摘要： 在測得聚苯硫醚材料高頻段儲能模量和損耗因子的基礎(chǔ)上,提出應(yīng)用聚苯硫醚夾心式換能器的實測諧振頻率和品質(zhì)因數(shù)對聚苯硫醚高頻力學(xué)性能參數(shù)測試結(jié)果進行分析的方法.測試結(jié)果表明,動態(tài)粘彈儀法測得的高頻力學(xué)參數(shù)用于設(shè)計換能器時相對誤差最小,壓電超聲復(fù)合共振法次之,而共振法和波速法的相對誤差較大.提出的分析及檢驗材料力學(xué)性能參數(shù)測試方法不受測試頻段限制,為高頻力學(xué)性能參數(shù)測試提供了一種新的檢驗方法.

摘要： 同軸磁控管的研究工作當(dāng)中涉及到的工作模式競爭是一個重要的問題,競爭模的產(chǎn)生影響正常π模的振蕩。本文首先利用CST軟件對于各個振蕩模式進行了仿真分析,介紹了π模以及其干擾模的電場矢量分布和色散圖,并分析相關(guān)參數(shù)的影響。對設(shè)計當(dāng)中遇到的主要競爭模式進行了定性分析,并提出相關(guān)的解決方案進行衰減設(shè)計,確保π模穩(wěn)定振蕩,最后得到綜合競爭模式衰減后的各模式品質(zhì)因數(shù)對比結(jié)果,在對π模Q_(0)影響較小的情況下,最大限度降低競爭模式的Q_(0),達到了衰減競爭模式的目的。

摘要： 基于有限元仿真研究了方環(huán)和圓環(huán)形諧振器的靜態(tài)位移點,并分析了支撐軸位置對諧振器性能的影響,提出了優(yōu)化設(shè)計方案:對于方環(huán)形諧振器,在對角處設(shè)置雙端側(cè)向支撐以降低其錨點損耗;對于圓環(huán)形諧振器,采用單端側(cè)向支撐以及三端底部支撐相結(jié)合的器件結(jié)構(gòu),在保證電學(xué)信號引出的同時,提升器件的品質(zhì)因數(shù)Q。針對所設(shè)計的器件結(jié)構(gòu)特征,設(shè)計了一種基于七步光刻工藝的微納制程,并成功實現(xiàn)器件的高成品率制備。測試結(jié)果表明:前者的Q值和機電耦合系數(shù)k_(eff)^(2)分別為1707.4和0.98%,后者的Q值和k_(eff)^(2)分別為1844.7和1.58%。相比于四端支撐環(huán)形諧振器,優(yōu)化設(shè)計的支撐結(jié)構(gòu)使得器件Q值得到大幅提升。此外,還分析研究了不同表面電極材料對環(huán)形諧振器的性能影響。

摘要： 伴隨著市場經(jīng)濟的不斷增長,社會對于工業(yè)生產(chǎn)的需求量越來越高,而隨著生產(chǎn)量的提升,現(xiàn)有的生產(chǎn)設(shè)備已經(jīng)無法滿足現(xiàn)有的生產(chǎn)需求。在這一基礎(chǔ)上,為了能夠更好地提升社會生產(chǎn)力,首先需要做到的就是更好地提升工業(yè)生產(chǎn)中各項設(shè)備應(yīng)用價值,只有確保生產(chǎn)設(shè)備的運行質(zhì)量,才能更好地提升生產(chǎn)效率。鑒于此,文章以某鋁業(yè)公司生產(chǎn)的電解鋁整流機組諧波濾波器為例,對電解鋁整流機組諧波濾波器功率因素補償不足的控制這一內(nèi)容進行了一系列詳細的研究和分析,完成不同電解鋁整流機組諧波濾波器相關(guān)運行參數(shù)統(tǒng)計對比分析工作,旨在提升工業(yè)生產(chǎn)效率。

