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第一性原理

第一性原理的相關(guān)文獻在1981年到2023年內(nèi)共計3437篇,主要集中在物理學、化學、金屬學與金屬工藝 等領域,其中期刊論文3191篇、會議論文218篇、專利文獻454712篇;相關(guān)期刊621種,包括材料導報、功能材料、中國有色金屬學報等; 相關(guān)會議140種,包括2015年中國地球科學聯(lián)合學術(shù)年會、第七屆國際分子模擬與信息技術(shù)應用學術(shù)會議、2014年中國地球科學聯(lián)合學術(shù)年會等;第一性原理的相關(guān)文獻由7636位作者貢獻,包括張麗麗、謝泉、侯清玉等。

第一性原理—發(fā)文量

期刊論文>

論文:3191 占比:0.70%

會議論文>

論文:218 占比:0.05%

專利文獻>

論文:454712 占比:99.26%

總計:458121篇

第一性原理—發(fā)文趨勢圖

第一性原理

-研究學者

  • 張麗麗
  • 謝泉
  • 侯清玉
  • 韓培德
  • 趙輝
  • 雷博程
  • 江勇
  • 趙春旺
  • 張富春
  • 閆萬珺
  • 期刊論文
  • 會議論文
  • 專利文獻

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排序:

年份

作者

    • 胡曉蓉; 羅雅婧; 陳建華; 許大洪; 全柏飛
    • 摘要: 采用密度泛函理論分析了2-巰基苯并噻唑(MBT)、2-巰基苯基惡唑(MBO)和2-巰基苯基咪唑(MBI)三種螯合捕收劑的電子結(jié)構(gòu),系統(tǒng)地研究了分別取代N、O、S原子對捕收劑的性質(zhì)的影響。研究結(jié)果表明:MBO費米能級附近主要由硫原子貢獻組成,S_(1)、S_(2)原子具有較高活性,表現(xiàn)出更強的電子活性,說明MBO的捕收性和選擇性比其他兩種捕收劑的都強。通過前線軌道計算可知MBO與礦物的相互作用最強,其結(jié)果很好地解釋了三種螯合捕收劑發(fā)生作用的差別。試驗中三種螯合捕收劑浮選黃銅礦和黃鐵礦時,MBO、MBT、MBI對黃銅礦的回收率依次為88%、63%、42%,對黃鐵礦的回收率都小于20%,浮選回收率最好的藥劑為MBO。因此取代O原子的捕收劑MBO對黃銅礦的選擇性最好,捕收能力更強,浮選回收率也更高。研究結(jié)果為進一步認清黃銅礦和黃鐵礦的可浮性差異及新藥劑開發(fā)提供了理論指導參考。
    • 肖美霞; 冷浩; 姚婷珍; 王磊; 何成
    • 摘要: 碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料的典型代表,是目前應用最理想的寬禁帶半導體材料之一,在半導體照明、電子設備等領域具有廣闊的應用前景。本工作通過基于密度泛函理論并考慮原子間范德華力相互作用的第一性原理,系統(tǒng)地研究了SiC沉積在表面完全氫化的BN襯底上形成的SiC/HBNH異質(zhì)薄膜的原子結(jié)構(gòu)和電學性質(zhì),并探索電場對其能隙的調(diào)控效果。研究結(jié)果表明,Si和C原子相對HBNH薄膜的位置將決定其結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性及異質(zhì)薄膜間相互作用的強弱程度,因此堆垛類型可有效調(diào)節(jié)SiC/HBNH異質(zhì)薄膜的能隙,并且異質(zhì)薄膜的導帶底和價帶頂分別由SiC、HBNH納米薄膜來決定,可實現(xiàn)電子和空穴輸運軌道的分離。當施加外電場時,SiC/HBNH異質(zhì)薄膜能隙伴隨電場強度的增加呈現(xiàn)出近似線性下降分布,會由直接能隙轉(zhuǎn)變?yōu)殚g接能隙,甚至轉(zhuǎn)變?yōu)閷w,這主要是由電場增強異質(zhì)薄膜間的相互作用引起的。該研究結(jié)果證實了堆垛類型和電場可有效調(diào)節(jié)SiC/HBNH異質(zhì)薄膜的電學性質(zhì),降低電子和空穴的結(jié)合概率,為其應用于新型電子納米器件提供重要的理論指導。
