了TFT的加工方法，包括濕法加工和干法加工，并分析其各自應(yīng)用的市場(chǎng)，即濕法加工用于電子紙市場(chǎng)；干法加工用于OLED和超大尺寸LCD技術(shù)市場(chǎng)。

摘要： 本發(fā)明提供一種方法，其降低作為透明電極的第2電極、和第1電極(柵、源、漏)的接觸部的接觸電阻，抑制電池反應(yīng)。該方法包括下述工序：在透明絕緣性基板上使用鋁合金而形成作為第1電極的薄膜晶體管的第1電極(源等)的工序；覆蓋第1電極及基板而形成絕緣膜的工序；在絕緣膜上形成接觸孔的工序；在絕緣膜上形成第2電極(透明電極)，并經(jīng)由所述接觸孔直接電連接第2電極和第1電極的工序，鋁合金是含有Ni、和從Mo、Nb、W、Zr中選擇的一種以上的金屬的鋁合金。

摘要： 本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜晶體管用感光性樹脂組合物，其可形成由固化膜產(chǎn)生的逸氣極少、驅(qū)動(dòng)性能優(yōu)異的薄膜晶體管用絕緣層。為了實(shí)現(xiàn)所述目的，本發(fā)明具有以下的構(gòu)成。即，一種薄膜晶體管用感光性樹脂組合物，其含有(A)具有酰胺基及/或酰亞胺基的堿溶性樹脂、(B)感光性化合物、以及(C)有機(jī)溶劑，其中，所述(C)有機(jī)溶劑中，具有氮原子的有機(jī)溶劑的含量相對(duì)于有機(jī)溶劑總量而言為1質(zhì)量％以下。

摘要： 本發(fā)明提供一種含有下述(a)～(c)的有機(jī)半導(dǎo)體組合物、使用了該組合物的有機(jī)薄膜晶體管的制造方法以及在有機(jī)半導(dǎo)體層具有上述(a)及(b)的有機(jī)薄膜晶體管：(a)特定分子量且特定結(jié)構(gòu)的有機(jī)半導(dǎo)體聚合物；(b)特定分子量的絕緣性聚合物；(c)溶劑，上述有機(jī)半導(dǎo)體聚合物的重均分子量Mw1和上述絕緣性聚合物的重均分子量Mw2滿足下述關(guān)系式：0.1≤Mw1/Mw2≤10，上述有機(jī)半導(dǎo)體組合物中的上述有機(jī)半導(dǎo)體聚合物的含量C1質(zhì)量％和上述絕緣性聚合物的含量C2質(zhì)量％滿足下述關(guān)系式：0.1≤C1/C2≤10。

摘要： 本發(fā)明提供柵絕緣膜、有機(jī)薄膜晶體管及其制造方法，該柵絕緣膜的膜質(zhì)不會(huì)由于形成電極等時(shí)的加熱、藥液處理等而變化，在有機(jī)半導(dǎo)體層的形成時(shí)可以維持高的平坦性。另外提供通過使用這種柵絕緣膜、載流子遷移率大、可以顯現(xiàn)穩(wěn)定的晶體管特性的有機(jī)薄膜晶體管及其制造方法。本發(fā)明為柵絕緣膜，其含有使如下的組合物固化而成的固化物，該組合物以(A)使雙酚型環(huán)氧化合物和含乙烯性不飽和鍵基團(tuán)的單羧酸反應(yīng)而成的化合物及(B)以光聚合引發(fā)劑或熱聚合引發(fā)劑為必需成分，固化物中含有(A)成分40～90質(zhì)量％、含有(B)成分0.1～30質(zhì)量％，另外，本發(fā)明為將所述組合物涂布在柵電極上并使其固化而成的有機(jī)薄膜晶體管及其制造方法。

摘要： 提供柵絕緣膜、有機(jī)薄膜晶體管及有機(jī)薄膜晶體管的制造方法，柵絕緣膜的膜質(zhì)不會(huì)由于形成電極等時(shí)的加熱、藥液處理等而變化，在有機(jī)半導(dǎo)體層形成時(shí)可維持高平坦性。另外提供使用了這種柵絕緣膜的有機(jī)薄膜晶體管及其制造方法。本發(fā)明為柵絕緣膜，其使含有如下組分的組合物固化而成，該組合物含有(A)相對(duì)于使雙酚型環(huán)氧化合物和含乙烯性不飽和鍵基團(tuán)的單羧酸反應(yīng)而成的化合物、使a)二羧酸或三羧酸或其酸酐及b)四羧酸或其酸二酐以a/b的摩爾比為0.1～10的范圍反應(yīng)而得到的化合物、(B)具有至少1個(gè)乙烯性不飽和鍵的聚合性單體及(C)環(huán)氧化合物，另外本發(fā)明為在柵電極上涂布所述組合物而并使其固化的有機(jī)薄膜晶體管及其制造方法。