摘要： 石墨烯是一種只有單原子層厚度的新材料,具有良好的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性和力學(xué)性能,被廣泛應(yīng)用于諸多領(lǐng)域,由于石墨烯對氣體的不透過性,被用于諧振式壓力傳感器的敏感元件。文中對石墨烯的特性進行了介紹,描述了目前石墨烯常用的制備和轉(zhuǎn)移方式。闡述了諧振器常用的激勵和檢測方式,重點從理論仿真研究和實驗研究方面詳細介紹了國內(nèi)外學(xué)者對于石墨烯諧振式壓力傳感器的研究成果。不同研究小組制做的石墨烯諧振式壓力傳感器的諧振頻率和品質(zhì)因數(shù)都有較大的差距,與理論和仿真的研究結(jié)果也相差很多,這往往受石墨烯制備和轉(zhuǎn)移過程中產(chǎn)生的缺陷影響。目前對于石墨烯諧振式傳感器的實驗研究還比較匱乏,在性能的提升和加工工藝方面仍然面臨著諸多的困難和挑戰(zhàn)。

摘要： 尖晶石型微波介質(zhì)陶瓷因高品質(zhì)因數(shù)和可調(diào)的諧振頻率溫度系數(shù)在無線通信等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。本文通過無壓燒結(jié)制備了MgO·nGa_(2)O_(3)(n=0.975、1.00、1.08和1.17)尖晶石陶瓷,采用XRD Rietveld全譜擬合研究了化學(xué)計量比對晶體結(jié)構(gòu)的影響,并結(jié)合鍵價理論模型探究了微波介電性能與晶體結(jié)構(gòu)的關(guān)系。結(jié)果表明:MgO·nGa_(2)O_(3)陶瓷相對介電常數(shù)(ε_(r))的變化與晶格常數(shù)和離子極化率有關(guān);品質(zhì)因數(shù)(Q×f)受鍵強和陽離子有序度的共同影響,隨n值增大從165590 GHz下降至109413 GHz;而諧振頻率溫度系數(shù)(τ_(f))與晶體熱膨脹系數(shù)相關(guān)。制備的MgO·0.975Ga_(2)O_(3)陶瓷具有優(yōu)異的微波介電性能:ε_(r)=9.69、Q×f=165590 GHz(頻率14 GHz下)和τ_(f)=-7.12×10^(-6)/°C。

摘要： 固體波動陀螺是一種基于科里奧利效應(yīng)的新型陀螺,具有環(huán)境適應(yīng)性強、可靠性高、長壽命、高精度等優(yōu)點。石英諧振子作為其核心部件,其性能的好壞直接關(guān)系到固體波動陀螺的性能,因此對石英諧振子進行特殊的加工手段是提高固體波動陀螺性能的關(guān)鍵。石英諧振子影響陀螺精度的主要技術(shù)指標(biāo)有兩項分別為頻率裂解值及品質(zhì)因數(shù),針對上述兩項指標(biāo)本文從石英諧振子超精密加工、石英諧振子調(diào)平、諧振子表面金屬化鍍膜三個技術(shù)方面對石英諧振子的加工進行論述。

摘要： RLC串聯(lián)諧振是大學(xué)物理實驗的一個重要內(nèi)容.實驗中發(fā)現(xiàn)電路品質(zhì)因數(shù)的實驗值總是小于理論計算值.對電路中的損耗電阻進行了估算,并對品質(zhì)因數(shù)的理論值進行了修正,從而有效地降低了實驗相對誤差.