    • 許大洪; 陳曄
    • 摘要: 采用浮選溶液化學理論結(jié)合第一性原理研究了高硅型異極礦硫化—胺類捕收劑浮選作用機理。研究表明,長鏈胺分子對異極礦回收率高于短鏈胺分子,直鏈胺分子的捕收能力優(yōu)于同分子量的支鏈結(jié)構(gòu);礦漿pH值為11有利于異極礦與石英的分離,十八伯胺的適宜用量為1.25×10^(-4) mol/L;硫化鈉可以顯著提高異極礦回收率。溶液化學分析顯示HS-是礦物表面活化作用的主要成分,且其濃度為(1.950~6.180)×10^(-3) mol/L時,礦物回收率均在85%以上。第一性原理計算表明HS-可以與異極礦表面Zn和O_(1)位點成鍵,但吸附作用不強;而十八伯胺與異極礦表面的吸附作用更弱,因此需要過量硫化才能有利于異極礦的浮選。
    • 趙鑫; 謝華; 方聲浩; 莊??; 葉寧
    • 摘要: ZnGeP_(2)晶體在9~10μm的光學吸收限制了其在中遠紅外波段的應用,該波段吸收與其晶格振動有關(guān)。本文通過理論計算與實驗相結(jié)合的方法,解釋了晶體紅外截止邊和9μm附近吸收峰的物理機制。通過布里奇曼法生長出ZnGeP_(2)單晶,并測試生長得到的ZnGeP_(2)晶體的變溫拉曼光譜和變壓拉曼光譜,基于第一性原理方法計算了ZnGeP_(2)布里淵區(qū)中心的振動頻率,并計算了不同壓力下晶體的晶格常數(shù)和拉曼位移峰的位置。實驗結(jié)果與理論計算結(jié)果表明:溫度升高使得其振動模發(fā)生紅移,且振動模強度減弱,半峰全寬變大,而壓力增大則會引起ZnGeP_(2)晶體振動模發(fā)生藍移,振動模強度減弱,半峰全寬變大。
    • 史文強; 張勁松; 劉越
    • 摘要: 為分析單軸應力下硅晶體的電學性質(zhì),使用第一性原理方法分析了硅晶體在單軸拉伸以及單軸壓縮條件下的強度及禁帶寬度性質(zhì)。計算了沿著[110][111][100]三個晶向的單軸壓縮和拉伸強度,并在低于破壞強度的應力范圍內(nèi),使用格林函數(shù)方法計算了不同單軸應力下硅晶體的禁帶寬度。結(jié)果表明,理想晶體硅禁帶寬度受單軸應力的影響變化明顯,甚至可由單軸應力誘導產(chǎn)生半導體金屬性質(zhì)變化。文章研究結(jié)果將對硅技術(shù)在傳感器等領域的應用提供重要的理論支持。
    • 萬怡; 賀福強; 徐浩然; 賴大港
    • 摘要: 采用第一性原理研究方法,構(gòu)建了鋰離子摻雜石墨的超晶胞模型,探究鋰離子不同摻雜方式以及不同摻雜濃度對石墨結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和電子性質(zhì)的影響。實驗數(shù)據(jù)表明:插層摻雜后石墨的結(jié)合能為-1.637eV,結(jié)構(gòu)體系穩(wěn)定,且穩(wěn)定程度隨著鋰離子濃度的增加而增大;取代摻雜后結(jié)合能為21.004 eV,結(jié)構(gòu)體系不穩(wěn)定。鋰離子不同位點插層摻雜的石墨的能帶帶寬分別為3.671eV和3.654 eV,導電性能微弱提高;取代摻雜后的石墨能帶帶寬為0.951 eV,導電性能明顯提高。石墨的能帶帶寬隨著鋰離子摻雜濃度的增加而減小,這表明電子從價帶躍遷到導帶更加容易,導電性能變得更好。
    • 陽王東; 楊昊; 冷燦; 潘佳銘; 唐卓; 田澤安; 李肯立