摘要： 本發(fā)明涉及一種有機(jī)薄膜晶體管及提高有機(jī)薄膜晶體管遷移率的方法。該有機(jī)薄膜晶體管采用底柵頂接觸結(jié)構(gòu)，器件從下往上依次是一定尺寸的帶有一定厚度二氧化硅氧化層的硅片，有機(jī)半導(dǎo)體聚合物薄膜，以及通過熱蒸發(fā)的方式制作的源漏電極。本發(fā)明制作的有機(jī)薄膜晶體管器件，其有源層在制備完成后，將硅片置于如圖所示裝置中進(jìn)行溶劑蒸汽退火處理，同時(shí)，在該裝置兩側(cè)的電極基板上施加一定大小的電場(chǎng)，通過電場(chǎng)增加有源層分子排列的有序性，從而提高該薄膜晶體管的遷移率和相關(guān)電學(xué)性能。本發(fā)明所述的溶劑蒸汽退火及加電場(chǎng)處理的方式，其方法簡(jiǎn)單，易操作，投入成本低，且得到的有機(jī)薄膜晶體管遷移率有較大提升。

摘要： 本發(fā)明提供一種具備含有由特定式表示的化合物的有機(jī)半導(dǎo)體膜的有機(jī)薄膜晶體管、能夠優(yōu)選使用于該有機(jī)薄膜晶體管的有機(jī)半導(dǎo)體膜、化合物及有機(jī)薄膜晶體管用組合物、以及包括將上述有機(jī)薄膜晶體管用組合物涂布于基板上而形成有機(jī)半導(dǎo)體膜的工序的有機(jī)薄膜晶體管的制造方法。

摘要： 本發(fā)明提供一種含有下述(a)～(c)的有機(jī)半導(dǎo)體組合物、使用了該組合物的有機(jī)薄膜晶體管的制造方法以及在有機(jī)半導(dǎo)體層具有上述(a)及(b)的有機(jī)薄膜晶體管：(a)特定分子量且特定結(jié)構(gòu)的有機(jī)半導(dǎo)體聚合物；(b)特定分子量的絕緣性聚合物；(c)溶劑，上述有機(jī)半導(dǎo)體聚合物的重均分子量Mw1和上述絕緣性聚合物的重均分子量Mw2滿足下述關(guān)系式：0.1≤Mw1/Mw2≤10，上述有機(jī)半導(dǎo)體組合物中的上述有機(jī)半導(dǎo)體聚合物的含量C1質(zhì)量％和上述絕緣性聚合物的含量C2質(zhì)量％滿足下述關(guān)系式：0.1≤C1/C2≤10。

摘要： 本發(fā)明涉及一種有機(jī)薄膜晶體管及提高有機(jī)薄膜晶體管遷移率的方法。該有機(jī)薄膜晶體管采用底柵頂接觸結(jié)構(gòu)，器件從下往上依次是一定尺寸的帶有一定厚度二氧化硅氧化層的硅片，有機(jī)半導(dǎo)體聚合物薄膜，以及通過熱蒸發(fā)的方式制作的源漏電極。本發(fā)明制作的有機(jī)薄膜晶體管器件，其有源層在制備完成后，將硅片置于如圖所示裝置中進(jìn)行溶劑蒸汽退火處理，同時(shí)，在該裝置兩側(cè)的電極基板上施加一定大小的電場(chǎng)，通過電場(chǎng)增加有源層分子排列的有序性，從而提高該薄膜晶體管的遷移率和相關(guān)電學(xué)性能。本發(fā)明所述的溶劑蒸汽退火及加電場(chǎng)處理的方式，其方法簡(jiǎn)單，易操作，投入成本低，且得到的有機(jī)薄膜晶體管遷移率有較大提升。

摘要： 本發(fā)明提供柵絕緣膜、有機(jī)薄膜晶體管及其制造方法，該柵絕緣膜的膜質(zhì)不會(huì)由于形成電極等時(shí)的加熱、藥液處理等而變化，在有機(jī)半導(dǎo)體層的形成時(shí)可以維持高的平坦性。另外提供通過使用這種柵絕緣膜、載流子遷移率大、可以顯現(xiàn)穩(wěn)定的晶體管特性的有機(jī)薄膜晶體管及其制造方法。本發(fā)明為柵絕緣膜，其含有使如下的組合物固化而成的固化物，該組合物以(A)使雙酚型環(huán)氧化合物和含乙烯性不飽和鍵基團(tuán)的單羧酸反應(yīng)而成的化合物及(B)以光聚合引發(fā)劑或熱聚合引發(fā)劑為必需成分，固化物中含有(A)成分40～90質(zhì)量％、含有(B)成分0.1～30質(zhì)量％，另外，本發(fā)明為將所述組合物涂布在柵電極上并使其固化而成的有機(jī)薄膜晶體管及其制造方法。