摘要： 采用固相反應(yīng)法制備了Sc元素摻雜的MnZn鐵氧體,分別采用X射線衍射儀(XRD)、掃描電鏡(SEM)、振動樣品磁強計(VSM)以及LCR表等對樣品的結(jié)構(gòu)和磁性能進行表征。結(jié)果表明:對于Mn_(0.757)Zn_(0.107)Sc_(x)Fe_(2.136?x)O_(4)(x=0~0.07)材料,當(dāng)x≤0.03時,樣品均表現(xiàn)為單相立方尖晶石結(jié)構(gòu),x≥0.05時,樣品中觀察到另相衍射峰;x由0.01增加至0.07時,樣品的晶格常數(shù)a呈增大趨勢,平均晶粒尺寸D_(m)減小、孔隙率p相應(yīng)增大;在x=0~0.07的考察范圍內(nèi),飽和磁化強度M_(s)和矯頑力H_(c)均呈先增大后減小的趨勢,當(dāng)x=0.01時樣品具有最大的飽和磁化強度92.7 A?m^(2)/kg,x=0.03時樣品呈現(xiàn)最大的矯頑力95.7 A/m;動態(tài)磁導(dǎo)率μ(100 kHz)由640減小至301,品質(zhì)因數(shù)Q峰值由251減小至78。

摘要： 無源電感廣泛應(yīng)用在射頻電路中,用于實現(xiàn)調(diào)諧、匹配、濾波等功能。針對片上空心平面螺旋電感的電感值和品質(zhì)因數(shù)低的問題,設(shè)計了不同的磁通孔結(jié)構(gòu),并研究其對電感性能的影響,其中手指型磁通孔結(jié)構(gòu)可以更有效降低渦流損耗。利用HFSS軟件比較分析了兩種優(yōu)化后的磁通孔結(jié)構(gòu)對固定線圈平面螺旋電感以及漸變型線圈平面螺旋電感的電感值以及品質(zhì)因數(shù)等的影響。結(jié)果表明,頂部和底部磁膜不覆蓋磁通孔的結(jié)構(gòu)可以大幅度提高電感值和品質(zhì)因數(shù),且對漸變型平面螺旋電感的提高作用更為明顯。該研究為后續(xù)磁膜微電感的設(shè)計優(yōu)化提供了很好的借鑒經(jīng)驗。

摘要： 混響室作為一種新型的電磁兼容測試場地，相比于傳統(tǒng)的測試場地，具有測試頻帶寬、重復(fù)性好、測試時間短以及在測試過程中采用合適的功率就能產(chǎn)生較高場強等優(yōu)勢，混響室的品質(zhì)因數(shù)是混響室的一個重要性能指標(biāo)參數(shù)，尤其當(dāng)混響室用于脈沖激勵信號時，需要通過品質(zhì)因數(shù)得到混響室時間常數(shù)，確定脈沖激勵信號的脈寬參數(shù)。同時，混響室在實際設(shè)計時，還需要利用品質(zhì)因數(shù)對其內(nèi)部的場強大小進行評估。頻譜儀zero span mode加外部觸發(fā)方法是一種較為方便的測試方法。同時，該測試方法可以避免引入天線效率和阻抗匹配，測量結(jié)果與IEC61000-4-21標(biāo)準(zhǔn)方法測量具有一定的相似性。

摘要： 利用射頻磁控濺射法制備了氧化銦錫(ITO)透明導(dǎo)電薄膜,主要研究了氧氣流量、基底溫度、濺射功率和氬氣流量等工藝參數(shù)對薄膜光電性能的影響,計算了薄膜的品質(zhì)因數(shù),并根據(jù)品質(zhì)因數(shù)優(yōu)化了薄膜的制備工藝.實驗結(jié)果表明:當(dāng)氧氣流量為4sccm、基底溫度為285°C、濺射功率為1500W、氬氣流量為160sccm時所制得的薄膜品質(zhì)因數(shù)最高,平均透過率為81.8％,電阻率為3.12×10-6Ω·m,光電綜合性能較好.