    • 摘要: 隨著信息學和數(shù)據(jù)科學工具的發(fā)展,各種計算機科學軟件在材料模擬計算領域的應用不斷增加.為了加速催化劑的篩選,開展了基于信息工具如何改善和增強材料篩選的研究,介紹一種基于第一性原理的高通量材料集成計算框架GASpy(Generalized Adsorption Simulator for Python).該框架支持計算任務的自動化流程管理,可以借助Fireworks調(diào)用DFT(Density Functional Theory)計算,并可以將運算結(jié)果以及中間步驟保存至MongoDB數(shù)據(jù)庫.平臺支持與不同高性能計算集群的動態(tài)綁定,支持大批量計算作業(yè)的生成、提交.平臺同時支持數(shù)據(jù)的提取、自動存儲.利用GASpy在天河一號上對材料網(wǎng)站上獲取的晶體結(jié)構(gòu)進行了實驗測試,進行晶體結(jié)構(gòu)優(yōu)化并計算吸附能,結(jié)果表明結(jié)合各種信息學工具可以更加靈活高效地實現(xiàn)大規(guī)模自動化的DFT材料模擬計算,在模擬電催化領域有較好的應用前景.
    • 許正昊; 王發(fā)展; 何浩平
    • 摘要: 本文基于密度泛函理論的第一性原理方法,構(gòu)建了Na-Ti共摻LiFePO_(4)的模型,并利用CASTEP模塊計算了共摻體系的電子結(jié)構(gòu)和彈性性質(zhì)。計算結(jié)果表明,由于引入了雜質(zhì)原子,共摻體系的晶胞參數(shù)略微增加,帶隙由0.695 eV降低至0.473 eV,電子躍遷所需能量減小。并且鋰離子遷移勢壘由0.34 eV降低至0.25 eV,使得共摻后的結(jié)構(gòu)導電性增強。彈性性質(zhì)計算結(jié)果表明,共摻后結(jié)構(gòu)的體積模量、剪切模量以及楊氏模量均有不同程度的下降,而計算的泊松比顯示材料摻雜前后均為脆性,但共摻雜后的材料塑性強于未摻雜的材料,并且共摻后晶體的各向異性減弱,提高了LiFePO_(4)的延展性。
    • 姚建剛; 宮裕祥; 江勇
    • 摘要: L1_(2)-Al_(3)Sc納米析出相的熱穩(wěn)定性對于Al-Sc合金的耐熱性意義重大.不同溶質(zhì)原子在L1_(2)-Al_(3)Sc界面的偏析行為可能對Al-Sc合金中L1_(2)-Al_(3)Sc析出相的熱穩(wěn)定性造成影響.本文針對過渡族微合金化元素Cu和Ti的L1_(2)-Al_(3)Sc/Al界面偏析,開展第一性原理能量學計算研究.結(jié)果表明,Cu和Ti均傾向于以替換方式偏析在界面Al側(cè),但偏析驅(qū)動力和偏析占位有明顯差異.在給定溫度下,基體濃度對界面偏析量也有重要影響.基體濃度越高,偏析驅(qū)動力越大,界面平衡偏析量或最大界面覆蓋率越大.溫度為600 K、基體原子濃度為1%時,Ti對偏析界面的最大覆蓋率可達80%(0.8單原子層),而Cu不超過4%(0.04單原子層).
    • 盧學峰; 王寬; 崔志紅
    • 摘要: 使用第一性原理研究了純(5,5)單壁碳納米管(SWCNTs)和摻雜(Si,Ge,Sn)SWCNTs的電子結(jié)構(gòu)和光學性質(zhì)。研究發(fā)現(xiàn),與其他體系的帶隙值相比,Sn摻雜體系的帶隙值最小,為0.034 eV,該體系顯示出了良好的半導體性能。差分電荷密度圖顯示摻雜后原子周圍的局域性降低,說明碳原子與摻雜原子之間的鍵強度減弱。布居值分析表明Sn原子與C原子成鍵的共價性最弱。在吸收光譜中,摻雜體系的峰值均略有減小,并出現(xiàn)藍移現(xiàn)象。此外,與未摻雜體系相比,Sn摻雜體系的吸收譜與反射譜峰值明顯減小,這可允許更多的光通過涂層然后被太陽能電池吸收,使其作為增透膜材料在太陽能電池領域有廣闊的應用前景。
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