摘要： 微電網(wǎng)中用于分布式電源接口的電力電子設(shè)備對電網(wǎng)帶來嚴重的諧波污染問題.因此,如何對微電網(wǎng)的諧波污染問題進行合理有效控制具有重要研究意義.鑒于微電網(wǎng)中電源與負荷散小交織的特點,現(xiàn)有文獻所研究的混合濾波器基本上難以應(yīng)用于對含微電網(wǎng)的輸配電系統(tǒng)進行諧波治理.因此,本文以面向微電網(wǎng)的新型混合電力濾波器——有源調(diào)諧型混合電力濾波器(Active Tuned Hybrid Power Filter,ATHPF)作為研究對象.結(jié)合ATHPF的電路結(jié)構(gòu)與工作原理,建立系統(tǒng)的數(shù)學(xué)模型,分析系統(tǒng)的諧波補償特性,并分別研究系統(tǒng)短路容量、濾波電抗器品質(zhì)因數(shù)和濾波電抗器電感值發(fā)生偏移時對系統(tǒng)諧波補償特性的影響,進而給出了改善系統(tǒng)諧波補償特性的措施,最后進行了仿真驗證.

摘要： 本文設(shè)計了一種輸出動態(tài)范圍可調(diào)的二階Sigma-Delta調(diào)制器.首先針對Sigma-Delta ADC在實現(xiàn)高精度的同時如何降低系統(tǒng)功耗這一問題,進行了詳細的建模分析并得出滿足精度需求的最低性能指標(biāo),通過模塊指標(biāo)分配算法可以自動計算獲得電路指標(biāo).其次基于CSMC0.5um CMOS工藝,在5V電源電壓下,對調(diào)制器進行了電路級設(shè)計,其中調(diào)制器的積分器和比較器電路被設(shè)計成結(jié)構(gòu)可調(diào)的形式,由控制信號實現(xiàn)其內(nèi)部電路的配置以滿足不同輸出動態(tài)范圍要求時的最低性能指標(biāo),從而避免電路性能過剩所帶來的額外功耗.仿真結(jié)果表明,在時鐘為2.5MHz,半幅0.5V輸入時,最終的輸出有效位數(shù)達到12.5bit,功耗為700uW,品質(zhì)因數(shù)為6pJ/conv.

摘要： 分析了磁芯線圈的串聯(lián)等效電路模型,并利用該模型對金屬磁粉芯測試遇到的問題進行了解釋。在使用LRC測試儀在LS模式下，測試金屬磁粉芯磁特性時，所存在的電感量為負值以及電感量隨頻率提高而增大的現(xiàn)象。而且用品質(zhì)因數(shù)Q表征金屬磁粉芯磁特性并不恰當(dāng)。

摘要： 現(xiàn)今微波暗室有許多值得研究的應(yīng)用,本文通過設(shè)計自己的微波暗室模型,通過在微波暗室中放置2個偶極子激勵電磁場,計算暗室中半波偶極子天線的自由空間阻抗和品質(zhì)因數(shù).在實驗中,使用2種激勵技術(shù),位置激勵和墻激勵.最后比較發(fā)現(xiàn),在計算自由空間阻抗實驗中,位置激勵和墻激勵技術(shù)都能得到合理的結(jié)果,計算出的自由空間阻抗都接近73Q,而位置激勵得到的結(jié)果更佳.在測量品質(zhì)因數(shù)的實驗中,墻激勵技術(shù)得到的品質(zhì)因數(shù)更接近實際值.

摘要： 本文詳述了一種基于CMOS65納米工藝的慢波共面波導(dǎo)S-CPW(Slow-wave Coplanar Waveguide)的設(shè)計.設(shè)計的慢波共面波導(dǎo)具有高相對介電常數(shù)reff以及高品質(zhì)因數(shù)Q的特性.測試結(jié)果表明,在65GHz時,慢波共面波導(dǎo)的相對介電常數(shù)可達30,品質(zhì)因數(shù)最高可至32.同時,相同特征阻抗比較時,慢波共面波導(dǎo)的測試性能遠遠優(yōu)于微帶線TFMS和共面波導(dǎo)CPW的性能,適合作為匹配網(wǎng)絡(luò)在毫米波電路中應(yīng)用.

摘要： 闡述了串聯(lián)諧振耐壓試驗裝置的工作原理及優(yōu)點,通過現(xiàn)場試驗介紹了凡例GIS耐壓試驗中發(fā)生的異常情況,分別對試驗設(shè)備及被試品的各種異常現(xiàn)象產(chǎn)生的原因進行了詳細地分析及妥善的處理;說明了影響Q值的幾種因素及應(yīng)對措施,提出了現(xiàn)場進行GIS諧振耐壓試驗時的注意事項,給出了類似問題及異常的診斷方法.

摘要： 闡述了串聯(lián)諧振耐壓試驗裝置的工作原理及優(yōu)點,通過現(xiàn)場試驗介紹了凡例GIS耐壓試驗中發(fā)生的異常情況,分別對試驗設(shè)備及被試品的各種異?，F(xiàn)象產(chǎn)生的原因進行了詳細地分析及妥善的處理;說明了影響Q值的幾種因素及應(yīng)對措施,提出了現(xiàn)場進行GIS諧振耐壓試驗時的注意事項,給出了類似問題及異常的診斷方法.

摘要： 闡述了串聯(lián)諧振耐壓試驗裝置的工作原理及優(yōu)點,通過現(xiàn)場試驗介紹了凡例GIS耐壓試驗中發(fā)生的異常情況,分別對試驗設(shè)備及被試品的各種異常現(xiàn)象產(chǎn)生的原因進行了詳細地分析及妥善的處理;說明了影響Q值的幾種因素及應(yīng)對措施,提出了現(xiàn)場進行GIS諧振耐壓試驗時的注意事項,給出了類似問題及異常的診斷方法.

摘要： 一種封裝基板(或印刷電路板)，其包括至少一個介電層、至少部分地位于該介電層中的第一電感器結(jié)構(gòu)、第三互連和第二電感器結(jié)構(gòu)。第一電感器結(jié)構(gòu)包括第一互連、耦合至第一互連的第一通孔、以及耦合至第一通孔的第二互連。第三互連耦合至第一電感器結(jié)構(gòu)。第三互連被配置成提供用于接地信號的電路徑。第二電感器結(jié)構(gòu)至少部分地位于該介電層中。第二電感器耦合至第三互連。第二電感器結(jié)構(gòu)包括第四互連、耦合至第四互連的第二通孔、以及耦合至第二通孔的第五互連。第一和第二電感器結(jié)構(gòu)被配置成與電容器一起作為三次諧波抑制濾波器來操作。

摘要： 本發(fā)明涉及一種電感品質(zhì)因數(shù)測量方法及相應(yīng)的電感品質(zhì)因數(shù)測量電路，其中，所述的方法利用振蕩電路在欠阻尼振蕩過程中電路的衰減速度與電路中電感品質(zhì)因數(shù)Q的呈一定對應(yīng)關(guān)系的特點，通過公式Q＝K×N得到所述的電感品質(zhì)因數(shù)Q的值，其中，N為所述的振蕩電路接收到所述的階躍電壓后，產(chǎn)生的阻尼振蕩幅度大于預(yù)設(shè)基準(zhǔn)電壓的振蕩周期個數(shù)，K為系統(tǒng)預(yù)設(shè)值，且0＜K≤1，所述的系統(tǒng)預(yù)設(shè)值K的具體取值與所述的預(yù)設(shè)基準(zhǔn)電壓和所述的階躍電壓的比值對應(yīng)，相應(yīng)的電路無需復(fù)雜的計算過程及處理時序要求，通過簡單的電路結(jié)構(gòu)即可求出電感品質(zhì)因數(shù)Q的值。采用本發(fā)明中的電感品質(zhì)因數(shù)測量方法及相應(yīng)的電感品質(zhì)因數(shù)測量電路具備精度可調(diào)、測量方便及成本較低的特點。

摘要： 本發(fā)明公開了一種鈮鋯酸鉍鉀鈉銅鐵無鉛壓電陶瓷材料，該壓電陶瓷的通式為[(K0.45Na0.55)0.98?x(Bi0.5Na0.5)xCu0.01](Nb1?xZrxFe0.004)O3表示，其中0.3≤x≤0.5。采用固相反應(yīng)法，經(jīng)過原料混合，預(yù)燒，造粒，壓片，排膠，燒結(jié)，燒銀，極化等工藝制備陶瓷材料。結(jié)果表明，鈮鋯酸鉍鉀鈉銅鐵無鉛壓電陶瓷，其燒結(jié)特性好、損耗低、結(jié)構(gòu)致密、壓電性能優(yōu)異：壓電常數(shù)d33:170~260 pC/N，機電耦合系數(shù)kp:0.42~0.47，機械品質(zhì)因數(shù)Qm:250~370。

摘要： 本發(fā)明涉及一種純晶相高平質(zhì)因數(shù)納米尺寸鈦酸鎂鈣鈣陶瓷粉材料及其制備方法，該材料是一種呈現(xiàn)不規(guī)則形狀純晶相結(jié)構(gòu)的納米尺寸的鈦酸鎂鈣鈣納米陶瓷粉，材料顆粒尺寸為60?150nm，干燥粉碎處理以后粒度D50小于200nm，比表面積1?30m2/g，加工燒結(jié)后的陶瓷器件具有超高的品質(zhì)因數(shù)，介電常數(shù)在20?40范圍內(nèi)可調(diào)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的制備過程操作簡便，不需要額外的復(fù)雜條件和復(fù)雜設(shè)備，常溫常壓下攪拌就可以發(fā)生反應(yīng)，而且其實用的原料便宜易得，從而使材料的制備成本相對較低，顆粒粒度尺寸較小而且制備的鈦酸鎂鈣可以用作制作電子陶瓷器件、濾波器陶瓷器件等多種用途。

摘要： 本發(fā)明公開了一種低介電常數(shù)高品質(zhì)因數(shù)的微波介質(zhì)陶瓷及其制備方法，本發(fā)明的微波介質(zhì)陶瓷的化學(xué)組成表達式為MgAlF5，其相對介電常數(shù)為6.5～7.7，品質(zhì)因數(shù)為31400～40500GHz，本發(fā)明的微波介質(zhì)陶瓷具有十分優(yōu)異的低介電常數(shù)與高品質(zhì)因數(shù)性能組合，在未來微波通訊系統(tǒng)無源器件中有非常廣泛的應(yīng)用前景。本發(fā)明的一種低介電常數(shù)高品質(zhì)因數(shù)的微波介質(zhì)陶瓷的制備方法采用固相反應(yīng)法制備工藝，工藝簡單，重復(fù)性好且合成的物相穩(wěn)定單一。此外，本發(fā)明的一種低介電常數(shù)高品質(zhì)因數(shù)的微波介質(zhì)陶瓷的制備方法以全氟化物為反應(yīng)原料，燒結(jié)溫度不高于1200°C，相比于其他氧化物陶瓷，如MgAl2O4（1450°C）等燒結(jié)溫度降低了275°C以上，能大大節(jié)約大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)的成本。

摘要： 本申請實施例公開了一種品質(zhì)因數(shù)的檢測電路、方法、裝置及電子設(shè)備，用于提高檢測品質(zhì)因數(shù)Q的精確度。本申請實施例包括：波形過濾電路、諧振電路、檢測電路、電源和主控制電路；電源分別與諧振電路和主控制電路連接；主控制電路中包含數(shù)模轉(zhuǎn)換器ADC和控制芯片；波形過濾電路包括第一二極管D2、第二二極管D3、穩(wěn)壓二極管D1和電阻R1；諧振電路與主控制電路連接；電阻R1的第一端與諧振電路連接；電阻R1的第二端分別與第一二極管D3的負極、第二二極管D2的正極以及檢測電路連接；第一二極管D3的正極分別與第二二極管D2的負極、穩(wěn)壓二極管D1的負極連接；穩(wěn)壓二極管的正極接地；第二二極管的負極接地；檢測電路與主控制電路連接。

摘要： 本申請涉及一種原子力顯微鏡探針的品質(zhì)因數(shù)調(diào)整方法和裝置，所述方法通過獲取第一曲線和第二曲線；第一曲線為根據(jù)探針的品質(zhì)因數(shù)，以及第一音叉臂的第一附加物和第二音叉臂的第二附加物的質(zhì)量差值得到；第二曲線為根據(jù)質(zhì)量差值以及第二附加物的腐蝕時間得到；獲取探針的當(dāng)前品質(zhì)因數(shù)，并根據(jù)當(dāng)前品質(zhì)因數(shù)和第一曲線，得到當(dāng)前質(zhì)量差值；根據(jù)當(dāng)前質(zhì)量差值和第二曲線，得到第二附加物的目標(biāo)腐蝕時間；根據(jù)目標(biāo)腐蝕時間對第二附加物進行處理，得到目標(biāo)探針。該方法通過多次腐蝕微調(diào)，使第二附加物的質(zhì)量非常接近第一附加物，從而起到提高探針品質(zhì)因數(shù)的作用。探針是原子力顯微鏡的一個重要部件，探針品質(zhì)因數(shù)的提高對于原子力顯微鏡具有重要意義。

摘要： 感應(yīng)充電系統(tǒng)和方法在包括發(fā)射器線圈的無線充電墊的充電表面上檢測無線裝置，確定發(fā)射器線圈的第一品質(zhì)因數(shù)并啟動充電會話，并且在充電會話期間周期性地執(zhí)行外物檢測(FOD)技術(shù)，該外物檢測(FOD)技術(shù)包括：根據(jù)操作點的特定序列來調(diào)整發(fā)射器線圈的操作點，所述操作點的特定序列使無線設(shè)備的接收器線圈與接收器負載之間的整流器二極管反向偏置，以將接收器負載從接收器線圈斷開連接，并且然后確定發(fā)射器線圈的第二品質(zhì)因數(shù)；以及基于第一品質(zhì)因數(shù)與第二品質(zhì)因數(shù)之間的比較來檢測充電表面上是否存在外物。

摘要： 本發(fā)明公開了一種提高射頻電感品質(zhì)因數(shù)的方法，包括步驟S1：根據(jù)硅襯底工藝從而選定襯底層；步驟S2：在襯底層的一側(cè)設(shè)置金屬層，并且根據(jù)需求設(shè)置金屬層中的金屬結(jié)構(gòu)的材質(zhì)、金屬結(jié)構(gòu)的數(shù)量和介質(zhì)結(jié)構(gòu)的材質(zhì)。本發(fā)明公開的一種提高射頻電感品質(zhì)因數(shù)的方法，其通過金屬層和襯底層進行設(shè)置，并且根據(jù)需求設(shè)定金屬層的材質(zhì)和數(shù)量以及設(shè)定襯底層的厚度，以減薄襯底層的厚度從而提高片上射頻電感Q值。

摘要： 本發(fā)明涉及光學(xué)器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種全介質(zhì)缺陷圓柱高品質(zhì)因數(shù)折射率傳感器及其制作方法。包括二氧化硅襯底和陣列分布于二氧化硅襯底上表面的全介質(zhì)超表面結(jié)構(gòu)單元，所述全介質(zhì)超表面結(jié)構(gòu)單元為弧面朝上的半圓柱結(jié)構(gòu)體，所述半圓柱結(jié)構(gòu)體的軸線與x軸平行；其中，x軸沿二氧化硅襯底寬度方向，y軸沿二氧化硅襯底長度方向，z軸沿二氧化硅襯底厚度方向。極大的提高了全介質(zhì)傳感器的品質(zhì)因數(shù)，進一步提高了全介質(zhì)超表面?zhèn)鞲衅鞯姆直媛省?